芯片用树脂膜形成用片及半导体装置的制造方法_3

文档序号:8548236阅读:来源:国知局
,更优选为5~20ym,进一步优选 为8~20ym,特别优选为10~15ym。另外,氮化物粒子(C1)的平均粒径优选比后面叙 述的其它粒子(C2)的平均粒径小。通过如上所述地调整氮化物粒子(C1)的平均粒径,树 脂膜形成层的导热系数、成膜性得到提高,并且树脂膜形成层中氮化物粒子(C1)的填充率 也得到提高。氮化物粒子(C1)的平均粒径是对于用电子显微镜随机选出的20个氮化物粒 子(C1)的长轴粒径进行测定,并以其算数平均值计算出的数均粒径。
[0078] 氮化物粒子(C1)的粒径分布(CV值)优选为5~40 %,更优选为10~30 %。通 过使氮化物粒子(C1)的粒径分布在上述范围,能够有效地实现均匀的导热性。CV值是粒径 不均的指标,CV值越大意味着粒径的不均越大。当CV值较小时,粒径一致,因此进入粒子 与粒子的间隙的小尺寸粒子的量减少,难以更密实地填充无机填料(C),作为结果,有时难 以获得具有高导热系数的树脂膜形成层。相反,当CV值较大时,无机填料(C)的粒径有时 比成膜后的树脂膜形成层的厚度更大,作为结果,有时在树脂膜形成层的表面产生凹凸而 使树脂膜形成层的粘接性降低。另外,如果CV值过大,则难以得到具有均匀性能的导热性 组合物。需要说明的是,氮化物粒子(C1)的粒径分布(CV值)可以如下求出:进行电子显 微镜观察,对于200个粒子测定长轴粒径,求出长轴粒径的标准偏差,使用上述平均粒径计 算出(长轴粒径的标准偏差)八平均粒径),由此求得粒径分布((^值)。
[0079] 氮化物粒子(C1)的长径比优选为5以上,更优选为5~30,进一步优选为8~20, 特别优选为10~15。长径比以氮化物粒子(C1)的(长轴数均粒径V(短轴数均粒径)来 表示。短轴数均粒径及长轴数均粒径是对由透射电子显微镜照片中随机选出的20个氮化 物粒子(C1)的短轴粒径及长轴粒径进行测定,并以各自的算数平均值计算出的数均粒径。 通过使氮化物粒子(C1)的长径比在上述范围,可以由其它粒子(C2)阻碍氮化物粒子(C1) 的长轴方向与平行于树脂膜形成层的方向基本相同,从而使氮化物粒子(C1)在树脂膜形 成层的厚度方向上形成有效的导热路径,能够提高导热系数。
[0080] 氮化物粒子(C1)的密度优选为2~4g/cm3,更优选为2. 2~3g/cm3。
[0081] 氮化物粒子(Cl)长轴方向的导热系数优选为60~400WAm?!(),更优选为100~ 300WAm*K)。通过使用这样的氮化物粒子(C1),所形成的导热路径具有高导热性,作为结 果,可以获得导热系数高的树脂膜形成层。需要说明的是,氮化物粒子(C1)长轴方向的导 热系数可以通过周期加热法来测定。
[0082] (C2)其灾粒子
[0083] 作为其它粒子(C2),可以列举二氧化硅粒子、氧化铝粒子等,特别优选氧化铝粒 子。通过使用氧化铝粒子,即使在氮化物粒子所形成的导热路径以外的部分,导热性也不会 降低,作为结果,可以获得导热系数高的树脂膜形成层。
[0084] 对于其它粒子(C2)的形状而言,只要是能够阻碍氮化物粒子(C1)长轴方向与 平行于树脂膜形成层的方向基本相同的形状即可,没有特别限定,其具体的形状优选为球 状。通过使用这样形状的其它粒子(C2),在树脂膜形成层的制造工序中,可抑制氮化物粒子 (C1)的长轴方向与平行于树脂膜形成层的方向基本相同,从而能够提高其长轴方向与树脂 膜形成层厚度方向基本相同的氮化物粒子(C1)的比例。其结果,可获得在树脂膜形成层 的厚度方向上具有优异的导热系数的树脂膜形成层。这是由于,通过在树脂膜形成层中存 在其它粒子(C2),氮化物粒子(C1)以靠着其它粒子(C2)的方式存在,结果使氮化物粒子 (C1)的长轴方向与树脂膜形成层的厚度方向基本相同。在仅使用各向异性形状的氮化物粒 子(C1)的情况下,在树脂膜形成层的制造工序(例如涂布工序)中对氮化物粒子(C1)施 加的应力、重力的作用下,其长轴方向与平行于树脂膜形成层的方向基本相同的氮化物粒 子(C1)的比例增高,难以获得具有优异的导热系数的树脂膜形成层。
[0085] 其它粒子(C2)的平均粒径优选为20ym以上,更优选为20~50ym,进一步优选 为20~30ym。通过使其它粒子(C2)的平均粒径在上述范围,树脂膜形成层的导热系数、 成膜性得到提高,并且树脂膜形成层中其它粒子(C2)的填充率也得到提高。另外,氮化物 粒子(C1)的每单位体积比表面积较大,容易使树脂膜形成用组合物的粘度升高。在其中进 一步添加比表面积较大且平均粒径小于20ym的氮化物粒子以外的填料时,存在树脂膜形 成用组合物的粘度进一步提高而难以形成树脂膜、或者需要用大量溶剂进行稀释而导致生 产率降低的隐患。需要说明的是,其它粒子(C2)的平均粒径是对于用电子显微镜随机选出 的20个其它粒子(C2)的长轴粒径进行测定,并以其算数平均值计算出的数均粒径。
