专利名称：介质谐振器装置和高频组件的制作方法
技术领域：
本发明涉及微波和毫米波频段用的介质谐振器，如介质滤波器，压控振荡器，介质双工器以及利用这种介质谐振器装置的高频组件。
响应于移动通信系统以及在该系统中多媒体应用的需求的迅速增长，需要大容量、高速度的通信系统。由于通信信息量已经扩大，因此，使用的频段已经从微波频段延伸到毫米波频段。即使是在毫米波频段中，已经公知的由柱形电介质形成的TE01δ模介质谐振器也能够同样地应用在微波频段。由于一般TE01δ模介质谐振器的频率是由其柱形电介质的外部尺寸决定的，因此，需要精细的加工精度。当介质滤波器是在金属外壳内以规定的间隔形成多个TE01δ模介质谐振器而制成时，由于介质谐振器与输入和输出装置(如金属环)之间的耦合，或者一个介质谐振器与另一个介质谐振器之间的耦合是由它们之间的距离确定的，因此，要求其配置具有很高的精度。
本发明的申请人用申请号为No.7-62625的日本专利提出了一种能够解决这些问题的具有精细的加工精度的介质谐振器和介质滤波器。
图5是上述申请的介质滤波器的部件分解透视图。
如图5所示，介质滤波器包括介质基片102和导电板103a和103b。
介质基片102具有一定的相对介电常数。在其两个主表面上形成带有两个圆形开孔的导体102a和102b，两个表面上的两个开孔是相互对置的。
在靠近介质基片102的导体102a的表面(图5中的顶面)上，形成一个输入共面线104a和一个输出共面线104b，它们紧靠两个开孔。
导电板103a和103b紧紧地将介质基片102夹在中间，从接近开孔的介质基片102提供间隙。输入共面线104a和输出共面线104b从导电板103a和103b伸出。导电板103a上形成有凹槽，使导电板不与输入共面线104a和输出共面线104b连接。导电板103a与介质基片102的导体102a电连接，导电板103b与介质基片102的导体103b电连接。
采用这种结构，电磁能量被陷获(trapping)在介质基片102中靠近相对置导体102a和102b开孔所夹的部分中，形成两个谐振区。每一个谐振区起一个独立谐振器的作用，相邻的谐振器耦合，形成一个具有两级谐振器的滤波器。
如上所述，由于谐振区是由导体的开孔尺寸限定的，在制造时可以采用刻蚀及其它方法，能够产生满足相对于频率的谐振器尺寸的所需精度的具有极高准确度的介质谐振器。能够以高的位置精度设置一个介质谐振器的输入和输出装置，或者设置一个介质谐振器与另一个谐振器，以获得所需的耦合强度。
在介质滤波器101中，由于由相对置的导体102a和102b开孔所夹的介质基片102形成的谐振器具有高的电磁能量陷获能力，当由共面线104a和104b形成输入和输出装置时，谐振器与输入和输出装置之间的耦合是弱的，通过将导体102a和102b开孔到共面线104a和104b的距离尽可能地缩短，能够强化其耦合。
压控振荡器作为采用介质谐振器的装置，也已经为人们所熟知。图6示出一种压控振荡器。
如图6所示，压控振荡器111采用柱形的TE01δ模介质谐振器112。
TE01δ模介质谐振器112是通过介电常数较低的支座112a在印刷电路板13上形式的。在印刷电路板113的下表面上，形成接地电极(未示出)。用上部金属外壳130和下部金属外壳131覆盖印刷电路板113。
在印刷电路板113上，形成一个起主线作用的微带线114和起副线作用的微带线115，从而使TE01δ模介质谐振器112沿图中的垂直方向上与它们重叠。
微带线114一端通过片状电阻器116连接到接地电极117，另一端连接到场效应晶体管118的栅极微带线115一端通过变容二极管119连接到接地电极117，另一端起开路端的作用。
场效应晶体管118的漏极通过微带线121连接到输入电极122，源极连接到微带线123的一端。
输入电极122连接到片状电容器120，与微带线121平行。
微带线121在与场效应晶体管118漏极的连接点连接到匹配短截线(stub)124。
微带线123的另一端通过片状电阻器125连接到接地电极117。在中部形成微带线123，与微带线126相平行并相隔一定距离，从而使它们实现电磁耦合。
