技术特征：
1.一种半导体器件的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：准备带有有源区结构的待加工件；在所述待加工件表面沉积第一介电层，其中，所述第一介电层厚度不小于所述有源区结构的高度；在所述第一介电层的上方沉积支撑层；在所述支撑层上方沉积第二介电层；以及对所述待加工件的所述第一介电层、所述支撑层及所述第二介电层进行研磨，以获得暴露所述有源区结构的平整器件表面。2.如权利要求1所述加工方法，其特征在于，所述待加工件上设有多个所述有源区结构，所述在所述待加工件表面沉积第一介电层的步骤包括：向各所述有源区结构之间的沟槽沉积介电材料；监测各所述沟槽中的所述介电材料的沉积厚度；以及响应于所述介电材料的沉积厚度大于或等于所述有源区结构的高度，停止向各所述沟槽沉积所述介电材料的操作，以得到所述第一介电层。3.如权利要求2所述加工方法，其特征在于，所述在所述第一介电层的上方沉积支撑层的步骤包括：在所述第一介电层的上方沉积支撑材料，其中，所述支撑材料的硬度大于所述介电材料；监测所述支撑材料的沉积厚度；以及响应于所述支撑材料的沉积厚度达到预设的第一厚度阈值，停止向所述第一介电层沉积所述支撑材料的操作，以得到所述支撑层。4.如权利要求3所述加工方法，其特征在于，所述在所述支撑层上方沉积第二介电层的步骤包括：在所述支撑层的上方继续沉积所述介电材料；监测所述介电材料的沉积厚度；以及响应于所述介电材料的沉积厚度达到预设的第二厚度阈值，停止向所述支撑层沉积所述介电材料的操作，以得到所述第二介电层。5.如权利要求4所述加工方法，其特征在于，沉积所述第一介电层、所述支撑层和/或所述第二介电层的操作是基于高密度等离子体气相沉积工艺来实现。6.如权利要求3或5所述加工方法，其特征在于，所述介电材料为sio2，所述支撑材料为sin。7.如权利要求6所述加工方法，其特征在于，所述在所述第一介电层的上方沉积支撑材料的步骤包括：在所述第一介电层的上方建立高密度等离子体，并向所述第一介电层的上方通入sih4、nh3及n2，以在所述第一介电层的上方生成并沉积所述sin。8.如权利要求1或4所述加工方法，其特征在于，所述对所述待加工件的所述第一介电层、所述支撑层及所述第二介电层进行研磨，以获得暴露所述有源区结构的平整器件表面的步骤包括：对所述第二介电层进行第一阶段的研磨，直到暴露所述有源区结构上方的支撑层；
对剩余的第二介电层及所述支撑层进行第二阶段的研磨，直到去除所述有源区结构上方的支撑层，并暴露所述有源区结构上方的第一介电层及所述有源区结构以外区域的支撑层；以及对所述有源区结构上方的第一介电层及所述有源区结构以外区域的支撑层进行第三阶段的研磨，直到去除所述有源区结构以外区域的支撑层，并获得暴露所述有源区结构的平整器件表面。9.如权利要求8所述加工方法，其特征在于，各所述有源区结构之间的间距呈不均匀分布。10.一种半导体器件，其特征在于，带有有源区域结构，并具有暴露所述有源区结构的平整器件表面，其中，暴露所述有源区结构的所述平整器件表面是经由如权利要求1～9中任一项所述的半导体器件的加工方法加工获得。
技术总结
本发明提供了一种半导体器件的加工方法及一种半导体器件。所述半导体器件的加工方法包括以下步骤：准备带有有源区结构的待加工件；在所述待加工件表面沉积第一介电层，其中，所述第一介电层厚度不小于所述有源区结构的高度；在所述第一介电层的上方沉积支撑层；在所述支撑层上方沉积第二介电层；以及对所述待加工件的所述第一介电层、所述支撑层及所述第二介电层进行研磨，以获得暴露所述有源区结构的平整器件表面。的平整器件表面。的平整器件表面。
技术研发人员：孙晓波
受保护的技术使用者：拓荆科技股份有限公司
技术研发日：2022.09.30
技术公布日：2022/12/6