意图；
[0023] 图3为根据本发明的实施例的阵列基板沿图2中的AB线的、完成第一次光刻工艺 之后的截面图；
[0024] 图4为根据本发明的实施例的阵列基板沿图2中的AB线的、完成第二次光刻工艺 的曝光显影之后的截面图；
[0025] 图5为根据本发明的实施例的阵列基板沿图2中的AB线的、完成第二次光刻工艺 的第一次刻蚀之后的截面图；
[0026] 图6为根据本发明的实施例的阵列基板沿图2中的AB线的、完成第二次光刻工艺 的灰化之后的截面图；
[0027] 图7为根据本发明的实施例的阵列基板沿图2中的AB线的、完成第二次光刻工艺 的第二次刻蚀之后的截面图；
[0028] 图8为根据本发明的实施例的阵列基板沿图2中的AB线的、完成第三次光刻工艺 之后的截面图；
[0029] 图9为根据本发明的实施例的阵列基板沿图2中的AB线的、完成第四次光刻工艺 之后的截面图；以及
[0030] 图10为根据本发明的实施例的阵列基板沿图2中的AB线的、完成第五次光刻工 艺之后的截面图。
【具体实施方式】
[0031] 下面结合说明书附图来说明本发明的【具体实施方式】。
[0032] 下面结合附图，对本发明实施例的【具体实施方式】进行详细地说明。另外，在下面的 详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而 明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公 知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
[0033] 图1示出了根据本发明的实施例的掩膜版20。如图1所示，根据本发明的实施例 的掩膜版20包括掩膜版主体21，所述掩膜版主体21具有图案区域22,所述图案区域22包 括：用于去除部分光刻胶的光刻胶部分去除区域221 ;用于去除全部光刻胶的光刻胶完全 去除区域223 ;以及在光刻胶部分去除区域221和光刻胶完全去除区域223之间、与光刻胶 部分去除区域221和光刻胶完全去除区域223邻接的用于保留光刻胶的第一光刻胶保留区 域222,第一光刻胶保留区域222用于调整与光刻胶部分去除区域221对应的光刻胶部分 在曝光并显影后的外形。例如，改善该外形，使该外形与设计外形的偏差小于预定程度。例 如，第一光刻胶保留区域222用于使与光刻胶部分去除区域221对应的光刻胶部分在曝光 并显影后的尺寸与设计尺寸的差值小于预定值和/或使与光刻胶部分去除区域221对应的 光刻胶部分在曝光并显影后的位置与设计位置的差值小于预定值；或例如，第一光刻胶保 留区域222用于使与光刻胶部分去除区域221对应的光刻胶部分在曝光并显影后满足预定 的尺寸公差，形状公差和/或位置公差。显然，也可以利用其它的量或数值来衡量该预定程 度。
[0034] 如图1、2所示，例如，掩膜版20可以通过在诸如石英材料的基板上形成图案层而 形成。掩膜版20是半色调或者灰色调掩膜板。掩膜版20可以用于形成诸如液晶显示装置 的显示装置的阵列基板30的像素区31的薄膜晶体管50或用于形成诸如液晶显示装置的 显示装置的阵列基板30。
[0035] 参见图1，根据本发明的一些实施例，所述图案区域22还可以包括：第二光刻胶保 留区域224,所述光刻胶部分去除区域221设置在第一光刻胶保留区域222和所述第二光 刻胶保留区域224之间。例如，第一光刻胶保留区域222的透光率与第二光刻胶保留区域 224的透光率可以大致相等。
[0036] 对于正性光刻胶，第一光刻胶保留区域222和第二光刻胶保留区域224形成不透 光区域，光刻胶完全去除区域223形成完全透光区域，光刻胶部分去除区域221形成部分透 光区域。根据本发明的实施例，对于正性光刻胶，例如，第一光刻胶保留区域222的透光率 可以小于或等于10%。例如，对于正性光刻胶，第一光刻胶保留区域222的透光率可小于或 等于5%。
[0037] 对于负性光刻胶，第一光刻胶保留区域222和第二光刻胶保留区域224形成完全 透光区域，光刻胶完全去除区域223形成不透光区域，光刻胶部分去除区域221形成部分透 光区域。对于负性光刻胶，例如，第一光刻胶保留区域222的透光率可以大于或等于90%。 例如，对于负性光刻胶，第一光刻胶保留区域222的透光率可大于或等于95%。
[0038] 参见图1，根据本发明的另一些实施例，在所述图案区域22中，所述光刻胶部分去 除区域221包括两个光刻胶部分去除区域221，所述第一光刻胶保留区域222是两个第一 光刻胶保留区域222,并且所述光刻胶完全去除区域223是两个光刻胶完全去除区域223。 所述图案区域22还包括：第二光刻胶保留区域224。两个光刻胶完全去除区域223中的一 个、两个第一光刻胶保留区域222中的一个、两个光刻胶部分去除区域221中的一个、第二 光刻胶保留区域224、两个光刻胶部分去除区域221中的另一个、两个第一光刻胶保留区域 222中的另一个、两个光刻胶完全去除区域223中的另一个按照两个光刻胶完全去除区域 223中的一个、两个第一光刻胶保留区域222中的一个、两个光刻胶部分去除区域221中的 一个、第二光刻胶保留区域224、两个光刻胶部分去除区域221中的另一个、两个第一光刻 胶保留区域222中的另一个、两个光刻胶完全去除区域223中的另一个的顺序排列成一排。
[0039] 参见图1、2和图10,根据本发明的一些实施例，掩膜版20的所述图案区域22用于 形成阵列基板30的像素区31的薄膜晶体管50。所述薄膜晶体管50包括：金属氧化物半 导体层4 ;以及源电极6和漏电极7,所述金属氧化物半导体层4具有分别与源电极6的一 部分和漏电极7的一部分接触的接触部分41。所述光刻胶部分去除区域221对应所述接 触部分41，并且所述光刻胶完全去除区域223和第一光刻胶保留区域222对应阵列基板30 的每一个像素区31的薄膜晶体管50周围的区域的至少一部分；或者所述光刻胶部分去除 区域221和第一光刻胶保留区域222对应所述接触部分41，并且所述光刻胶完全去除区域 223对应阵列基板30的每一个像素区31的薄膜晶体管50周围的区域的至少一部分；或者 所述光刻胶部分去除区域221和相邻的第一光刻胶保留区域222的一部分对应所述接触部 分41，并且所述光刻胶完全去除区域223和相邻的第一光刻胶保留区域222的其余部分对 应阵列基板30的每一个像素区31的薄膜晶体管50周围的区域的至少一部分。
[0040] 参见图1、2和图10,根据本发明的另一些实施例，掩膜版20的所述图案区域22用 于形成阵列基板30的像素区31的薄膜晶体管50。所述薄膜晶体管50包括：金属氧化物半 导体层4 ;源电极6和漏电极7,所述金属氧化物半导体层4具有分别与源电极6的一部分 和漏电极7的一部分接触的接触部分41 ;以及在源电极6和漏电极7之间的沟道区域的所 述金属氧化物半导体层4上的刻蚀阻挡层5。所述第二光刻胶保留区域224对应阵列基板 30的薄膜晶体管50的刻蚀阻挡层5。所述光刻胶部分去除区域221对应所述接触部分41， 并且所述光刻胶完全去除区域223和第一光刻胶保留区域222对应阵列基板30的每一个 像素区31的薄膜晶体