微带线126通过片状电阻器127连接到输出电极128。
输出电极128连接到与片状电阻器127平行的片状电容器129。
采用以上结构，变容二极管119根据外加电压改变其电容，因此，改变TE01δ模介质谐振器112的谐振频率，并改变振荡频率。
如上所述，在图5所示的介质滤波器101中，由于共面线104a和104b与由导体102a和102b开孔所形成的谐振器之间的耦合是弱的，因此通过使导体102a和102b开孔到共面线104a和104b的距离尽可能缩短，可以增强谐振器与输入和输出装置之间的耦合。如果导体102a和102b开孔与靠近共面线路104a和104b的介质基片的暴露部分相连，那么，将搅乱谐振器的电磁场，而滤波特性可能变化。因此，要限制导体102a和102b开孔与共面线104a和104b之间的距离。
输入和输出共面线104a和104b是在基底102的一个主表面上形成的。由于基底的长度沿排列谐振器的方向延伸，介质滤波器101也变长。因此，诸如共面线104a和104b的输入和输出装置的空间使介质滤波器做不成紧凑。
在图6所示的压控振荡器111中，TE01δ模介质谐振器112与用作主线的微带线114之间的耦合强度以及谐振器与用作副线的微带线115之间的耦合强度是由TE01δ模介质谐振器112与微带线114之间的相对距离以及谐振器与微带线115之间的相对距离所决定的。因此，TE01δ模介质谐振器、微带线114和微带线115都需要以高精度来设置。
由于TE01δ模介质谐振器112的电磁场围绕TE01δ模介质谐振器延伸得较远，它可以与微带线114和115以外的微带线，如微带线121和123耦合。这种不需要的耦合会使得压控振荡器111的振荡频率不稳定。通常，为了抑制这种耦合所引起的问题，这样设计图形，使不与TE01δ模介质谐振器112发生耦合的微带线121和123设置得尽可能远离TE01δ模介质谐振器112。
然而，将微带线尽可能设置在远离TE01δ模介质谐振器112的地方，这就意味着印刷电路板113变大，结果，压控振荡器111本身也就变大。
此外，由于图形是在微带线121和123尽可能在远离TE01δ模介质谐振器112的地方形成，使之不与TE01δ模介质谐振器112耦合的条件下设计的，该图形设计的自由度较低。
TE01δ模介质谐振器112设置在印刷电路板113上，而印刷电路板113被上部金属外壳130所覆盖，从而陷获TE01δ模介质谐振器112的电磁场。由于上部金属外壳的高度需要比TE01δ模介质谐振器112的高度大，因此压控振荡器的高度也就变大。
为了解决这些问题，产生了本发明。于是，本发明的目的是提供一种整体结构紧凑的、易于获得高的位置精度的、输入和输入装置以及传输线能够与介质谐振器强耦合的、图形设计自由度高的介质谐振器装置以及采用该介质谐振器的高频组件。
在本发明的一个方面，通过提供这样的介质谐振器装置，可实现以上目的，该谐振器装置包括介质基片；在该介质基片的一个主表面上形成的第一导体；在该介质基片的另一个主表面上形成的第二导体；在第一导体中形成的第一开孔，从而该开孔使介质基片通过第一导体而露出；在第二导体中形成的第二开孔，从而该开孔使介质基片通过第二导体而露出并与第一开孔相对置，介质基片被夹在其间；与第一导体隔开一个间隙设置的第一导电板，从而至少覆盖第一开孔；与第二导体隔开一个间隙设置的第二导电板，从而至少覆盖第二开孔；在第一导体和第二导体中至少一个上形成的绝缘件；以及在该绝缘件上形成的一个电极。
由于电极是通过介质基片上的绝缘件在导体上形成的，因此能够固定谐振器与电极间的距离。
在介质谐振器装置中，绝缘件可以由一层薄膜形成。
通过用薄膜形成绝缘件，能够以高精度确定谐振器与电极之间的位置关系。
在介质谐振器装置中，可以这样形成电极，从而它与第一开孔和第二开孔中至少一个开孔相重叠。
由于电极通过谐振器上的绝缘件形成的，谐振器是由在第一导体上形成的第一开孔与第二导体上的第二开孔之间的介质基片形成的，因此能够增大谐振器与电极之间的耦合。
在介质谐振器装置中，绝缘件可以由介电常数比介质基片的介电常数小的材料制备。
