有机发光二极管器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及有机发光技术领域，尤其涉及有机发光二极管器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting D1de，0LED)涉及有机半导体材料在电场作用下发光的技术，因其具有主动发光、全固态、驱动电压低、效率高、响应速度快、视角宽、制作工艺简单及可实现大面积和柔性显示等诸多优点，在平板显示及照明方面有着广阔的应用前景。
[0003]随着单色OLED 的性能逐渐成熟，白光 OLED(white organic light-emittingd1des, W0LED)作为一种新型的固态光源，在照明和平板显示背光源等方面展现了良好的应用前景，已经吸引了人们越来越多的注意。目前，就发光效率而言，商品化的OLED早已超越了白炽灯(?101m/W)。然而，目前商品化OLED的发光效率相对于下一代固态照明(solid-state lighting, SSL)的要求，也即至少1001m/W而言，依然是不够的。
【发明内容】
[0004]本公开提供了一种具有多重光提取层的OLED器件结构及其制备方法，减小了器件内部光全反射导致的发光效率损失，有效提升了有机发光显示器件的发光效率。
[0005]本发明的实施例提供一种有机发光器件，包括:衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的第一光提取层、第一电极层、发光层、第二电极层和封装层，其中，所述有机发光器件进一步包括第二光提取层，所述第二光提取层邻接所述封装层设置，所述发光层为有机发光功能层，且所述第一电极层为阳极层或阴极层并且相应地所述第二电极层为阴极层或阳极层。
[0006]例如，所述有机发光二极管器件还可以包括:在所述阳极层和所述发光层之间依次设置的空穴注入层和空穴传输层；和/或在所述阴极层和所述发光层之间依次设置的电子注入层和电子传输层。
[0007]例如，所述衬底基板为阵列基板(TFT)，所述阳极与所述阵列基板中的开关元件相电连接。
[0008]例如，所述第一光提取层可以采用纳米玻璃粉制成。
[0009]例如，所述纳米玻璃粉包括ZnO、BaO和B2O3。
[0010]例如，所述纳米玻璃粉中ZnO、BaO和B2O3三者的质量比为I?2:1?5:1?2。
[0011]例如，所述第一光提取层的厚度范围为10-50nm。
[0012]例如，所述第二光提取层采用树脂材料制成。
[0013]例如，所述树脂材料为光固化树脂或热固化树脂。
[0014]例如，所述第二光提取层表面具有规则的纹理结构。
[0015]本发明的另一个实施例还提供一种制备有机发光器件的方法，包括:提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成第一光提取层、第一电极层、发光层、第二电极层和封装层，其中，该方法还包括进一步设置第二光提取层，所述第二光提取层邻接所述封装层形成(也即所述第二光提取层可以在封装层与第二电极层之间，也可以在封装层外侧)，所述发光层为有机发光层，所述第一电极层为阳极层或阴极层并且相应地所述第二电极层为阴极层或阳极层。
[0016]例如，所述方法还可以包括:在所述阳极层和所述发光层之间依次形成空穴注入层和空穴传输层；和/或在所述阴极层和所述发光层之间依次形成电子注入层和电子传输层O
[0017]上述方法中，例如，形成所述第一光提取层可以包括:在所述衬底基板上涂布光提取层材料；前烘，除去所述涂布光提取层材料中的溶剂；氮气环境下烧结，除去有机材料。
[0018]在上述方法中，例如，所述光提取层材料包括纳米玻璃粉。
[0019]在上述方法中，例如，所述纳米玻璃粉包括ZnO、BaO和B2O3。
[0020]在上述方法中，例如，形成所述第二光提取层可以包括:在封装层上采用打印工艺涂布树脂材料；采用加热工艺或者紫外光固化工艺对树脂材料进行坚膜固化。
[0021]在上述方法中，例如，所述树脂材料为光固化树脂或热固化树脂。
[0022]例如，上述方法还可以包括在所述第二光提取层表面形成规则的纹理结构。
【附图说明】
[0023]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
[0024]图1为一种OLED器件结构不意图；
[0025]图2为本发明一实施例的OLED器件结构示意图；
[0026]图3为本发明另一实施例的OLED器件结构示意图
[0027]图4为本发明一实施例中第一光提取层的表面形态；
[0028]图5为本发明实施例的OLED与对比例的OLED在同样条件下的发光光谱对比图。
【具体实施方式】
[0029]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
[0030]除非另作定义，本公开所使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一” “第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
[0031]OLED器件的发光效率等于以下3个因素的乘积:辐射发光效率(luminousefficacy radiat1n，LER)、电效率(electrical efficiency，EE)和外部量子效率(external quantum efficiency, EQE)。外部量子效率又等于内部量子效率(internalquantum efficiency, IQE)与光提取效率(light extract1n efficiency, LEE)的乘积。在上述各因素中，通常提高空间最大的是光提取效率(LEE)。典型的有机层和玻璃基板的折射率分别为约1.8和约1.5，空气的折射率约为1.0。根据斯涅尔定律，由于不同光介质的界面上光全反射的存在，只有约20%的光能够从OLED器件中发射出来。
[0032]人们提出了一些减少界面全反射以提高光提取效率LEE的方法，例如在玻璃基板上制备微米级微结构或者纳米级光栅，或者在有机层上制备散射层或衍射光栅，但这些方法都着眼于减小器件某一个界面上的光传播损耗，最终虽然能在一定程度上提高LEE，但效果有限。
[0033]本发明的发明人在研宄中发现，若将OLED器件各个界面上的光传播损耗都尽可能地减小，则OLED器件的发光效率能得到更进一步的显著提高。
[0034]附图1是一种白光OLED器件的结构，包括:在衬底基板上依次设置阳极层、第一空穴注入层(HILl)、第一空穴传输层(HTLl)、蓝光发光层(EBML)、第一电子传输层(ETLl)、电荷产生层(CGL)、第二空穴传输层(HTL2)、黄光发光层(EYML)、电子传输层(ETL)、阴极层、封装层(CPL)。
[0035]OLED器件可以有顶发光、底发光或双面发光等类型，若设置为顶发光，则在基板一侧设置反射层；若设置为底发光，则在封装层外侧设置反射层。发明人在研宄中发现，无论是顶发光还是底发光，如果都只关注发射光在射出OLED界面上的损失，并不能有效提高OLED器件的效率。例如，对于顶发光，如果只关注CPL与空气界面的损失，或者对于底发光，如果只关注基板与空气界面的损失，则并不能有效提高OLED器件的效率。
[0036]本发明的发明人发现，光传播损耗并不仅仅发生在一个界面，发生在器件内部不同层界面上的光传播损耗也相当大。于是，本发明的实施例通过同时在两个界面设置光提取层，来进一步提高OLED器件的发光效率。
[0037]本发明的实施例提供了一种有机发光器件，包括:衬底基板以及