掩膜版和利用掩膜版制备薄膜晶体管的方法
【技术领域】
[0001] 本发明的实施例涉及一种掩膜版和利用掩膜版制备薄膜晶体管的方法。
【背景技术】
[0002] 在制造显示装置的阵列基板的像素区的薄膜晶体管时，采用传统的半色调或者灰 色调掩膜版与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形与设计外形 相差较大，例如实际尺寸与设计尺寸相差较大，影响了阵列基板的像素区的薄膜晶体管的 质量。
【发明内容】
[0003] 本发明的实施例的目的是提供一种掩膜版和利用掩膜版制备薄膜晶体管的方法， 由此改善与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。
[0004] 根据本发明的实施例，提供了一种掩膜版，所述掩膜版包括掩膜版主体，所述掩膜 版主体具有图案区域，所述图案区域包括：用于去除部分光刻胶的光刻胶部分去除区域； 用于去除全部光刻胶的光刻胶完全去除区域；以及在光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去 除区域之间、与光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去除区域邻接的用于保留光刻胶的第一 光刻胶保留区域，第一光刻胶保留区域用于调整与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分 在曝光并显影后的外形。
[0005] 根据本发明的实施例，所述图案区域还包括：第二光刻胶保留区域，所述光刻胶部 分去除区域设置在第一光刻胶保留区域和所述第二光刻胶保留区域之间。
[0006] 根据本发明的实施例，在所述图案区域中，所述光刻胶部分去除区域包括两个光 刻胶部分去除区域，所述第一光刻胶保留区域是两个第一光刻胶保留区域，并且所述光刻 胶完全去除区域是两个光刻胶完全去除区域，所述图案区域还包括：第二光刻胶保留区域， 两个光刻胶完全去除区域中的一个、两个第一光刻胶保留区域中的一个、两个光刻胶部分 去除区域中的一个、第二光刻胶保留区域、两个光刻胶部分去除区域中的另一个、两个第一 光刻胶保留区域中的另一个、两个光刻胶完全去除区域中的另一个按照两个光刻胶完全去 除区域中的一个、两个第一光刻胶保留区域中的一个、两个光刻胶部分去除区域中的一个、 第二光刻胶保留区域、两个光刻胶部分去除区域中的另一个、两个第一光刻胶保留区域中 的另一个、两个光刻胶完全去除区域中的另一个的顺序排列成一排。
[0007] 根据本发明的实施例，掩膜版的所述图案区域用于形成阵列基板的像素区的薄膜 晶体管，所述薄膜晶体管包括：金属氧化物半导体层；以及源电极和漏电极，所述金属氧化 物半导体层具有分别与源电极的一部分和漏电极的一部分接触的接触部分，其中：所述光 刻胶部分去除区域对应所述接触部分，并且所述光刻胶完全去除区域和第一光刻胶保留区 域对应阵列基板的每一个像素区的薄膜晶体管周围的区域的至少一部分；或者所述光刻胶 部分去除区域和第一光刻胶保留区域对应所述接触部分，并且所述光刻胶完全去除区域对 应阵列基板的每一个像素区的薄膜晶体管周围的区域的至少一部分；或者所述光刻胶部分 去除区域和相邻的第一光刻胶保留区域的一部分对应所述接触部分，并且所述光刻胶完全 去除区域和相邻的第一光刻胶保留区域的其余部分对应阵列基板的每一个像素区的薄膜 晶体管周围的区域的至少一部分。
[0008] 根据本发明的实施例，掩膜版的所述图案区域用于形成阵列基板的像素区的薄膜 晶体管，所述薄膜晶体管包括：金属氧化物半导体层；