由于绝缘件是由介电常数比介质基片介电常数小的材料制备的，因此，可以避免在介质基片上形成的导体与绝缘件上的电极之间产生附加的寄生电容。
介质谐振器装置是这样构造的，从而第二导电板包括第一陶瓷基片，其中形成一个外部端子，在不同于该外部端子的位置上形成一个凹入部分，在该凹入部分的底部形成一个导电层；第二陶瓷基片，该基片有一个比第一陶瓷基片凹入部分大的孔，并层叠在第一陶瓷基片上，从而由该孔露出第一陶瓷基片的外部端子和凹入部分；由第一陶瓷基片的凹入部分和第二陶瓷基片的孔所形成的一个容纳部分，把介质基片容纳在该容纳部分中，把形成有引线电极的表面朝下放置，从而使一部分引线电极直接连接到外部端子。
带有外部端子的陶瓷封装用作第二导体板。由于在绝缘基片上形成的一部分引线电极直接连接到陶瓷封装的外部端子上，不需连接导线和其它元件，从而能够消除高频下的不要的电感。
在本发明的另一个方面，通过提供一个高频组件实现上述目的，该高频组件包括介质基片；在该介质基片的一个主表面上形成的第一导体；在该介质基片的另一个主表面上形成的第二导体；在第一导体中形成的第一开孔；在第二导体中形成的与第一开孔相对置的第二开孔，介质基片被夹在其当中；与第一导体隔开一个间隙设置第一导电板，从而至少覆盖第一开孔；与第二导体隔开一个间隙设置的第二导电板，从而至少覆盖第二开孔；在第一导体和第二导体中至少一个导体上形成的绝缘件；在该绝缘件上形成的一个引线电极；以及设置在并连接到引线电极上的电子元件。
由于用作谐振器的介质基片被用于作引线基片，并且将其引线电极连接到电子元件，因此能够集成为一个高频组件。
在高频组件中，绝缘件可以由一层薄膜形成。
由于绝缘件是由薄膜形成的，因此能够以高精度确定谐振器与电极之间的位置关系。
在高频组件中，电极是可以这样形成，从而它与第一开孔和第二开孔中的至少一个开孔相重叠。
由于电极是通过谐振器上的绝缘件形成的，谐振器是由位于第一导体上形成的第一开孔与第二导体上的开孔之间的介质基片形成的，因此能够增强谐振器与电极之间的耦合。
在高频组件中，绝缘件可以由介电常数比介质基片的介电常数小的材料制备。
由于绝缘件是由介电常数比介质基片介电常数小的材料制备的，因此，可以避免在介质基片上形成的导体与绝缘件上的电极之间产生附加的寄生电容。
高频组件是这样构造的，从而第二导电板包括第一陶瓷基片，其中形成一个外部端子，在不同于该外部端子的位置上形成一个凹入部分，最低限度在该凹入部分的底部形成一个导电层；第二陶瓷基片，该基片有一个比第一陶瓷基片凹入部分大的孔，并层叠在第一陶瓷基片上，从而由该孔出第一陶瓷基片的外部端子和凹入部分；由第一陶瓷基片的凹入部分和第二陶瓷基片的孔所形成的一个容纳部分，把介质基片容纳在该容纳部分中，把形成有引线电极的表面朝下放置，从而使一部分引线电极直接连接到外部端子。
带有外部端子的陶瓷封装用作第二导体板。由于在绝缘基片上形成的一部分引线电极直接连接到陶瓷封装的外部端子，不需连接导线和其它部件，从而能够消除高频下的不要的电感。
如上所述，在本发明中，由于是在其中形成有谐振器的介质基片上的绝缘件上设置电极的，因此能够固定谐振器与电极间的距离，并能够获得以高精度确定谐振器与电极间位置关系的介质谐振器装置。
利用绝缘件上形成的电极作为引线图形，能够使介质谐振器装置集成化。因此，能够使诸如收发组件之类的高频组件结构紧凑。
图1是本发明实施例1的介质滤波器的部件分解透视图。
图2是对实施例1改进的介质滤波器的部件分解透视图。
图3是本发明实施例2的压控振荡器的部件分解透视图。
图4是实施例3收发组件的部件分解透视图。
图5是本发明申请人以前提出的介质滤波器的部件分解透视图。
图6是利用传统的介质谐振器的压控振荡器的部件分解透视图。
图7是介质双工器的部件分解透视图。
图8是另一种类型的介质双工器的部件分解透视图。
以下将参照附图介绍本发明的实施例。
图1是本发明实施例1的介质滤波器的部件分解透视图。
如图1所示，介质滤波器1包括一个介质基片2和导电板3a和3b。
介质基片2具有一定的相对介电常数。这样在其两个主表面上设置带有两个圆形开孔的导体2a和2b，从而在两个主表面上的开孔相互间对置。根据规定的频率，设定介质基片2上导体2a和2b中开孔的尺寸。
