控制部控制从上述惰性气体供给部供给的惰性气体的流量，以使得上述第I真空泵的排气压力比从上述第I真空泵到上述第2真空泵的排气管的压力高。
[0153]〔附记10〕
[0154]如附记9所述的衬底处理装置，其中，上述控制部基于向上述处理容器供给的气体的流量，来控制从上述惰性气体供给部供给的惰性气体的流量。
[0155]〔附记11〕
[0156]一种半导体器件的制造方法，将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的气体向上述处理空间供给而对衬底进行处理，该半导体器件的制造方法具有如下工序:边通过第I真空泵和设于该第I真空泵下游侧的第2真空泵对上述衬底的搬运空间进行排气，边将上述衬底向上述处理空间搬运的工序；将设于上述第I真空泵的下游侧且设于上述第2真空泵的上游侧的阀关闭的工序；经由上述缓冲空间将上述气体向上述处理空间供给的工序；以及经由在上述阀的下游侧连接在上述第2真空泵上的排气管并通过上述第2真空泵而对上述缓冲空间进行排气的工序。
[0157]〔附记12〕
[0158]一种半导体器件的制造方法，向处理容器供给气体而对衬底进行处理，该半导体器件的制造方法具有如下工序:
[0159]通过设于与上述处理容器连接的多根排气管中的一根排气管上的第I真空泵、和设于上述多根排气管的下游侧的第2真空泵，对上述处理容器进行排气的工序；
[0160]将在设有上述第I真空泵的排气管中设于上述第I真空泵的上游侧的阀关闭，并且从在设有上述第I真空泵的排气管中连接在上述第I真空泵和上述阀之间的惰性气体供给部向上述第I真空泵供给惰性气体的工序；
[0161]将上述气体向上述处理容器供给的工序；以及
[0162]经由上述多根排气管中的除设有上述第I真空泵的排气管之外的排气管，并通过上述第2真空泵对上述处理容器进行排气的工序。
[0163]〔附记13〕
[0164]一种程序，其用于将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的气体向上述处理空间供给而对衬底进行处理，该程序使计算机执行如下步骤:边通过第I真空泵和设在其下游侧的第2真空泵对上述衬底的搬运空间进行排气，边将上述衬底向上述处理空间搬运的步骤；将设在上述第I真空泵的下游侧且设在上述第2真空泵的上游侧的阀关闭的步骤；经由上述缓冲空间将上述气体向上述处理空间供给的步骤；以及经由在上述阀的下游侧连接在上述第2真空泵上的排气管并通过上述第2真空泵而对上述缓冲空间进行排气的步骤。
[0165]〔附记14〕
[0166]一种程序，用于向处理容器供给气体而对衬底进行处理，该程序使计算机执行如下步骤:
[0167]通过设在与上述处理容器连接的多根排气管中的一根排气管上的第I真空泵、和设在上述多根排气管的下游侧的第2真空泵，对上述处理容器进行排气的步骤；
[0168]将在设有上述第I真空泵的排气管中设在上述第I真空泵的上游侧的阀关闭，并且从在设有上述第I真空泵的排气管中连接在上述第I真空泵和上述阀之间的惰性气体供给部向上述第I真空泵供给惰性气体的步骤；
[0169]将上述气体向上述处理容器供给的步骤；以及
[0170]经由上述多根排气管中的除设有上述第I真空泵的排气管之外的排气管，并通过上述第2真空泵对上述处理容器进行排气的步骤。
[0171]〔附记15〕
[0172]一种记录介质，其存储有用于将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的气体向上述处理空间供给而对衬底进行处理的程序，且能够被计算机读取，该能够被计算机读取的记录介质存储有使计算机执行如下步骤的程序:边通过第I真空泵和设在其下游侧的第2真空泵对上述衬底的搬运空间进行排气，边将上述衬底向上述处理空间搬运的步骤；将设在上述第I真空泵的下游侧且设在上述第2真空泵的上游侧的阀关闭的步骤；经由上述缓冲空间将上述气体向上述处理空间供给的步骤；以及经由在上述阀的下游侧连接在上述第2真空泵上的排气管并通过上述第2真空泵而对上述缓冲空间进行排气的步骤。
[0173]〔附记16〕
[0174]一种记录介质，其存储有用于向处理容器供给气体而对衬底进行处理的程序，且能够被计算机读取，该能够被计算机读取的记录介质存储有使计算机执行如下步骤的程序:
[0175]通过设在与上述处理容器连接的多根排气管中的一根排气管上的第I真空泵、和设在上述多根排气管的下游侧的第2真空泵，对上述处理容器进行排气的步骤；
[0176]将在设有上述第I真空泵的排气管中设在上述第I真空泵的上游侧的阀关闭，并且从在设有上述第I真空泵的排气管中连接在上述第I真空泵和上述阀之间的惰性气体供给部向上述第I真空泵供给惰性气体的步骤；
[0177]将上述气体向上述处理容器供给的步骤；以及
[0178]经由上述多根排气管中的除设有上述第I真空泵的排气管之外的排气管，并通过上述第2真空泵对上述处理容器进行排气的步骤。
[0179]附图标记说明
[0180]100,102..?衬底处理装置
[0181]200..?晶圆(衬底)
[0182]201...处理空间
[0183]202...反应容器
[0184]203..?搬运空间
[0185]232...缓冲空间
[0186]261、262、263、264..?排气管
[0187]261a..?旁通管
[0188]265...TMP (涡轮分子泵)
