晶片剥离装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种对粘接于切片基座上的晶片进行剥离的晶片剥离装置。
【背景技术】
[0002]硅晶片等的晶片通过将被称作锭的块状物切片而单张化来获得。为了获得晶片，首先将锭借助粘接剂固定在被称作切片基座的保持体上。利用钢丝锯将固定于切片基座上的锭切片而成为晶片。然后，通过从切片基座剥离晶片而获得晶片。
[0003]如图1A所示，为了从切片基座50剥离多个晶片60，使粘接有多个晶片60的切片基座50浸溃于水15中，使将多个晶片60固定于切片基座50的粘接剂63软化。由此，多个晶片60从切片基座50剥离。剥离后的晶片向托盘40落下而被回收。
[0004]另外，作为从切片基座剥离晶片的其他方法，报告有如下所述的方法:向将晶片粘接于切片基座的粘接剂喷射热风而使粘接剂溶解(专利文献I)。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:注册实用新型第3149712号公报
[0008]发明概要
[0009]发明要解决的课题
[0010]然而，如图1B所示，当从切片基座50剥离了的晶片向托盘40落下时，落下的晶片彼此碰撞、或者随机重合，由此有时导致晶片破裂(参照附图标记X)、或产生缺口(参照附图标记Y)。此外，落下的晶片被随机地收容在托盘40内，因此额外需要图1C所示那样的使晶片整齐排列的工序。如此，一直以来，存在如下所述的问题:晶片发生破裂或产生缺口，需要额外使随机收容的晶片整齐排列。
[0011]另外,如专利文献I所记载的那样，当向粘接剂喷射热风而使粘接剂溶解时，在晶片上附着有污溃，除去该污溃也很困难。
【发明内容】
[0012]对此，本发明的目的在于提供一种晶片剥离装置，其能够抑制晶片的破裂、缺口，并且能够减少向晶片附着的污溃，并能够将晶片整齐排列。
[0013]解决方案
[0014]本发明的晶片剥离装置将借助粘接剂粘接于切片基座的多个晶片从所述切片基座剥离，其特征在于，具备:槽，其积存液体；第一喷嘴，其朝向借助所述切片基座而浸溃于所述槽内的液体中的所述多个晶片的侧面喷射液体；托盘，其配置在所述槽内，且收容从所述切片基座剥离了的晶片；吸引口，其经由设于所述托盘的侧面或者底面的开口部而吸引所述托盘内的液体。
[0015]发明效果
[0016]根据本剥离装置，能够抑制晶片的破裂、缺口，并且，能够减少污溃，并使剥离后的晶片在托盘中整齐排列。
【附图说明】
[0017]图1是表示现有的晶片剥离方法的概要的图。
[0018]图2是表不获得粘接有多个晶片的切片基座的工序的图。
[0019]图3中，图3A是表示实施方式I的晶片剥离装置的概要的图，图3B是表示实施方式2的晶片剥离装置的概要的图。
[0020]图4是表示切片基座、第一喷嘴、第一辅助喷嘴、托盘、第二喷嘴、吸引口、蒸气喷嘴之间的位置关系的示意图。
[0021]图5中，图5A是托盘的立体图，图5B是托盘的分解图。
[0022]图6是表示实施方式I的晶片剥离方法的流程的图。
[0023]图7是表示实施方式2的晶片剥离方法的流程的图。
[0024]图8是表示托盘与吸引口之间的位置关系的示意图。
[0025]附图标记说明如下:
[0026]10 槽
[0027]20保持部
[0028]30第一喷嘴
[0029]33第一辅助喷嘴
[0030]35第三喷嘴
[0031]40 托盘
[0032]43、43a 开口部
[0033]47 底面
[0034]50切片基座