在介质基片2的导体2a上，用薄膜形成技术形成绝缘件2c。绝缘件2c是由介电常数低的材料(如聚四氟乙烯)制成的。在绝缘件2c上，形成输入电极4a和输出电极4b。
配置并固定导电板3a和3b，从而它们用在包括开孔的部分处提供的间隙将介质基片夹在中间。输入电极4a和输出电极4b与导电板3a和3b是绝缘的，但是在导电板下方。
采用这一结构，由于开孔和其间所夹的介质基片用作谐振器，因此获得具有两级谐振器的介质滤波器1。由于在本实施例的结构中把输入和输出电极配置在比传统结构更靠近开孔的地方，因此可获得更强的输入和输出耦合。由于绝缘件2c是由薄膜形成的，因此其厚度易于控制，并且能够以高精度设定输入和输出电极到谐振器的距离。由于与介电常数较高的介质基片相比，绝缘件是由介电常数较低的聚四氟乙烯之类的材料制成的，因此能够避免由导体与输入和输出电极之间不需要的耦合所引起的特性的退化。
已经参考图1描述了具有两级谐振器的介质滤波器。但是，本发明并不限于这一滤波器。本发明也可以应用于具有一级谐振器、三级谐振器或更多级谐振器的介质滤波器。
在图1中，绝缘件2c仅仅在介质基片2的导体2a上形成。但本发明并不限于这一结构。如图2所示，例如，绝缘件2d可以在介质基片2的导体2b上形成。
图2是介质滤波器11的部件分解透视图，其中，在介质基片2的导体2a和导体2b上形成绝缘件2c和2d。与图1中相同的符号指的是与图1中相同的部分，因此省略详细介绍。
如图2所示，介质滤波器11与图1中所示的滤波器的差别在于，形成了绝缘件2d和在绝缘件2c上形成了调节耦合的电极4c。
导体2a和2b在介质基片2的两个主表面上形成，从而使两个主表面上的开孔相互对置。根据规定的频率，设定介质基片2上导体2a和2b的开孔的尺寸。
绝缘件2c在介质基片2的导体2a上形成，输入电极4a在绝缘件2c上形成。绝缘件2d在介质基片2的导体2b上形成，输出电极4b在绝缘件2d上形成的。
在绝缘件2c上这样形成耦合电极4c，从而它与导体2a的两个开孔相重叠。
由于输入电极4a和输出电极4b是在介质基片2的不同表面上形成的，可以避免输入和输出电极4a和4b电磁耦合。通过所形成的耦合电极4c可以增强两个谐振器之间的耦合。调节耦合电极4c的尺寸，可以将谐振器之间的耦合设定在任何强度上。
图3是本发明实施例2压控振荡器的部件分解透视图。
如图3所示，压控振荡器21是由介质基片22和陶瓷封装23组成的。
在具有一定介电常数的介质基片22的两个主表面上，形成电极22a和22b，每个电极有一个圆形开孔，从而在两个主表面上的开孔相互对置。
根据规定的频率，设定介质基片22的导体22a和22b开孔的尺寸。在介质基片22的导体22a上形成介电常数低的绝缘件22c，如聚四氟乙烯。
在绝缘件22c上形成用作主线的微带线24和用作副线的微带线25，它们沿图的垂直方向与导体22a的开孔重叠。
构成主线的微带线24与导体22a和22b的开孔和夹在介质基片中的部分所形成的谐振区电磁耦合，形成一个反馈电路。
微带线25的一端通过变容二极管29连接到接地电极27，而另一端用作开路端。在微带线25至变容二极管29的连接端，并联一个电感器30。电感器30通过电阻器薄膜31连接到偏置电极32，用于施加偏压。偏置电极32通过电阻器薄膜33连接到接地电极27。
构成副线的微带线25和变容二极管29形成一个可改变振荡频率的电路。
场效应晶体管28的漏极通过微带线34连接到输入电极35a，源极连接到微带线36的一端。输入电极35a通过片状电容器40与微带线34平行地连接到接地电极27。
微带线34连接到靠近场效应晶体管38漏极连接点的匹配短截线37。
微带线36的另一端在与场效应晶体管28源极的连接点处通过电阻器薄膜38连接到接地电极27。在中间，与微带线39平行，形成微带线36，其间有一定的间隙，从而它们电磁耦合。
微带线39连接到输出电极35b。
陶瓷封装23由第一陶瓷基片23a和第二陶瓷基片23b组成。
第一陶瓷基片23a有一个凹入部分23c，在凹槽23c周围形成外部端子23d。在凹入部分23c的底部形成导体23e。
