一种半导体桥的封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及到一种火工品半导体桥体的封装结构。一种半导体桥的封装结构，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上设置有电极引线1和芯片4，所述的电极引线1穿过陶瓷塞5设置，所述的芯片4固定设置在陶瓷塞5上，电极引线1从陶瓷塞5上伸出的部分与芯片4之间设置有金属化导带3，电极引线1通过金属化导带3与芯片4连接，金属化导带3与电极引线1和芯片4的连接部位均设置有导电连接体2。本实用新型的封装结构通过在陶瓷塞制作金属化导带，金属化导带与电极引线和芯片的连接部位均设置有导电连接体，导电连接体能够避免因装药压力导致的电极引线断裂、失效。
【专利说明】
一种半导体桥的封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及到一种火工品半导体桥体的封装结构。
【【背景技术】】
[0002]半导体桥(Semiconductor Bridge，SCB)是利用半导体膜或金属-半导体复合膜作为发火元件，相较于金属桥丝发火品，以其具有发光能量低、响应速度快、使用安全等优点，已被广泛应用。
[0003]SCB具有不同于一般金属桥丝火工品的点火特性，这是由桥体本身决定的。桥体材料为重掺杂硅，在受电激励下，由于加热作用，桥体材料从常温、融化、汽化到形成等离子状态，与超爆药直接加压接触可引爆起爆药，达到点火目的。
[0004]半导体桥的核心为半导体桥芯片，其结构由高阻硅片或蓝宝石基片上制作“H”形重掺杂多晶硅作为桥体，桥体两端通过蒸发金属Al或Ni引出焊盘，焊盘与陶瓷塞电极通过Al丝键合实现电连接。再直接在半导体桥体表面进行压装起爆点火药，压力一般为90Mpa，就形成了半导体桥起爆器。由于半导体桥实现点火功能要与起爆药直接紧密接触，压装压力一般为90Mpa，两端的Al引线会受力发生塌落并承受很大的压力，导致Al受损断线，发生开路失效。
【【实用新型内容】】
[0005]为解决现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体桥的封装结构，该结构可避免装药压力导致的引线断裂、失效。
[0006]—种半导体桥的封装结构，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上设置有电极引线I和芯片4，所述的电极引线I穿过陶瓷塞5设置，所述的芯片4固定设置在陶瓷塞5上，电极引线I从陶瓷塞5上伸出的部分与芯片4之间设置有金属化导带3，电极引线I通过金属化导带3与芯片4连接，金属化导带3与电极引线I和芯片4的连接部位均设置有导电连接体2。
[0007]所述的导电连接体2涂覆在金属化导带3与电极引线I和芯片4的连接部位。
[0008]所述的导电连接体2为导电银浆料。
[0009]所述的金属化导带3为钼锰浆料。
[0010]所述的电极引线I和芯片4在陶瓷塞5的表面上对称设置。
[0011]所述的芯片4设置在陶瓷塞5的中心位置。
[0012]与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果:
[0013]本实用新型的封装结构通过在陶瓷塞制作金属化导带，金属化导带与电极引线和芯片的连接部位均设置有导电连接体，导电连接体能够避免因装药压力导致的电极引线断裂、失效。
【【附图说明】】
[0014]图1是本实用新型的结构示意图，其中图1(a)为俯视图，图1 (b)为主视图。
[0015]图中，卜电极引线，2-导电连接体，3-金属化导带，4-芯片，5-陶瓷塞。
【【具体实施方式】】
[0016]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型或实用新型进行详细说明。
[0017]如图1所示，本实用新型的一种半导体桥的封装结构，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上设置有电极引线I和芯片4，所述的电极引线I穿过陶瓷塞5设置，所述的芯片4固定设置在陶瓷塞5上，电极引线I从陶瓷塞5上伸出的部分与芯片4之间设置有金属化导带3，电极引线I通过金属化导带3与芯片4连接，金属化导带3与电极引线I和芯片4的连接部位均设置有导电连接体2。
[0018]在陶瓷塞5的上表面，芯片4与电极引线I之间采用丝网印刷方式，用导电浆料(钼锰浆料)印制金属化导带3，通过高温合金与陶瓷塞5形成结合紧密的导带。在陶瓷塞5上安装芯片4后，在芯片4的金属化区和金属化导带3之间的连接部位，以及金属化导带3和电极引线I之间的连接部位均涂覆导电银浆料，在150°C充氮环境下固化I小时，实现芯片5与外电极之间的导电连接。
[0019]本实用新型的封装结构通过在陶瓷塞制作金属化导带，金属化导带与电极引线和芯片的连接部位均设置有导电连接体，导电连接体能够避免因装药压力导致的电极引线断裂、失效。
【主权项】
1.一种半导体桥的封装结构，其特征在于，包括陶瓷塞(5)，陶瓷塞(5)上设置有电极引线(I)和芯片(4)，所述的电极引线(I)穿过陶瓷塞(5)设置，所述的芯片(4)固定设置在陶瓷塞(5)上，电极引线(I)从陶瓷塞(5)上伸出的部分与芯片(4)之间设置有金属化导带(3)，电极引线(I)通过金属化导带(3)与芯片(4)连接，金属化导带(3)与电极引线(I)和芯片(4)的连接部位均设置有导电连接体(2)。2.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的导电连接体(2)涂覆在金属化导带(3)与电极引线(I)和芯片(4)的连接部位。3.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的导电连接体(2)为导电银浆料。4.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的金属化导带(3)为钼锰浆料。5.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的电极引线(I)和芯片(4)在陶瓷塞(5)的表面上对称设置。6.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的芯片(4)设置在陶瓷塞(5)的中心位置。
【文档编号】H01L23/48GK205595322SQ201521139412
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2015年12月31日
【发明人】王旗, 崔聪, 张文彬
【申请人】长春半导体有限公司西安分公司