于有机公共层对应于所述像素区域的至少一部分的厚度。总之，本发明的核心思想是增大有机公共层对应于像素定义层部分的电阻，以防止相邻像素区域间的电子/空穴的串扰，造成像素区域的亮暗无法控制。本发明抑制相邻像素区域间的电子/空穴的迀移能力的方法包括但不限于上述两种途径，也可以通过改变有机公共层的材料等方法实现，且这些方法都在本发明的保护思想之内。
[0035]此外，如图2a或如图2b所示，显示面板还可以包括设置在基板21和像素定义层22之间的薄膜晶体管膜层26和平坦化层27，且平坦化层27位于设置在基板21上的薄膜晶体管膜层26的上方。上述有机公共层25包括空穴传输层251和设置在空穴传输层251上的电子传输层252，其中，有机公共层25不仅设置在像素定义层22上并覆盖凹槽24，还设置在像素区域23中。另外，图2a所示的显示面板还包括设置在空穴传输层251和电子传输层252之间的有机发光层253，以及设置在电子传输层252上的阴极254。需要说明的是，在本发明实施例中，均以从基板21到像素定义层22的方向作为朝上的方向，相反的方向则作为朝下的方向，其中上方或者下方仅仅是对所处方位的描述，可以是指直接接触，也可以是指间接接触，对具体结构不构成限定。
[0036]根据以上的描述，本发明实施例提供的显示面板可以作为AMOLED显示面板。如图2a所示，通过在显示面板中的部分像素区域23间的像素定义层22或全部像素区域23间的像素定义层22中设置凹槽24，并且有机公共层25覆盖凹槽24，与传统技术中的像素区域间不设置凹槽相比，这样可以增加设置有凹槽24的像素区域23间的有机公共层25的长度，即可以增加设置有凹槽24的像素区域23间的空穴传输层251和电子传输层252的长度，并使得相应的像素区域23间的空穴传输层251和电子传输层252的电阻增大；当显示面板中部分像素区域23点亮时，由于相邻像素区域23间的电子传输层和空穴传输层的电阻增大，因此，可以减弱处于点亮状态的像素区域23和与其相邻的且不应该点亮的像素区域23间的电子/空穴的迀移能力，这样可以减弱甚至抑制点亮的像素区域23与不应该点亮的像素区域23之间产生的漏电流，从而可以使不应该点亮的像素区域保持黑态，进而可以使显不面板提尚显不画面的品质。
[0037]在图2a中，凹槽24的槽底设置在像素定义层22中，这仅是本发明实施例关于在像素定义层中设置凹槽的一个具体示例。在本发明的另一个具体示例中，如图3所示，凹槽24的槽底设置在像素定义层22和平坦化层27的接触处。与图2a所示的凹槽相比，图3所示的凹槽24的深度更深，相应地，设置有凹槽24的像素区域23间的有机公共层25的长度更长，因此，图3中相应的像素区域23间的有机公共层25的电阻要比图2a中相应的有机公共层25的电阻要大得多，从而图3中所示的显示面板可以更加有效地减弱甚至抑制点亮的像素区域23与不应该点亮的像素区域23之间产生的漏电流，使得不应该点亮的像素区域23更好地保持黑态，进而可以使显示面板更有效地提高显示画面的品质。
[0038]在本发明实施例中，由于在显示面板的像素定义层22下方设置有平坦化层27，且平坦化层27的作用是使位于平坦化层27下方的薄膜晶体管膜层26的表面平坦化，因此，在图2a或者图3所示的显示面板的基础上，为了进一步增加凹槽的深度，如图4所示，可选地，凹槽24可以穿过像素定义层22并延伸到平坦化层27中，且凹槽的槽底设置在平坦化层27中。由于图4所示的凹槽24的深度要大于图2a和图3所示的凹槽的深度，因此，图4中设置有凹槽24的像素区域23间的有机公共层25的电阻要比图2a和图3中相应的有机公共层25的电阻要大得多，从而可以进一步地减弱甚至抑制点亮的像素区域23与不应该点亮的像素区域23之间产生的漏电流，使得不应该点亮的像素区域23更好地保持黑态，进而可以使显不面板进一步地提尚显不画面的品质。
[0039]需要说明的是，关于在像素区域间的像素定义层中设置的凹槽的深度可以全部相同，也可以部分相同，也可以各不相同，具体可以根据实际需要或者实际制作的工艺条件进行选定，在此不作限定。
[0040]在图2a、图3和图4所示的显示面板中，有机公共层25覆盖了全部凹槽24，这样可以增加相应的像素区域23间的有机公共层25的长度，并导致相应的有机公共层25的电阻增大，从而可以实现减弱甚至抑制点亮的像素区域23与不应该点亮的像素区域23之间产生的漏电流。然而，这些仅是关于显示面板中的有机公共层和凹槽的位置关系的一些具体示例，在其他具体示例中，有机公共层也可以覆盖部分凹槽。如图5所示，有机公共层25覆盖了凹槽24的左侧侧壁和槽底，没有覆盖凹槽24的右侧侧壁，也就是说，设置有凹槽24的像素区域23间的有机公共层25是断开的，这样可以将相应的像素区域23间的有机公共层25的电阻看成无限大，从而可以抑制点亮的像素区域23与不应该点亮的像素区域23之间产生的漏电流，使得不应该点亮的像素区域23保持黑态，进而可以使显示面板显著地提尚显不画面的品质。