第二陶瓷基片23b上有一个比第一陶瓷基底23a凹入部分23c大的孔23f，通过孔23f露出第一陶瓷基片23a的凹入部分23c和外部端子23d。
把介质基片22容纳在孔23f中，把绝缘层22c朝下放置，从而使输入和输出电极、偏置电极以及接地电极连接到外部端子23d。然后，用金属板(未示出)密封介质基片22。
采用以上的结构，变容二极管29根据外加电压改变其电容，因此，可以改变由导体22a和22b的开孔以及置于它们之间的介质基片22形成的谐振器的谐振频率。
如上所述，由于本实施例结构中的谐振器比传统结构中的谐振器薄得多，因此，与传统结构相比，本压控振荡器的高度也减小。由于能够在比传统结构中更靠近用作主线的微带线24和用作副线的微带线25的地方形成谐振器，因此，可以获得更强的输入与输出耦合。由于绝缘件22c由薄膜形成，因此很容易控制其厚度以及以高精度确定微带线至谐振器的距离。由于与具有高介电常数的介质基片相比，绝缘件是由诸如聚四氟乙烯之类低介电常数的材料制备的，因此能够避免导体与输入和输出电极间不需要的耦合而引起的性能退化。由于本发明的谐振器的能量陷获能力比传统的TE01δ模介质谐振器更好，因此谐振器的电磁场不会产生与用作主线的微带线24和用作副线的微带线25以外的元件和传输线路的不需要的耦合。因此，图形的设计具有比传统设计更高的自由度。在本实施例中，由于输入和输出电极、偏置电极以及接地电极直接连接到陶瓷封装外壳的外部端子，不必焊接引线，因而能够消除高频下的不要的电感。
本实施例已经对压控振荡器作了描述。但本发明并不限于这种情况。本发明也能够应用于没有控制功能的通常的振荡器。
下面参照图4将介绍第三个实施例。图4是实施例3收发组件41的部件分解透视图。
如图4所示，收发组件41是由介质基片42和导电板43a和43b形成的。
在具有一定介电常数的介质基片42的两个主表面上形成电极42a和42b，每个电极有9个圆形开孔，从而两个主表面上的这些开孔相互对置。这9对对置的开孔和夹在中间的介质基片42用作谐振器并用于双工器46、带通滤波器47和48、以及压控振荡器49。根据规定的频率设定介质基片42的导体42a和42b的开孔的尺寸。
在介质基片42的导体42a上，形成低介电常数的绝缘件42c，如聚四氟乙烯。
在绝缘件42c上，形成引线图形以连接到每个电路。
在导电板43a上形成缝隙天线43c。
缝隙天线43c与双工器46相连接。
双工器46利用上述9个谐振器中的4个。4个谐振器中的两个形成发射滤波器，另外两个形成接收滤波器。
双工器46的接收滤波器连接到低噪声放大器50，低噪声放大器50连接到带通滤波器47，带通滤波器47连接到混频器51。混频器51将来自带通滤波器47的接收信号与来自压控振荡器49的本振信号相混合，并通过带通滤波器52输出到接收端子53。
双工器46的发射滤波器连接到功率放大器54，功率放大器54连接到带通滤波器48，带通滤波器48连接到混频器55。混频器55将通过带通滤波器57来自发射端子56的发射信号输入与压控振荡器49的本振信号相混合，输入到带通滤波器48。
压控振荡器49连接到二极管58和59。二极管58连接到混频器51和55，而二极管59通过两个预分频比(pre-scaler)电路60和61连接到锁相环IC62。锁相环IC62通过低通滤波器63连接到压控振荡器49。
采用这一结构，能够将收发组件集成在一起，实现紧凑结构。
本发明不限于实施例1-3。它可以应用于采用谐振器的任何装置。
参考图7，将介绍本发明的实施例4。图7是本发明实施例4介质双工器的部件分解透视图。
如图7所示，介质双工器71包括介质基片72和导电板73a和73b。
介质基片72具有一定的相对介质常数。在介质基片的两个主表面上形成具有四个圆形开孔的导体72a和72b，使两个主表面上的开孔相互对置。根据规定的频率，设定介质基片72上导体72a和72b的开孔的尺寸。
采用这一结构，由于导体72a和72b的开孔与夹在当中的介质基片产生谐振，于是形成四个谐振区。在这四个谐振区中，两个谐振区组成一个第一谐振组75，作为发射滤波器。其余两个谐振区组成一个第二谐振组76，作为接收滤波器。
