1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极区域和源漏区域；
形成绝缘介质层，所述绝缘介质层同时覆盖所述栅极区域和所述源漏区域；
图案化所述源漏区域的所述绝缘介质层，形成暴露所述源漏区域的第一接触孔；
在所述第一接触孔的底部形成金属硅化物；
图案化所述栅极区域的所述绝缘介质层，形成在所述半导体衬底上的正投影位于所述栅极区域的第二接触孔；
在所述第一接触孔和所述第二接触孔中形成填充层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述图案化所述源漏区域的所述绝缘介质层，形成暴露所述源漏区域的第一接触孔，包括：
在所述绝缘介质层远离所述半导体衬底的一侧形成光刻胶层；
在所述光刻胶层上形成第一接触孔图案；
通过所述第一接触孔图案蚀刻所述绝缘介质层，直至暴露出所述半导体衬底。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一接触孔底部形成金属硅化物，包括：
在所述第一接触孔的底部沉积预设金属材料；
对所述预设金属材料进行热处理，以使所述预设金属材料与所述半导体衬底中的硅反应形成金属硅化物。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述第一接触孔底部形成金属硅化物之后，所述制造方法还包括：
去除所述预设金属材料中未与所述半导体衬底中的硅反应形成金属硅化物的部分。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在图案化所述栅极区域的所述绝缘介质层，形成在所述半导体衬底上的正投影位于所述栅极区域的第二接触孔之前，所述制造方法还包括：
在所述第一接触孔内形成牺牲填充层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二接触孔之后，形成所述填充层之前，所述制造方法还包括：
去除所述牺牲填充层。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一接触孔之后，在形成所述金属硅化物之前，所述制造方法还包括：
在所述第一接触孔底部形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成金属层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述多晶硅层还形成在所述第一接触孔的侧壁，所述金属层还形成在所述侧壁上的多晶硅层的表面。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一接触孔的底部形成金属硅化物之后，所述制造方法还包括：
在所述金属硅化物表面形成黏附阻挡层。
10.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极区域和源漏区域；
绝缘介质层，所述绝缘介质层同时覆盖所述栅极区域和所述源漏区域，所述绝缘介质层上形成有暴露所述源漏区域的第一接触孔以及在所述半导体衬底上的正投影位于所述栅极区域的第二接触孔；
金属硅化物，形成于所述第一接触孔的底部；
填充层，形成于所述第一接触孔和所述第二接触孔中。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物还形成在所述第一接触孔的侧壁。
12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
黏附阻挡层，形成于所述金属硅化物背离所述半导体衬底的表面。
13.一种晶体管，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的制造方法制得。
14.一种存储器，其特征在于，包括权利要求13所述的晶体管。