晶片加工装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及分割晶片的晶片加工装置。
【背景技术】
[0002]作为分割晶片的方法，提出了如下的方法:将聚光点对准到应分割区域的内部，对晶片照射具有透过性的脉冲激光光线以在被加工物的内部形成改质层，然后，沿着由于形成改质层而强度降低的分割预定线对晶片施加外力，从而分割晶片(例如，参照专利文献I)。作为对形成改质层的晶片施加外力的方法，提出了将晶片配置于液槽内，使由超声波振荡器产生的超声波发生作用的方法(例如，参照专利文献2)。
[0003]专利文献I日本特开2002-192367号公报
[0004]专利文献2日本特开2005-135964号公报
[0005]然而，在现有的方法中，仅凭在晶片上形成改质层无法分割晶片，需要沿着形成改质层的分割预定线对晶片施加外力，因而存在生产性较低的问题。
[0006]此外，若对晶片施加外力进行分割，则由于分割会产生分割肩，因而需要去除所产生的分割肩。然而，在从喷嘴喷出空气等而吹散分割肩时，存在将所分割的芯片一并吹起的可能性。
【发明内容】
[0007]本发明就是鉴于这种问题而完成的，其目的在于既能够效率良好地分割形成了改质层的晶片，又能够在不会吹起芯片的情况下，去除分割肩。
[0008]本发明提供一种晶片加工装置，其对晶片进行分割，具有:载置台，其载置有通过将聚光点定位到该晶片的内部并沿着分割预定线照射透过该晶片的波长的脉冲激光而内部形成了改质层的晶片；水槽，其使载置于该载置台上的该晶片没入到清洗水中；以及超声波供给单元，其对没入到该清洗水中的该晶片供给超声波，通过由该超声波供给单元供给的超声波，沿着该分割预定线分割该晶片而使其成为小片，从而形成多个芯片，并清洗所形成的该芯片。
[0009]本发明优选构成为，所述超声波供给单元具有:超声波振荡部，其产生超声波；以及可变器，其改变由该超声波振荡部产生的超声波的频率和输出，该可变器使清洗所述芯片时由该超声波振荡部产生的超声波的频率和输出成为与分割所述晶片时由该超声波振荡部产生的超声波的频率和输出不同的频率和输出。
[0010]本发明优选构成为，所述载置台具有贯通孔，该贯通孔上下贯通载置所述晶片的载置面，所述超声波供给单元具有超声波振荡部，该超声波振荡部在该载置面的下方以离开该载置面的方式进行了配置，由该超声波振荡部产生的超声波通过该贯通孔，从下表面侧对该晶片进行供给。
[0011]本发明优选构成为，所述超声波供给单元具有超声波振荡部，该超声波振荡部以与所述水槽内的水面接触的方式配置于所述载置台的上方，由该超声波振荡部产生的超声波从上表面侧对所述晶片进行供给。
[0012]本发明优选构成为，所述载置台具有贯通孔，该贯通孔上下贯通载置所述晶片的载置面，所述超声波供给单元具有:第I超声波振荡部，其在该载置面的下方以离开该载置面的方式进行了配置；以及第2超声波振荡部，其以与所述水槽内的水面接触的方式配置于所述载置台的上方，由该第I超声波振荡部产生的超声波通过该贯通孔，从下表面侧对该晶片进行供给，并且，由该第2超声波振荡部产生的超声波从上表面侧对该晶片进行供给。
[0013]根据本发明的晶片加工装置，使晶片没入到清洗水中并供给超声波，因而既能够沿着分割预定线效率良好地分割晶片，又能够清洗并去除通过分割产生的分割肩。
[0014]由于最适于分割的频率和输出与最适于清洗的频率和输出是不同的，因而若设置用于改变由超声波振荡部产生的超声波的频率和输出的可变器，如果供给在分割时和清洗时不同的频率和输出的超声波，则能够效率良好地进行分割和清洗。
[0015]如果在载置台的载置面设置贯通孔，将超声波振荡部以离开载置面的方式配置于载置面的下方，则能够使分割肩从贯通孔中落下，因而清洗效果得以提高。
[0016]若将超声波振荡部设置于载置台的上方，则从晶片落下的分割肩不会堆积于超声波振荡部上，因而清洗效果得以提高。
[0017]由第I超声波振荡部产生的超声波会通过该贯通孔并从下表面侧对晶片进行供给，而且由第2超声波振荡部产生的超声波从上表面侧对晶片进行供给，如果从晶片的上下两面供给超声波，则超声波能够效率良好地作用于晶片上，因而能够可靠地分割晶片。
【附图说明】
[0018]图1是表示第I晶片加工装置的侧面观察截面图。
[0019]图2是表示第2晶片加工装置的侧面观察截面图。