[0009] 源电极和漏电极，所述金属氧化物半导体层具有分别与源电极的一部分和漏电极 的一部分接触的接触部分；以及在源电极和漏电极之间的沟道区域的所述金属氧化物半导 体层上的刻蚀阻挡层，其中所述第二光刻胶保留区域对应阵列基板的薄膜晶体管的刻蚀阻 挡层，并且其中：所述光刻胶部分去除区域对应所述接触部分，并且所述光刻胶完全去除区 域和第一光刻胶保留区域对应阵列基板的每一个像素区的薄膜晶体管周围的区域的至少 一部分；或者所述光刻胶部分去除区域和第一光刻胶保留区域对应所述接触部分，并且所 述光刻胶完全去除区域对应阵列基板的每一个像素区的薄膜晶体管周围的区域的至少一 部分；或者所述光刻胶部分去除区域和相邻的第一光刻胶保留区域的一部分对应所述接触 部分，并且所述光刻胶完全去除区域和相邻的第一光刻胶保留区域的其余部分对应阵列基 板的每一个像素区的薄膜晶体管周围的区域的至少一部分。
[0010] 根据本发明的实施例，第一光刻胶保留区域的长度是〇. 5-6ym。
[0011] 根据本发明的实施例，第一光刻胶保留区域的长度是1-3ym。
[0012] 根据本发明的实施例，第一光刻胶保留区域的透光率与第二光刻胶保留区域的透 光率大致相等。
[0013] 根据本发明的实施例，所述光刻胶完全去除区域的长度是第一光刻胶保留区域的 长度的20倍以上。
[0014] 根据本发明的实施例，第一光刻胶保留区域用于使与光刻胶部分去除区域对应的 光刻胶部分在曝光并显影后的尺寸与设计尺寸的差值小于预定值和/或使与光刻胶部分 去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的位置与设计位置的差值小于预定值。
[0015] 根据本发明的实施例，第一光刻胶保留区域用于使与光刻胶部分去除区域对应的 光刻胶部分在曝光并显影后满足预定的尺寸公差，形状公差和/或位置公差。
[0016] 根据本发明的实施例，对于正性光刻胶，第一光刻胶保留区域形成不透光区域，光 刻胶完全去除区域形成完全透光区域，光刻胶部分去除区域形成部分透光区域。
[0017] 根据本发明的实施例，对于正性光刻胶，第一光刻胶保留区域和第二光刻胶保留 区域形成不透光区域，光刻胶完全去除区域形成完全透光区域，光刻胶部分去除区域形成 部分透光区域。
[0018] 根据本发明的实施例，对于正性光刻胶，第一光刻胶保留区域的透光率小于或等 于 10%〇
[0019] 根据本发明的实施例，提供一种利用上述的掩膜版制备阵列基板的像素区的薄膜 晶体管的方法，包括：在用于形成薄膜晶体管的多个层上形成光刻胶层，所述多个层包括： 金属氧化物半导体层以及设置在金属氧化物半导体层的刻蚀阻挡层；以及利用所述掩膜版 对光刻胶层进行曝光，其中所述第二光刻胶保留区域对应阵列基板的薄膜晶体管的刻蚀阻 挡层，并且其中：所述光刻胶部分去除区域对应所述接触部分，并且所述光刻胶完全去除区 域和第一光刻胶保留区域对应阵列基板的每一个像素区的薄膜晶体管周围的区域的至少 一部分；或者所述光刻胶部分去除区域和第一光刻胶保留区域对应所述接触部分，并且所 述光刻胶完全去除区域对应阵列基板的每一个像素区的薄膜晶体管周围的区域的至少一 部分；或者所述光刻胶部分去除区域和相邻的第一光刻胶保留区域的一部分对应所述接触 部分，并且所述光刻胶完全去除区域和相邻的第一光刻胶保留区域的其余部分对应阵列基 板的每一个像素区的薄膜晶体管周围的区域的至少一部分。
[0020] 采用本发明的实施例的上述技术方案，例如，改善了与光刻胶部分去除区域对应 的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。
【附图说明】
[0021] 图1为根据本发明的实施例的掩膜版的示意图，其中还示出了曝光并显影后的光 刻胶层；
[0022] 图2为根据本发明的实施例的阵列基板在完成TFT阵列之后的平面示