专利名称：晶片架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及了一种晶片架，特别是涉及了一种用于半导体晶片退火的晶片
背景技术：
在现有的晶片生产中，晶片通常是水平地放置在退火炉中进行退火，并且晶片由 两个点支撑在晶片架上。这样，由于一片晶片位于退火炉的不同高度上，而退火炉在不同的 高度上有着不同的温度，因此晶片的水平放置使一片晶片位于退火炉的不同温度区域，导 致晶片的退火不均勻。另外，由两点支撑晶片，会使晶片在支撑点出现位置偏移，简称为“位 错”，严重影响了晶片的生产质量，增加了晶片的生产成本
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于解决现有晶片生产过程中退火不均勻和晶片的支撑 点产生“位错”的问题，而提供一种晶片架。为了完成本实用新型的技术方案，本实用新型采用以下技术方案本实用新型的一种晶片架，其中它是一个环形架，在环形架的上端外侧有一凸出 的架头，在环形架的下端外侧有一凹槽，在环形架上端和下端之间的环形架内侧有一斜坡；本实用新型的一种晶片架，其中所述架头的高度大于等于凹槽的深度；本实用新型的一种晶片架，其中所述架头的周向宽度小于凹槽的周向宽度；本实用新型的一种晶片架，其中所述斜坡为向晶片架内侧倾斜25-850角；本实用新型的一种晶片架，其中所述环形架的外形为圆形；本实用新型的一种晶片架，其中所述环形架的外形为矩形；本实用新型的一种晶片架，其中所述晶片架由石英或石墨的材料制成。本实用新型的晶片架与现有的晶片架相比，本实用新型的晶片架与晶片是圆周接 触，因此避免了现有晶片架与晶片的点接触所引起的晶片位错的缺陷，保证了晶片的生产 质量，提高了晶片的成品率，降低了晶片的生产成本。
图1为本实用新型晶片架的正向剖面示意图；图2为本实用新型晶片架的一种外形的俯视图；图3为本实用新型晶片架的另一种外形的俯视图；图4为晶片与晶片架组装后的正向剖面示意图。图1至图4中，标号1为斜坡，标号2为架头，标号3为凹槽，标号4为晶片。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的晶片架是一个环形架，环形架的外形如图2所示的圆形或为如图3所示的矩形，晶片架由石英或石墨的材料制成。在环形架的上端外侧有一凸出 的架头2，在环形架的下端外侧有一凹槽3，架头2的高度大于等于凹槽3的深度，架头2的 周向宽度小于凹槽3的周向宽度。在环形架上端和下端之间的环形架内侧有一向晶片架内 侧倾斜25-850角的斜坡1。在使用时，如图4所示，将晶片4水平放置在晶片架的斜坡上，每个晶片架只放置 一个晶片，然后将一个晶片架的架头2对齐放置在另一个晶片架的凹槽3内，这样，晶片架 就如图4所示，摞在一起，然后将摞在一起的晶片架放置在退火炉中即可完成晶片的垂直 退火。图4只示意性地将三个晶片架摞在一起，在实践中，可以将任意多个晶片架摞在一 起。以上实施例只是对本实用新型的解释，不是对实用新型的限定，本实用新型所 限 定的范围参见权利要求，在不违背本实用新型的精神的情况下，本实用新型可以作任何形 式的修改。
权利要求一种晶片架，其特征在于它是一个环形架，在环形架的上端外侧有一凸出的架头(2)，在环形架的下端外侧有一凹槽(3)，在环形架上端和下端之间的环形架内侧有一斜坡(1)。
2.如权利要求1所述的晶片架，其特征在于所述架头(2)的高度大于等于凹槽(3)的 深度；
3.如权利要求2所述的晶片架，其特征在于所述架头(2)的周向宽度小于凹槽(3)的周向宽度。
4.如权利要求3所述的晶片架，其特征在于所述斜坡(1)为向晶片架内侧倾斜 25-85° 角。
5.如权利要求4所述的晶片架，其特征在于所述环形架的外形为圆形。
6.如权利要求4所述的晶片架，其特征在于所述环形架的外形为矩形。
7.如权利要求1至6任一个权利要求所述的晶片架，其特征在于所述晶片架由石英 或石墨的材料制成。
专利摘要本实用新型涉及一种晶片架，它是一个环形架，在环形架的上端外侧有一凸出的架头(2)，在环形架的下端外侧有一凹槽(3)，在环形架上端和下端之间的环形架内侧有一斜坡(1)，本实用新型的晶片架与现有的晶片架相比，本实用新型的晶片架与晶片是圆周接触，因此避免了现有晶片架与晶片的点接触所引起的晶片位错的缺陷，保证了晶片的生产质量，提高了晶片的成品率，降低了晶片的生产成本。
文档编号C30B35/00GK201593076SQ200920316170
公开日2010年9月29日 申请日期2009年11月30日 优先权日2009年11月30日
发明者卜俊鹏, 张生国, 朱蒙 申请人:中科晶电信息材料(北京)有限公司