在介质基片72的导体72a上通过薄膜形成技术形成绝缘件72c。绝缘件72c是由介质常数低的材料，如聚四氟乙烯制成的。在绝缘件72c上形成输入电极74a、输出电极74b和天线电极74c。
输入电极74a与第一谐振组75电磁耦合，作为发射滤波器的输入电极。天线电极74c与第一谐振组75电磁耦合，作为发射滤波器的输出电极。天线电极75c也与第二谐振组76电磁耦合，作为接收滤波器的输入电极。输出电极74b与第二谐振组76电磁耦合，作为接收滤波器的输出电极。
导电板73a和73b是这样配置和固定的，它们用在包含开孔的部分处提供的间隙将介质基片72夹在中间。输入电极74a、输出电极74b和天线电极74c与导电板73a和73b绝缘，但是被引入在它们之间。
采用这一结构，能够获得由包含两级谐振区的发射滤波器和包含两级谐振区的接收滤波器形成的介质双工器。由于在本实施例的结构中，设置的输入和输出电极传统结构更靠近开孔，因此，能够获得更强的输入与输出的耦合。由于绝缘件72c是由薄膜形成的，易于控制其厚度，能够高精度地设定输入和输出电极到谐振区的距离。因此，能够高精度地设定发射滤波器和接收滤波器之间的距离，以及能够避免它们之间的不要的耦合。
由于绝缘件是由聚四氟乙烯这类介质常数比介质基片介质常数低的材料制成的，能够防止导体与输入和输出电极之间不要的耦合引起的性能退化。
参照图8，以下将介绍实施例4的改进。改进例的介质双工器81与图7所示的介质双工器71是不同的，作为发射滤波器的第一谐振组85的形状与作为介绍滤波器的第二谐振组86的形状是不同的。
换句话说，形成第一谐振组的两个谐振区每个区的尺寸设定为大于形成第二谐振组的三个谐振区每个区的尺寸。
由于作为发射滤波器的第一谐振组85的形状不同于作为接收滤波器的第二谐振组86的形状，因此，发射滤波器和接收滤波器的带宽是不同的。
在本改进例中，作为发射滤波器的第一谐振组的尺寸设定为大于作为接收滤波器的第二谐振组的尺寸。本发明并不限于这一尺寸关系。第一谐振组的尺寸可以设定为小于第二谐振组的尺寸。
在本改进例中，由于设定第一谐振组的尺寸与第二谐振组的尺寸是不同的，因此，发射滤波器和接收滤波器的带宽是不同的。本发明不限于这一方法。例如，可以这样形成介质双工器，将第一谐振组的开孔的形状设定为长方形，将第二谐振组的开孔的形状设定为圆形，因而发射滤波器和接收滤波器的带宽是不同的。
权利要求
1.一种介质谐振器，其特征在于包括介质基片；在所述介质基片的一个主表面上形成的第一导体；在所述介质基片的另一个主表面上形成的第二导体；在所述第一导体中形成的第一开孔，从而使所述介质基片通过所述第一导体露出；在所述第二导体中形成的第二开孔，从而使所述介质基片通过所述第二导体露出；与所述第一导体相隔一间隙设置的第一导电板，以便至少覆盖所述的第一开孔；与所述第二导体相隔一间隙设置的第二导电板，以便至少覆盖所述的第二开孔；在所述第一导体和所述第二导体中的至少一个导体上形成的绝缘件；以及在所述绝缘件上形成的一个电极。
2.如权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于所述的绝缘件是一种薄膜。
3.如权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于所述的电极是这样形成的，从而与所述第一开孔和所述第二开孔中的至少一个开孔相重叠。
4.如权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于所述的绝缘件是由介电常数比所述介质基片的介电常数低的材料制成的。
5.如权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于所述的第二导电板包括第一陶瓷基片，其中形成一个外部端子，在不同于所述外部端子的位置上形成一个凹入部分，最低限度在所述凹入部分的底部形成一个导电层；第二陶瓷基片，该基片有一个比所述第一陶瓷基片凹入部分大的孔，并层叠在所述第一陶瓷基片上，从而通过所述的孔露出所述第一陶瓷基片的外部端子和凹入部分；由所述第一陶瓷基片的凹入部分和所述第二陶瓷基片的孔所形成的容纳部分，把所述的介质基片容纳在当中，把在其上形成有所述引线电极的表面朝下放置，从而使一部分所述引线电极直接连接到所述的外部端子。
