一种用于led基底曝光的夹持装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种用于LED基底曝光的夹持装置。
【背景技术】
[0002]LED (Light Emitting D1de),即发光二极管,是一种半导体固体发光器件。生产LED的基底目前绝大多数为蓝宝石基底(A1203)。所述蓝宝石基底有两种，一种为单面抛光，另一种为双面抛光。双面抛光蓝宝石基底由于完全透明，所以光刻工艺与单面抛光蓝宝石基底不同。
[0003]LED曝光中最常用的光刻机为Aligner，采用大掩模贴近整片蓝宝石衬底进行一次性曝光，称为接近式曝光。因为蓝宝石衬底表面的不平整性，采用接近式曝光在曝光时，掩模和蓝宝石衬底之间存在衍射现象，导致蓝宝石衬底上图案的成像质量变差。蓝宝石平整性差引起了线宽均匀性和良率变差，严重影响LED产品的性能。
[0004]因此，近年来出现了采用投影式光刻机曝光LED。投影式Stepper曝光具有结构简单、产率高等一系列优点。该方法采用了集成电路(IC)行业成熟发展的投影曝光技术，逐场调平曝光，精度较高，CD均匀性较好。投影式光刻曝光技术，在于满足当前LED芯片电极光刻和外延片PSS光刻工艺，主要面向0.8um (half pitch)节点，并能够持续延伸满足未来LED制程工艺需要，可适应2到6寸硅基底及2到6寸蓝宝石基底。
[0005]投影光刻设备是一种将掩模图案曝光成像到基底上的设备。在上述光刻设备中，需具有相应的装置作为掩模版和基底的载体，通过精确地相互运动装载有掩模版和基底的载体来满足光刻需要。所述掩模版的载体被称之为承版台，所述基底的载体被称之为承片台。所述承版台和承片台分别位于投影光刻设备的掩模台分系统和工件台分系统中，为上述分系统的核心模块。在承版台和承片台的相互运动中，须保证掩模版和基底始终被可靠地定位，也即上述掩模版和基底的六个自由度皆被限制住。
[0006]在现有技术中，蓝宝石基底夹持装置中多采用硅片夹持装置，该设备被行内称作为吸盘。通常硅片制作工艺中的吸盘上表面为环带状或凸点状。实践证明，上述两种上表面形貌的吸盘并不能满足蓝宝石双抛基底的制作工艺。由于双面抛光蓝宝石基底完全透明，吸盘的表面特征造成曝光阴影问题，业内尚未解决。
[0007]如图1和图2所示，蓝宝石双抛基底投影式曝光后产生的曝光阴影原理如下:
[0008]图1以IC投影光刻曝光设备中凸点特征吸盘，以及单个支点的基底交接装置结构为例。在图1中，圆周状分布的吸盘凸点支撑面103，蓝宝石双抛基底107落在吸盘本体102的上表面上；真空吸附口 104为蓝宝石双抛基底107提供真空吸附力，真空由吸盘本体102内部的气腔(图未示)传送至真空吸附口 104，真空吸附口 104与蓝宝石双抛基底107下表面的落差为Ah3。外圈密封环101和内圈密封环106为改善蓝宝石双抛基底107的吸附面型设计，一般外圈密封环101和内圈密封环106与吸盘凸点支撑面103有高度差，该高度差为Ah2。基底交接装置105设置在吸盘中央的通孔中，基底交接时，基底交接装置105从底部弹起；基底曝光时，基底交接装置105设置在吸盘本体102以下，其上表面与基底下表面的高度差为Λ hi。
[0009]由于外圈密封环101和内圈密封环106，基底交接装置105与蓝宝石双抛基底107下表面都有一定落差，曝光时，由于蓝宝石双抛基底107的光透过率很高，光源的一部分光在蓝宝石双抛基底107上表面曝光，另有一部分光会透过蓝宝石双抛基底107，到达外圈密封环101，内圈密封环106和基底交接装置105上表面，这些光经过反射折射光又会回到蓝宝石双抛基底107上表面产生“二次曝光”效应，因此，蓝宝石双抛基底107上表面存在曝光阴影。另外，由于基底交接装置105上部零件的材质、表面处理工艺，粗糙度，色泽等在其表面的光反射率不同，曝光阴影的程度也是不同的。
[0010]进一步的，传统吸盘表面多为凸台式的环带状或凸点加密封环状；该表面形态的吸盘在蓝宝石双抛基底曝光后会留下环带或密封环的曝光阴影；传统吸盘的真空吸附口多在环带或凸点的底部，与基底吸附面有一定尺寸落差，蓝宝石双抛片曝光后会留下真空吸附孔的曝光阴影；传统吸盘中部会有一个或三个通孔，用于基底交接装置的运动，此通孔在蓝宝石双抛片曝光后会留下曝光阴影。