[0041]需要说明的是，在图5中，有机公共层25仅覆盖凹槽24的左侧侧壁和槽底，这仅是有机公共层覆盖部分凹槽的一个具体示例，在其他具体示例中，有机公共层也可以仅覆盖凹槽的右侧侧壁和槽底，或者仅覆盖凹槽的左侧侧壁，或者仅覆盖凹槽的右侧侧壁，或者仅覆盖凹槽的一侧(例如左侧或者右侧)的部分侧壁，或者仅覆盖凹槽的一侧侧壁、槽底和另一侧的部分侧壁等，只要覆盖凹槽的有机公共层能够使得相应的像素区域间的有机公共层断开并使得相应的有机公共层的电阻变得无限大即可，在此不作限定。
[0042]在上述各图中，相邻像素区域间的像素定义层中的凹槽的个数为一个，然而，相邻像素区域间的像素定义层中的凹槽的个数也可以为多个。如图6所示，在相邻像素区域23间的像素定义层22中，凹槽24的个数为两个，且凹槽24的槽底设置在像素定义层22中，并且有机公共层25覆盖全部凹槽24。与图2a所示的显示面板相比，在凹槽24的深度相同的情况下，图6所示的显示面板明显增大了设置有凹槽24的像素区域23间的有机公共层25的长度，从而可以明显增大相应的像素区域23间的有机公共层25的电阻，进而可以有效地减弱甚至抑制点亮的像素区域与不应该点亮的像素区域之间产生的漏电流，使得不应该点亮的像素区域更好地保持黑态。需要说明的是，相邻像素区域间的像素定义层中的凹槽的个数，可以根据实际需要或者工艺条件进行选定，在此不作限定。
[0043]在本发明实施例中，作为图2a中A区域的放大示意图，如图7所示，覆盖凹槽24的侧壁的空穴传输层251的厚度dll小于覆盖凹槽24的槽底的空穴传输层251的厚度dl2，以及覆盖凹槽24的侧壁的电子传输层252的厚度d21小于覆盖凹槽24的槽底的电子传输层252的厚度d22，也就是说，覆盖凹槽24的侧壁的有机公共层25的厚度d31小于覆盖凹槽24的槽底的有机公共层25的厚度d32。由于在相同长度情况下，具有厚度d31的有机公共层25的电阻要大于具有厚度d32的有机公共层25，因此，通过设置覆盖凹槽24的侧壁的有机公共层25的厚度d31小于覆盖凹槽24的槽底的有机公共层25的厚度d32，这样可以进一步增加像素区域23间的有机公共层25的电阻，从而可以进一步减弱甚至抑制点亮的像素区域与不应该点亮的像素区域之间产生的漏电流。
[0044]此外，在图3、图4和图6中，覆盖凹槽24的侧壁的有机公共层25的厚度也小于覆盖凹槽24的槽底的有机公共层25的厚度，具体的描述请参考关于图7的相关描述，在此不再赘述。
[0045]在本发明实施例中，可选地，凹槽24的深度D大于或等于2 μπι。可选地，凹槽24的深度D为大于2 μπι且小于6 μπι。本发明的技术人员通过实验发现深度大于2 μπι的凹槽24可以明显地增大相应的像素区域23间的空穴传输层251和电子传输层252的电阻，从而能够更好地减弱甚至抑制点亮的像素区域23与不应该点亮的像素区域23之间产生的漏电流。在现有工艺条件下，可以很容易得到深度为大于2 μ m且小于6 μ m的凹槽24，并可以根据所需增加的像素区域23间的空穴传输层251和电子传输层252的电阻大小或者所需减弱的漏电流的程度，对凹槽24的深度进行选定。需要说明的是，在工艺条件允许的情况下，根据实际需要，凹槽24的深度也可以大于且等于6 μπι，在此不作限定。
[0046]在本发明实施例中，显示面板中的每个像素区域可以为三基色像素区域中的一个，其中，三基色像素区域可以为红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，也可以为四基色像素区域中的一个，其中，四基色像素区域可以为红色像素区域、绿色像素区域、蓝色像素区域和白色像素区域，或者四基色像素区域也可以为红色像素区域、绿色像素区域、蓝色像素区域和黄色像素区域。在显示面板中，像素区域的排列方式可以采用矩阵排列或者交错排列，当然也可以采用其他的排列方式，在此不作限定。接下来就以像素区域采用三基色像素区域为例，对像素区域的排列方式和凹槽的设置情况进行说明，且相关说明也可以应用到像素区域采用四基色像素区域的情况。
[0047]图8a是本发明实施例提供的一种显示面板的局部俯视结构示意图。如图8a所示，显示面板中的像素区域23的排列方式采用矩阵排列，其中，R