6.一种高频组件，其特征在于包括介质基片；在所述介质基片的一个主表面上形成的第一导体；在所述介质基片的另一个主表面上形成的第二导体；在所述第一导体中形成的第一开孔；在所述第二导体中形成的第二开孔；与所述第一导体相隔一间隙设置的第一导电板，以便至少覆盖所述的第一开孔；与所述第二导体相隔一间隙设置的第二导电板，以便至少覆盖所述的第二开孔；在所述第一导体和所述第二导体中的至少一个导体上形成的绝缘件；在所述绝缘件上形成的一个引线电极，以及在所述介质基片上设置并与连接到所述引线电极的电子元件。
7.如权利要求6所述的高频组件，其特征在于所述的绝缘件是一种薄膜。
8.如权利要求6所述的高频组件，其特征在于所述的引线电极是这样形成的，它与所述第一开孔和所述第二开孔中的至少一个开孔相重叠。
9.如权利要求6所述的高频组件，其特征在于所述的绝缘件是由介电常数比所述介质基片的介电常数低的材料制成的。
10.如权利要求6所述的高频组件，其特征在于所述的第二导电板包括第一陶瓷基片，其中形成一个外部端子，在不同于所述外部端子的位置上形成一个凹入部分，最低限度在所述凹入部分的底部形成一个导电层；第二陶瓷基片，该基片有一个比所述第一陶瓷基底凹入部分大的孔，并层叠加在所述第一陶瓷基片上，通过所述的孔露出所述第一陶瓷基片的外部端子和凹入部分；由所述第一陶瓷基片的凹入部分和所述第二陶瓷基片的孔所形成的容纳部分，把所述的介质基片容纳在当中，把在其上形成有所述引线电极的表面朝下放置，从而使一部分所述引线电极直接连接到所述的外部端子。
11.一种介质滤波器，其特征在于包括介质基片；在所述介质基片的一个主表面上形成的第一导体；在所述介质基片的另一个主表面上形成的第二导体；在所述第一导体中形成的第一开孔；在所述第二导体中形成的第二开孔；与所述第一导体相隔一间隙设置的第一导电板，以便至少覆盖所述的第一开孔；与所述第二导体相隔一间隙设置的第二导电板，以便至少覆盖所述的第二开孔；由所述第一开孔和所述第二开孔确定的谐振区；在所述第一导体和所述第二导体中的至少一个导体上形成的绝缘件；以及在所述绝缘件上形成的与所述谐振区电磁耦合的输入和输出电极。
12.如权利要求11所述的介质滤波器，其特征在于所述的绝缘件是一种薄膜。
13.如权利要求11所述的介质滤波器，其特征在于所述的输入和输出电极是这样形成的，从而与所述第一开孔和所述第二开孔中的至少一个开孔相重叠。
14.如权利要求11所述的介质滤波器，其特征在于所述的绝缘件是由介电常数比所述介质基片的介电常数低的材料制成的。
15.如权利要求11所述的介质滤波器，其特征在于所述的第二导电板包括第一陶瓷基片，其中形成一个外部端子，在不同于所述外部端子的位置上形成一个凹入部分，最低限度在所述凹入部分的底部形成一个导电层；第二陶瓷基片，该基片有一个比所述第一陶瓷基片凹入部分大的孔，并层叠在所述第一陶瓷基片上，从而通过所述的孔露出所述第一陶瓷基片的外部端子和凹入部分；由所述第一陶瓷基片的凹入部分和所述第二陶瓷基片的孔所形成的容纳部分，把所述的介质基片容纳在当中，把在其上形成所述输入和输出电极的表面朝下放置，从而使一部分所述输入和输出电极直接连接到所述的外部端子。
16.如权利要求11所述的介质滤波器，其特征在于所述第一开孔和所述第二开孔是在多个位置上形成的，因此由所述第一开孔和所述第二开孔确定的谐振区是在多个位置上形成的。
17.如权利要求11所述的介质滤波器，其特征在于进一步包括在所述绝缘件上形成的用作多个谐振区之间电磁耦合的耦合电极。
18.一种介质双工器，其特征在于包括介质基片；在所述介质基片的一个主表面上形成的第一导体；在所述介质基片的另一个主表面上形成的第二导体；在所述第一导体中形成的多个第一开孔；在所述第二导体中形成的多个第二开孔；与所述第一导体相隔一间隙设置的第一导电板，以便至少覆盖所述的多个第一开孔；与所述第二导体相隔一间隙设置的第二导电板，以便至少覆盖所述的多个第二开孔；由所述多个第一开孔和所述多个第二开孔确定的多个谐振区；由所述多个谐振区中第一谐振组形成的第一滤波器；由所述多个谐振区中不同于所述第一谐振组的第二谐振组形成的第二滤波器；在所述第一导体和所述第二导体中的至少一个导体上形成的绝缘件；在所述绝缘件上形成的所述第一滤波器的输入电极；在所述绝缘件上形成的所述第二滤波器的输出电极；以及在所述绝缘件上形成的既作为所述第一滤波器的输出电极又作为所述第二滤波器的输入电极的天线电极。
