氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、一种 包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板。
【背景技术】
[0002] 薄膜晶体管液晶显不器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称 TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地 位。
[0003] 近年来TFT-LCD获得了飞速的发展，尤其是液晶电视发展的更为迅速，其尺寸、和 分辨率不断地提高，大尺寸、高分辨率的液晶电视成为TFT-LCD发展的一个主流。随着液晶 显示器尺寸不断地增大，驱动电路的频率不断地提高，现有的非晶硅薄膜晶体管迀移率很 难满足，而金属氧化物薄膜晶体管迀移率高，均一性好，透明，制作工艺简单，可以更好地满 足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求，备受人们的关注。
[0004] 如图1所示的现有的氧化物薄膜晶体管的结构示意图，保护层9覆盖源极6、漏极 7以及有源层4的位于源极6和漏极7之间的部分，由于氮化硅会使得薄膜晶体管变成导 体，因此保护层9需要使用氧化硅。但是在形成氧化硅时，源极6、漏极7会暴漏在氧离子中 而被氧化，甚至发生脱落，且影响薄膜晶体管的稳定性。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、一种包括氧化物薄 膜晶体管的阵列基板，以防止氧化物薄膜晶体管发生的源极、漏极发生氧化。
[0006] 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管，包括：有源层；设置在所述有源层上方的源 极和漏极以及设置在所述源极和漏极上方的保护层，所述保护层覆盖所述源极、所述漏极 和所述有源层上位于所述源极和所述漏极之间的部分，其中，所述源极和漏极的表面与所 述保护层之间设置有防氧化层，所述防氧化层用于防止用于形成所述保护层的等离子体与 所述源极和漏极接触。
[0007] 优选地，所述保护层的材料包括氧化物，所述防氧化层的材料包括硅的氮化物。
[0008] 优选地，所述防氧化层的厚度在200~2000A之间。
[0009] 优选地，所述氧化物薄膜晶体管还包括设置在所述源极和漏极与所述有源层之间 的能够导电的阻挡层，所述阻挡层的材料的活泼性小于所述源极和漏极的材料的活泼性。
[0010] 优选地，所述阻挡层的材料包括钼、钛、钨、钼合金或钛合金中的任意一者。
[0011] 优选地，所述源极和漏极的材料包括铜。
[0012] 相应地，本发明还提供一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：
[0013] 形成包括有源层的图形；
[0014] 在所述有源层上方形成包括源极和漏极的图形；
[0015] 在所述源极和漏极的表面上形成防氧化层；
[0016] 利用化学气相沉积在所述防氧化层上方形成保护层，所述防氧化层用于防止用于 形成所述保护层的等离子体与所述源极和漏极接触。
[0017] 优选地，所述保护层的材料包括氧化物，所述防氧化层的材料包括硅的氮化物。
[0018] 优选地，在所述有源层上方形成包括源极和漏极的图形的步骤之前还包括：
[0019] 在所述有源层上方形成包括能够导电的阻挡层的图形，所述阻挡层的材料的活泼 性小于所述源极和漏极的材料的活泼性。
[0020] 优选地，在所述有源层上方形成包括阻挡层的图形的步骤、在所述有源层上方形 成包括源极和漏极的图形的步骤以及在所述源极和漏极的表面形成防氧化层的步骤同步 进行，同步形成的步骤包括：
[0021] 在所述有源层上方依次形成阻挡材料层、源漏材料层、防氧化材料层和光刻胶 层；
[0022] 利用掩膜板进行对光刻胶层进行曝光并显影，其中，所述掩膜板为半色调掩膜板 或灰色调掩膜板，所述掩膜板的不透光区域对应于源极和漏极，所述掩膜板的半透光区域 对应于源极和漏极之间的中间区域，所述掩膜板的透光区域对应于所述源极、所述漏极和 所述中间区域以外的区域，使得显影后半透光区域对应光刻胶层的厚度小于不透光区域对 应的光刻胶层的厚度，透光区域对应的光刻胶被去除；
[0023] 进行第一次刻蚀，以刻蚀掉所述掩膜板的不透光区域所对应区域的阻挡材料层、 源漏材料层和防氧化材料层；
[0024] 对光刻胶层进行灰化，去除所述中间区域的光刻胶；
[0025] 进行第二次刻蚀，以刻蚀掉所述中间区域的阻挡材料层、源漏材料层和防氧化材 料层，形成包括源极、漏极的图形和包括阻挡层的图形以及包括防氧化层的图形。
[0026] 优选地，所述阻挡层的材料包括钼、钛、钨、钼合金或钛合金中的任意一者。
[0027] 优选地，所述源极和漏极的材料包括铜。
[0028] 优选地，在所述防氧化层上方形成保护层的步骤之前还包括：通入能够产生氧等 离子的气体，以对所述有源层上位于源极和漏极之间的部分进行渗氧处理。
[0029] 优选地，所述能够产生氧等离子的气体包括等离子化的氧气或笑气。
[0030] 相应地，本发明还提供一种阵列基板，该阵列基板包括本发明提供的上述氧化物 薄膜晶体管。
[0031] 在本发明中，由于氧化物薄膜晶体管中源极和漏极上方设置有防氧化层，因此在 形成氧化物的保护层时，源极和漏极在防氧化层的间隔下不会与等离子体发生接触，从而 避免了源极和漏极被氧化的现象的发生，提高了氧化物薄膜晶体管的良率。
【附图说明】
[0032] 附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具 体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
[0033] 图1是现有技术中的氧化物薄膜晶体管的结构示意图；
[0034] 图2是本发明的实施方式所提供的氧化物薄膜晶体管的结构示意图；
[0035] 图3是本发明中制作氧化物薄膜晶体管时形成栅极的示意图；
[0036] 图4是在栅极上形成栅极绝缘层的示意图；
[0037] 图5是形成有源层后的示意图；
[0038] 图6是形成阻挡材料层、源漏材料层、防氧化材料层和光刻胶层后的示意图；
[0039] 图7是对光刻胶进行曝光显影后的示意图；
[0040] 图8是对阻挡材料层、源漏材料层、防氧化材料层进行第一次刻蚀后的示意图；
[0041] 图9是对光刻胶层进行灰化后的示意图；
[0042] 图10是对阻挡材料层、源漏材料层、防氧化材料层进行第二次刻蚀后的示意图；
[0043] 图11是在保护层上形成过孔后的结构示意图； 图12是本发明的实施方式中提供的阵列基板的结构示意图。
[0044] 其中，附图标记为：1、基底；2、栅极；3、栅极绝缘层；4、有源层；5、阻挡层；5a、阻 挡材料层；6、源极；6a、源漏材料层；7、漏极；8、防氧化层；8a、防氧化材料层；9、保护层； 10、像素电极；11、光刻胶层；12、过孔。
【具体实施方式】
[0045] 以下结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描 述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0046] 作为本发明的第一个方面，提供一种氧化物薄膜晶体管，如图2所示，包括：有源 层4 ;设置在有源层4上方的源极6和漏极7以及设置在源极6和漏极7上方的保护层9， 保护层9覆盖源极6、漏极7和有源层4上位于源极6和漏极7之间的部