[0011]图2中给出了不同上表面特征吸盘造成的不同的曝光阴影效果。图2a效果为由外圈密封环，真空孔，基底交接装置上表面(一个支点，内圈密封环和基底交接装置上表面的阴影重合)造成的曝光阴影；图2b效果为由外圈密封环，真空孔，基底交接装置上表面(三个支点)，内圈密封环造成的曝光阴影；图2c效果为由环带状吸盘支撑凸台，真空孔和基底交接装置上表面(一个支点)成的曝光阴影；图2d效果为无曝光阴影的蓝宝石双抛基底。
[0012]本专利在保证基底吸盘面型的前提下，解决蓝宝石双抛片曝光阴影问题。
【发明内容】
[0013]本发明的目的在于提供一种用于LED基底曝光的夹持装置，以解决蓝宝石双抛片投影式曝光后产生的曝光阴影的问题。
[0014]为解决上述技术问题，本发明提供一种用于LED基底曝光的夹持装置，包括:
[0015]吸盘，所述吸盘的上表面为平面结构；所述吸盘中部有一基底吸附面；
[0016]真空吸附口，均匀分布在所述基底吸附面上；
[0017]基底交接装置，安装于所述吸盘内部；
[0018]所述吸盘吸附一蓝宝石双抛基底时，所述基底交接装置的上表面与所述基底吸附面齐平。
[0019]优选的，在所述的用于LED基底曝光的夹持装置中，所述基底交接装置包括:吸附头、气缸滑杆和气缸体；其中，
[0020]所述吸附头和气缸滑杆固定连接；
[0021]在所述气缸体通正压后，所述吸附头和气缸滑杆在所述气缸体中做上下运动。
[0022]优选的，在所述的用于LED基底曝光的夹持装置中，所述基底交接装置包括:吸附头、气缸滑杆和电机；其中，
[0023]所述吸附头和气缸滑杆固定连接，所述气缸滑杆和电机固定连接；
[0024]在所述电机给定不同的电流后，所述吸附头和气缸滑杆做出相应的抬升力。
[0025]优选的，在所述的用于LED基底曝光的夹持装置中，所述基底交接装置包括:吸附头和波纹管；其中，
[0026]所述吸盘吸附所述蓝宝石双抛基底时，所述波纹管被所述蓝宝石双抛基底下压，所述吸附头与所述蓝宝石双抛基底地面贴合；
[0027]在所述波纹管通正压后，所述吸附头被抬起。
[0028]优选的，在所述的用于LED基底曝光的夹持装置中，所述吸盘的上表面和吸附头的上表面均设置为黑色，且选用同种材料和表面处理工艺。
[0029]优选的，在所述的用于LED基底曝光的夹持装置中，所述真空吸附口的直径为0.
[0030]同时，本发明还提供一种用于LED基底曝光的夹持装置，包括:吸盘基底、均匀分布在所述吸盘基底上的吸盘真空孔、以及安装于所述吸盘基底外边缘的基底交接装置；
[0031]所述吸盘基底吸附一蓝宝石双抛基底时，所述基底交接装置夹持所述蓝宝石双抛基底。
[0032]优选的，在所述的用于LED基底曝光的夹持装置中，所述基底交接装置的数量为三个。
[0033]优选的，在所述的用于LED基底曝光的夹持装置中，所述基底交接装置包括吸附头，所述蓝宝石双抛基底的直径与所述吸附头边缘的内接圆的直径的差值范围为0.5?Imm0
[0034]在本发明提供的用于LED基底曝光的夹持装置，具有以下有益效果:由于所述吸盘的上表面为纯平结构，所以不存在真空吸附口和吸盘上表面特征在蓝宝石双抛基底曝光时形成曝光阴影；由于吸盘内置的基底交接装置始终可以保证其上表面与吸盘上表面在同一高度面，所以基底交接装置上表面不会在蓝宝石双抛基底曝光时形成曝光阴影；
[0035]此外，吸盘上表面和基底交接装置上表面都为黑色，且优选同种材料和表面处理工艺，不会在蓝宝石双抛基底曝光时形成曝光阴影。
【附图说明】
[0036]图1是现有的蓝宝石双抛基底投影式曝光示意图；
[0037]图2a_2d是现有的蓝宝石双抛基底投影式曝光结果示意图；
[0038]图3是本发明实施例1的用于LED基底曝光的夹持装置的示意图；
[0039]图4是本发明实施例1的用于LED基底曝光的夹持装置的吸盘和基底交接装置的安装关系不意图；
[0040]图5是本发明实施例1的基底交接装置的吸附头可动方案；
[0041]图6是本发明实施例1的基底交接装置的吸附头不可动方案；
[0042]图7是本发明实施例2的用于LED基底曝光的夹持装置的示意图。
【具体实施方式】
[0043]以下结合附图和具体实施例对本发明提出的用于LED基底曝光的夹持装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