[0020]图3是表示第2晶片加工装置的变形例的侧面观察截面图。
[0021]图4是表示第2晶片加工装置的变形例的动作的侧面观察截面图。
[0022]图5是表示第3晶片加工装置的侧面观察截面图。
[0023]图6是表示第4晶片加工装置的侧面观察截面图。
[0024]图7是表示第5晶片加工装置的侧面观察截面图。
[0025]符号说明
[0026]10、10A?1E晶片加工装置，
[0027]12、12A、12B 载置台，21 载置面，211、211B 贯通孔，
[0028]13 水槽，31 排水口，
[0029]14、14A、14B超声波供给单元，41、41B超声波振荡部，
[0030]42、42B 可变器，43、44 支撑部，
[0031]45升降单元，450气缸，451升降杆
[0032]20晶片，22保护带，30清洗水
【具体实施方式】
[0033]图1所示的晶片加工装置10具有载置晶片20的载置台12、使载置于载置台12上的晶片20没入到清洗水30中的水槽13、对没入到清洗水30中的晶片20供给超声波的超声波供给单元14。
[0034]晶片20被分割预定线划分，在正面的被划分的各区域内形成了器件。沿着分割预定线分割晶片20而使其成为小片，从而形成多个芯片。在正面上贴附有保护带22，用于保护器件。
[0035]在载置于载置台12上的晶片20上，沿着分割预定线在内部形成有改质层。关于改质层，例如专利文献I所述，通过如下方式形成的:将聚光点定位到晶片20的内部，沿着分割预定线照射透过晶片20的波长(例如红外光区域)的脉冲激光。
[0036]载置台12具有平行于XY平面的载置面21。晶片20载置于载置面21上。载置台12配置于水槽13内。
[0037]从清洗水供给源(未图示)向水槽13供给清洗水30。水槽13具有用于排出清洗水30的排水口 31。排水口 31位于比载置台12的载置面21高的、比载置于载置面21上的晶片20的上侧的面高的位置处。由此，载置于载置面21上的晶片20没入到清洗水30中。从未图示的清洗水供给源向水槽13供给新的清洗水30，旧的清洗水30从排水口 31排出。
[0038]超声波供给单元14具有产生超声波的超声波振荡部41、改变由超声波振荡部41产生的超声波的频率和输出强度的可变器42。超声波振荡部41固定于载置面21的下侧(-Z侧)的面上，由超声波振荡部41产生的超声波使载置面21进行振动，从下侧作用于载置在载置面21上的晶片20上。
[0039]接着，说明晶片加工装置10的动作。首先，将在正面形成器件、在内部形成改质层、在正面贴附了保护带22的晶片20载置于载置面21上。关于载置晶片20的朝向，既可以将贴附保护带22 —侧的面作为上方，也可以将未贴附保护带22 —侧的面作为上方。
[0040]接着，超声波振荡部41产生超声波。以使得由超声波振荡部41产生的超声波成为最适于晶片20的分割的频率和输出强度的方式，由可变器42控制超声波振荡部41。由超声波振荡部41产生的超声波经由载置面21从下侧作用于晶片20上。例如，设频率为20?50 [kHz]，输出为500?1000 [W]，使用具有大输出和大振幅的超声波对晶片20赋予振动。通过施加基于超声波的外力，从而以强度弱的改质层为起点产生断裂，晶片20沿着分割预定线被分割而成为小片，形成多个芯片。
[0041]接着，以使得由超声波振荡部41产生的超声波成为不同于分割时的最适于晶片20的清洗的频率和输出强度的方式，由可变器42控制超声波振荡部41。由此，清洗所形成的芯片(尤其是断裂的槽的部分)，去除分割所产生的分割肩。被去除的分割肩与清洗水30 一起从排水口 31被排出。例如，设频率为100?500[kHz]，使其大于分割时，而输出为200?1000[W]，使其小于分割时或与分割时相等，从而以小的振幅仅使分割肩进行振动而从晶片20上进行去除。
[0042]如上，将晶片20没入到清洗水30中并提供超声波，从而基于超声波的外力作用于晶片20整体，因而能够效率良好地分割晶片20。特别是，在混合有大小不同的器件的多芯片的情况下，由于存在长度短的分割预定线，因此，若通过扩张贴附于晶片上的切割带来施加外力，则长度短的分割预定线有时无法被良好地分割，而若通过超声波施加外力，则还能够可靠地分割长度短的分割预定线。此外，由于晶片20没入到清洗水30中，因此分割所产生的分割肩将被清洗水30去除。进而，利用超