Tft显示器件及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示领域，尤其是涉及一种TFT显示器件及其制作方法。
【背景技术】
[0002]薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)显示器件的制作过程相对比较复杂，需要经过很多个工序才能制作完成，其中又有很多高温工序，比如金属成膜，非金属成膜，干刻等工序，这些工序必须在高温环境下作业，静电放电(Electro-Staticdischarge，ESD)产生的几率相对较高，如果产品的设计对ESD的防护不好，TFT显示器件将很容易被ESD击伤。目前对TFT显示器件ESD防护的措施非常多，也有相对有效的方法。一般ESD容易发生在上下层金属交叠区域，如图1中的图a和图b所示。当上下两层金属跨线重叠的时候，如果所携带的静电流过大时，上下重叠区将发生ESD击穿现象。一般做法是将交叠区域的金属线宽减小，以减少ESD对金属线路的击伤。
【发明内容】
[0003]本发明主要解决的技术问题是提供一种TFT显示器件及其制作方法，能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种TFT显示器件，包括:第一金属层，在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层，沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；过孔，在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通。
[0005]其中，过孔穿过第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，与第一金属层和/或第二金属层接触。
[0006]其中，ITO导电薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。
[0007]其中，第一金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第一金属层接触，使第一金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。
[0008]其中，第二金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第二金属层接触，使第二金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。
[0009]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种TFT显示器件的制作方法，包括:在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；在第一氮化硅薄膜上沉积第二金属层，并经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通。
[0010]其中，过孔穿过第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，与第一金属层和/或第二金属层接触。
[0011]其中，ITO导电薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。
[0012]其中，第一金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第一金属层接触，使第一金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。
[0013]其中，第二金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第二金属层接触，使第二金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。
[0014]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况，本发明的TFT显示器件通过在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通，能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提尚广品良率，提升广品竞争力。
【附图说明】
[0015]图1是现有技术中的TFT显示器件的ESD击穿的示意图；
[0016]图2是本发明第一实施例的TFT显示器件的剖面结构示意图；
[0017]图3是图2中的TFT显示器件的平面结构示意图；
[0018]图4是本发明第二实施例的TFT显示器件的剖面结构示意图；
[0019]图5是图4中的TFT显示器件的平面结构示意图；
[0020]图6是本发明实施例的TFT显示器件的制作方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0021]请参阅图2，图2是本发明第一实施例的TFT显示器件的剖面结构示意图。如图2所示，TFT显示器件20包括:第一金属层21、第二金属层22、第一氮化硅薄膜23、过孔24、ITO导电薄膜25以及第二氮化硅薄膜26。在第一金属层21上沉积第一氮化硅薄膜23。第二金属层22沉积在第一氮化硅薄膜23上，经过刻蚀形成图案。第二金属层22上沉积有第二氮化娃薄膜26 ;在第二金属层22与第一金属层21重叠区域，第一金属层21和/或第二金属层22断开，在断开位置使用过孔24刻蚀掉第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26，并沉积ITO导电薄膜25以使断开位置连接导通。如此，通过将TFT显示器件上显示区外围线宽较大的金属走线更改成由ITO薄膜组成的走线，并通过过孔桥接方式连通金属走线的两端，减少线宽较大金属走线与线宽较小金属走线上下跨线产生ESD，分散与导走TFT显示器件上的ESD，从而降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。
[0022]在本发明实施例中，ITO导电薄膜25涂覆在第二氮化硅薄膜26上。过孔24穿过第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26，与第一金属层21和/或第二金属层22接触。第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26可以采用相同的氮化硅薄膜，如SiNx薄膜。在本发明的其他实施例中，也可以采用不同的氮化硅薄膜。
[0023]图2表不在第二金属层22与第一金属层21重叠区域，第一金属层21断开的剖面结构图，图3为对应的平面结构图，27为解剖线。此时，过孔24位置处的ITO导电薄膜25与第一金属层21接触，使第一金属层21的断开位置通过ITO导电薄膜25连接导通。
[0024]图4表示在第二金属层32与第一金属层31重叠区域，第二金属层32断开的剖面结构图，图5为对应的平面结构图，37为解剖线。第一层金属31上沉积第一氮化硅薄膜33，第一氮化硅薄膜33上沉积第二层金属32，经过刻蚀制程形成图案，第二层金属32上沉积第二氮化硅薄膜36，第二层金属32的断开位置使用过孔34将第一氮化硅薄膜33和第二氮化硅薄膜36刻蚀掉，在第二氮化硅薄膜36上沉积ITO导电薄膜35。此时，过孔34位置处的ITO导电薄膜35与第二金属层32接