专利名称：新型的硅片腐蚀装置的制作方法
技术领域：
本实用新型是一种用于腐蚀硅片的装置，属于半导体技术领域。
硅片腐蚀是研制各种传感器、执行器和加工SOI材料的关键工艺之一。在现有的腐蚀装置中，硅片要通过粘合剂固定在样品架上，因而硅片装卸不便，且容易受粘合剂的沾污。另外，由于样品架转动与搅拌腐蚀液的搅拌子之间为同轴转动，既容易产生涡流，且因硅片各处线速度不同而导致硅片各处的腐蚀速率不同。因此，现有装置很难保证硅片大面积腐蚀的均匀性。
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种硅片装卸方便，可获得大面积均匀腐蚀的硅片腐蚀装置。
本实用新型由腐蚀槽、样品架和搅拌系统组成，其特点在于样品架采用三爪式结构，搅拌系统采用偏心的双向旋转搅拌即偏心样品架的转动方向与搅拌子的转动方向相反。为了便于控制腐蚀温度，腐蚀槽中可设置温度传感器，并通过温度控制器来控制腐蚀液温度。三爪式样品架由有机玻璃或具有弹性的塑料制成。样品架除了做成三爪式结构以外，也可以做成两爪、四爪或五爪等多爪式结构。
本实用新型具有结构简单、使用方便等优点，在使用过程中无粘合剂沾污，硅片无残留不腐蚀部分。由于采用的搅拌系统消除了涡流，硅片各点平均线速度均匀，因此可使硅片获得均匀腐蚀，提高腐蚀后的硅片质量。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是用于不同直径硅片的样品架示意图；图3是用于同一直径硅片的多爪式样品架示意图。
本实用新型可采用如下方案实现采用如图1所示的结构，腐蚀槽(1)用500～1000ml或容积更大的塑料容器或玻璃容器；将样品架(2)相对腐蚀槽偏心放置，并用直流调速电机带动，以适当的转速按一定方向转动；磁搅拌器使磁搅拌子(3)以一定的转速按与样品架转动方向相反的方向转动；温度传感器(4)可采用水银接触开关；温度控制器(5)可采用普通的电子温度控制器。为了使一个样品架可以装放不同直径的硅片，可采取如图2所示的锥形三爪式结构。若要使一个样品架可以装放多片同一直径的硅片，可采用图3所示的结构。转轴(6)与直流调速电机相连接，弹性爪(7)上开有多个装片槽(8)，同一层上的装片槽应当保持在同一平面位置上。对于腐蚀厚度很薄的硅片，可采用将硅片粘附在其它材料的衬底片上进行腐蚀。
权利要求1.一种可获得大面积均匀腐蚀的硅片腐蚀装置，由腐蚀槽、样品架和搅拌系统组成，其特征在于样品架采用三爪式结构，搅拌系统采用偏心的双向旋转搅拌子，样品架的转动方向与搅拌子的转动方向相反。
2.根据权利要求1所述的硅片腐蚀装置，其特征在于样品架可做成两爪、四爪或五爪等多爪式结构。
3.根据权利要求1或2所述的硅片腐蚀装置，其特征在于样品架由有机玻璃或具有弹性的塑料制成。
4.根据权利要求3所述的硅片腐蚀装置，其特征在于样品架由转轴和弹性爪构成，弹性爪上开有多个装片槽。
专利摘要新型的硅片腐蚀装置是一种可获得大面积均匀腐蚀的硅片腐蚀装置，由腐蚀槽、样品架和搅拌系统组成，其特点是样品架采用三爪式结构，搅拌系统采用偏心的双向旋转搅拌子，样品架的转动方向与搅拌子的转向相反，采用温度控制器控制腐蚀液温度，具有结构简单、使用方便等优点，可获得大面积均匀腐蚀的硅片。
文档编号H01L21/02GK2058786SQ89205180
公开日1990年6月27日 申请日期1989年6月23日 优先权日1989年6月23日
发明者吕世骥 申请人:东南大学