[0035]53倾斜角度
[0036]55晶片粘接面
[0037]60多个晶片
[0038]60a 晶片
[0039]63粘接剂
[0040]65 锭
[0041]70第二喷嘴
[0042]80蒸气喷嘴
[0043]90 吸引口
[0044]100、100’晶片剥离装置
【具体实施方式】
[0045]本发明的晶片剥离装置能够在晶片制造方法的一工序中被采用。图2示出晶片制造方法的典型性流程的示意图，并说明在哪一工序中采用本晶片剥离装置。
[0046]利用粘接剂63将被称作锭65的块状物粘贴于切片基座50 (参照图2A)，将通过粘接剂63被粘贴了的锭切片而成为多个晶片(图2B)，将切片出的晶片在保持粘贴于切片基座的状态下进行清洗(图2C)。经过该工序，获得粘接有多个晶片60的切片基座50。然后，采用本晶片剥离装置。
[0047]粘接剂63为一液型粘接剂或二液型粘接剂，例如环氧树脂粘接剂。切片基座50的材质可以是碳原料等导电性材料，可以是玻璃等绝缘无机材料，也可以是环氧树脂等有机材料。另外，切片基座50也可以是多孔质体。构成多孔质体的材料的例子包括碳原料等。根据锚定效应而能够在由多孔质体构成的切片基座50的粘接面上稳固地粘接锭。因此，比起锭65与粘接剂63之间的粘接强度，切片基座50与粘接剂63之间的粘接强度更强。其结果是，在剥离晶片时，粘接剂63残留在切片基座50的晶片粘接面55上，不易在晶片上附着污溃(粘接剂63)。
[0048]如图2B所示，利用具备卷绕于一对主辊210上的钢丝220的钢丝锯200等切断装置，将锭65切断为薄板状而成为多个晶片。此时，切片基座50不被切断为薄板状。但是，也可以切断至切片基座50的厚度方向的中途为止。在切断装置为钢丝锯的例子中，包括多钢丝锯、钢丝放电加工机等。
[0049]如图2C所示，利用水槽300中的水来清洗多个晶片60。也可以将多个晶片60与切片基座50 —并浸溃在水中，对多个晶片60照射超声波单元310所发出的超声波，或使从喷流喷嘴320喷出的水的喷流碰撞多个晶片60。
[0050]接下来，如图2D所示，使用本晶片剥离装置，从粘接有多个晶片60的切片基座50剥离晶片。由本晶片剥离装置进行剥离的详情后述。利用本晶片剥离装置来获得整齐排列的晶片。
[0051]然后，被整齐排列的晶片由单张处理装置(分离器)一片一片地取出，经过清洗、干燥、检查的工序，完成晶片制造工序。
[0052]基于本晶片剥离装置的晶片剥离方法包括将粘接于切片基座的多个晶片的各晶片的至少一部分浸溃于在槽内积存的液体中的工序I ο此外,本方法还包括朝向浸溃于槽内的液体中的晶片的侧面喷射液体的工序2。并且，本方法包括一边从配置在槽内的托盘的开口部附近吸引液体一边将从切片基座剥离了的晶片收容于托盘的工序3。
[0053]在本方法中，在工序I中包括切片基座的粘接剂不浸溃于槽中而仅浸溃晶片的实施方式I (参照图3A)、和将切片基座的粘接剂与晶片一并浸溃于槽中的实施方式2 (参照图3B)。以下，对各实施方式进行说明。
[0054]首先，对实施方式I的剥离方法进行说明。
[0055]在实施方式I的剥离方法中，将多个晶片60粘接于切片基座50的粘接剂63不浸溃于槽10中的水内而仅浸溃多个晶片60(图3A)。实施方式I的剥离方法能够使用晶片剥离装置100而进行。
[0056]晶片剥离装置100具备积存作为液体的一例的水的槽10、和以使多个晶片60浸溃于槽10内的水中的方式保持切片基座50的保持部20。另外，晶片剥离装置100具备朝向浸溃于槽10的水中的多个晶片60中的一部