19.如权利要求18所述的介质双工器，其特征在于所述的绝缘件是一种薄膜。
20.如权利要求18所述的介质双工器，其特征在于所述的输入、所述的输出电极、以及所述的天线电极是这样形成的，从而与所述多个第一开孔和所述多个第二开孔中的至少一个开孔相重叠。
21.如权利要求18所述的介质双工器，其特征在于所述的绝缘件是由介电常数比所述介质基片的介电常数低的材料制成的。
22.如权利要求18所述的介质双工器，其特征在于所述的第二导电板包括第一陶瓷基片，其中形成一个外部端子，在不同于所述外部端子的位置上形成一个凹入部分，最低限度在所述凹入部分的底部形成一个导电层；第二陶瓷基片，该基片有一个比所述第一陶瓷基片凹入部分大的孔，并层叠在所述第一陶瓷基片上，从而通过所述的孔露出所述第一陶瓷基片的外部端子和凹入部分；由所述第一陶瓷基片的凹入部分和所述第二陶瓷基片的孔所形成的容纳部分，把所述的介质基片容纳在当中，把在其上形成所述输入电极、所述输出电极以及所述天线电极的表面朝下放置，从而使一部分所述输入电极、所述输出电极以及所述天线电极直接连接到所述的外部端子。
23.如权利要求11所述的介质双工器，其特征在于构成所述第一谐振组的多个所述第一开孔和多个所述第二开孔的形状与构成所述第二谐振组的多个所述第一开孔和多个所述第二开孔的形状是不同的。
24.一种振荡器，其特征在于包括介质基片；在所述介质基片的一个主表面上形成的第一导体；在所述介质基片的另一个主表面上形成的第二导体；在所述第一导体中形成的第一开孔；在所述第二导体中形成的第二开孔；与所述第一导体相隔一间隙设置的第一导电板，以便至少覆盖所述的第一开孔；与所述第二导体相隔一间隙设置的第二导电板，以便至少覆盖所述的第二开孔；由所述第一开孔和所述第二开孔确定的谐振区；在所述第一导体和所述第二导体中的至少一个导体上形成的绝缘件；在所述绝缘件上形成的与所述谐振区电磁耦合的的主线，构成反馈电路；以及连接到所述反馈电路的负电阻电路。
25.如权利要求18所述的振荡器，其特征在于所述的绝缘件是一种薄膜。
26.如权利要求18所述的振荡器，其特征在于所述的主线是这样形成的，从而与所述多个第一开孔和所述多个第二开孔中的至少一个开孔相重叠。
27.如权利要求18所述的振荡器，其特征在于所述的绝缘件是由介电常数比所述介质基片的介电常数低的材料制成的。
28.如权利要求18所述的振荡器，其特征在于所述的第二导电板包括第一陶瓷基片，其中形成一个外部端子，在不同于所述外部端子的位置上形成一个凹入部分，最低限度在所述凹入部分的底部形成一个导电层；第二陶瓷基片，该基片有一个比所述第一陶瓷基片凹入部分大的孔，并层叠在所述第一陶瓷基片上，从而通过所述的孔露出所述第一陶瓷基片的外部端子和凹入部分；由所述第一陶瓷基片的凹入部分和所述第二陶瓷基片的孔所形成的容纳部分，把所述的介质基片容纳在当中，把在其上形成所述主线的表面朝下放置，从而使一部分所述主线直接连接到所述的外部端子。
29.如权利要求18所述的振荡器，其特征在于所述的反馈电路包括一个可改变振荡频率的电路。
30.如权利要求18所述的振荡器，其特征在于所述的可改变振荡频率的电路是由电压控制的。
全文摘要
在介质基片的两个主表面上设置有两个圆形开孔的导体,从而在两个主表面上开孔是相互对置的。在介质基片的一个导体上形成一个绝缘件。在该绝缘件上形成输入电极和输出电极。设置并固定导电板,从而它们以其间的间隙将介质基片夹在当中。
文档编号H01P1/203GK1192062SQ9712250
公开日1998年9月2日 申请日期1997年11月6日 优先权日1996年11月6日
发明者饭尾宪一, 坂本孝一, 山下贞夫, 平塚敏郎, 园田富哉, 三上重幸 申请人:株式会社村田制作所