[0189]272...DP (干式真空泵)
[0190]261b、266、267、268、270、271、292.??阀
【主权项】
1.一种衬底处理装置，其向处理空间供给气体而对衬底进行处理，该衬底处理装置具有: 在所述处理空间的上游侧使所述气体分散的缓冲空间； 在将所述衬底向所述处理空间搬运时供所述衬底通过的搬运空间； 与所述搬运空间连接的第I排气管； 与所述缓冲空间连接的第2排气管； 与所述处理空间连接的第3排气管； 与所述第I排气管、所述第2排气管及所述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管; 设于所述第I排气管的第I真空泵； 设于所述第4排气管的第2真空泵； 在所述第I排气管中设于所述第I真空泵的下游侧的第I阀； 设于所述第2排气管的第2阀；以及 设于所述第3排气管的第3阀。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于， 具有控制部，该控制部以在所述第2阀打开时使所述第I阀关闭的方式控制所述第I阀和所述第2阀。
3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于， 所述控制部以在所述第I阀关闭时也使所述第I真空泵的动作继续的方式控制所述第I阀和所述第I真空泵。
4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于， 具有在所述第I排气管中设于所述第I真空泵的上游侧的第4阀，所述控制部以在所述第4阀关闭后才使所述第I阀关闭的方式控制所述第I阀和所述第4阀。
5.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于， 所述控制部以在所述第3阀打开时使所述第I阀关闭的方式控制所述第I阀和所述第3阀。
6.如权利要求1?5中任一项所述的衬底处理装置,其特征在于， 所述第I真空泵是涡轮分子泵。
7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，具有: 在所述第I排气管中设于所述第I真空泵的上游侧的第4阀；和在设有所述第I真空泵的排气管中连接在所述第I真空泵和所述第4阀之间的惰性气体供给部。
8.一种衬底处理装置，其特征在于，具有: 对衬底进行处理的处理容器； 与所述处理容器连接的多根排气管； 设于所述多根排气管中的一根排气管上的第I真空泵； 设于所述多根排气管的下游侧的第2真空泵； 在设有所述第I真空泵的排气管中设于所述第I真空泵的上游侧的阀；以及 在设有所述第I真空泵的排气管中连接在所述第I真空泵和所述阀之间的惰性气体供给部。
9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于， 以在所述阀关闭时，从所述惰性气体供给部向所述第I真空泵供给惰性气体的方式，控制所述阀和所述惰性气体供给部。
10.如权利要求9所述的衬底处理装置，其特征在于， 所述控制部控制从所述惰性气体供给部供给的惰性气体的流量，以使得所述第I真空泵的排气压力比从所述第I真空泵到所述第2真空泵的排气管的压力高。
11.如权利要求10所述的衬底处理装置，其特征在于， 所述控制部基于向所述处理容器供给的气体的流量，来控制从所述惰性气体供给部供给的惰性气体的流量。
12.—种半导体器件的制造方法，将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的气体向所述处理空间供给而对衬底进行处理，该半导体器件的制造方法的特征在于，具有如下工序: 边通过第I真空泵和设于该第I真空泵下游侧的第2真空泵对所述衬底的搬运空间进行排气，边将所述衬底向所述处理空间搬运的工序； 将设于所述第I真空泵的下游侧且设于所述第2真空泵的上游侧的阀关闭的工序； 经由所述缓冲空间将所述气体向所述处理空间供给的工序；以及 经由在所述阀的下游侧连接在所述第2真空泵上的排气管并通过所述第2真空泵而对所述缓冲空间进行排气的工序。
13.一种半导体器件的制造方法，向处理容器供给气体而对衬底进行处理，该半导体器件的制造方法的特征在于，具有如下工序: 通过设于与所述处理容器连接的多根排气管中的一根排气管上的第I真空泵、和设于所述多根排气管的下游侧的第2真空泵，对所述处理容器进行排气的工序； 将在设有所述第I真空泵的排气管中设于所述第I真空泵的上游侧的阀关闭，并且从在设有所述第I真空泵的排气管中连接在所述第I真空泵和所述阀之间的惰性气体供给部向所述第I真空泵供给惰性气体的工序； 将所述气体向所述处理容器供给的工序；以及 经由所述多根排气管中的除设有所述第I真空泵的排气管之外的排气管，并通过所述第2真空泵对所述处理容器进行排气的工序。
【专利摘要】本发明提供一种衬底处理装置，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。
【IPC分类】H01L21-67, H01L21-677
【公开号】CN104752273
【申请号】CN201410092872
【发明人】芦原洋司, 小川有人
【申请人】株式会社日立国际电气
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年3月13日
【公告号】US20150187567