[0086] 另外,其它粒子(C2)的平均粒径优选为后面叙述的树脂膜形成层厚度的0. 01~ 0.65倍。如果其它粒子(C2)的平均粒径小于树脂膜形成层厚度的0.01倍,则其长轴方向 与平行于树脂膜形成层的方向基本相同的氮化物粒子(C1)的比例增高,有时难以形成有 效的导热路径而使树脂膜形成层的导热系数下降。另外,如果其它粒子(C2)的平均粒径超 过树脂膜形成层厚度的〇. 65倍,则有时在树脂膜形成层的表面产生凹凸而使树脂膜形成 层对被粘附物的粘接性降低。另外,有时难以获得具有均匀性能的导热性的树脂膜形成用 组合物。
[0087] 其它粒子(C2)的粒径分布(CV值)优选为5~40 %,更优选为10~30 %。通 过使其它粒子(C2)的粒径分布在上述范围,能够有效地实现均匀的导热性。当CV值较小 时,粒径一致,因此进入粒子和粒子的间隙的小尺寸粒子的量减少,难以更密实地填充无机 填料(C),作为结果,难以获得具有高导热系数的树脂膜形成层。相反,当CV值较大时,有时 无机填料(C)的粒径比成膜的树脂膜形成层的厚度更大,作为结果,有时在树脂膜形成层 的表面产生凹凸而使树脂膜形成层对被粘附物的粘接性变差。另外,如果CV值过大,则难 以得到具有均匀性能的导热性组合物。需要说明的是,其它粒子(C2)的粒径分布(CV值) 可以如下求出:进行电子显微镜观察,对200个粒子测定长轴粒径,求出长轴粒径的标准偏 差,使用上述平均粒径计算出(长轴粒径的标准偏差V(平均粒径),从而求得粒径分布 (CV值)。
[0088] 相对于构成树脂膜形成层的全部固体成分,树脂膜形成层的总质量中的无机填料 (C)的质量比例优选为30~60质量%,更优选为40~60质量%,特别优选为50~60质 量%。通过使无机填料(C)的质量割合在上述范围,能够形成有效的导热路径,使树脂膜形 成层的导热系数提高。
[0089] 另外,氮化物粒子(Cl)在树脂膜形成层的总质量中的质量比例优选为40质量% 以下,更优选为20~40质量%,特别优选为20~30质量%。通过使氮化物粒子(C1)的 质量比例在上述范围,能够形成有效的导热路径,使树脂膜形成层的导热系数提高。
[0090] 在含有氮化物粒子(C1)和其它粒子(C2)作为无机填料(C)的情况下,氮化物粒 子(C1)与其它粒子(C2)的重量比率(C1:C2)优选为1:5~5:1,更优选为1:4~4:1。通 过使氮化物粒子(C1)与其它粒子(C2)的重量比率在上述范围,能够提高其长轴方向与树 脂膜形成层厚度方向基本相同的氮化物粒子(C1)的比例。其结果是,可以提高树脂膜形成 层的导热系数。另外,能够抑制树脂膜形成用组合物的增粘,可以形成平滑的树脂膜。
[0091] 另外,树脂膜形成层中的无机填料(C)的浓度优选为30~50体积%,更优选为 35~45体积%。
[0092] (D)硅烷偶联剂
[0093] 通过在树脂膜形成层中配合具有与无机物反应的官能团以及与有机官能团反应 的官能团、且分子量为300以上的硅烷偶联剂(D),能够提高树脂膜形成层对被粘附物的粘 接性。另外,通过使用硅烷偶联剂0),能够提高其耐水性而不损害由树脂膜形成层固化而 得到的树脂膜的耐热性。需要说明的是,以下也将上述"与无机物反应的官能团"记为"反 应性官能团A",将上述"与有机官能团反应的官能团"记为"反应性官能团B"。
[0094] 作为本发明中使用的硅烷偶联剂(D),可以列举分子量为300以上的低聚物型硅 烷偶联剂。硅烷偶联剂(D)的分子量优选为300~5000,更优选为1000~3000。此外,硅 烧偶联剂0)的烷氧基当量优选为10~40mmol/g,更优选为13~30mmol/g。
[0095] 作为反应性官能团A,优选烷氧基。另外,作为反应性官能团B,优选能与粘合剂聚 合物成分(A)、固化性成分(B)等所具有的官能团进行反应的官能团,作为这样的官能团, 可以举出:环氧基、氨基、(甲基)丙烯酰基、除(甲基)丙烯酰基中的乙烯基以外的乙烯基、 巯基,其中,优选环氧基。需要说明的是,烷氧基当量表示每单位重量化合物所含的烷氧基 的绝对数量。
[0096] 通过使用这样的硅烷偶联剂(D),能够保持树脂膜形成层的导热系数,而且可以容 易地获得具有给定剥离强度的树脂膜形成层。
[0097] 作为这样的硅烷偶联剂(D),具体可以举出:Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、 Y_环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、Y_环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、Y_ (甲基丙烯 酰氧基丙基)三甲氧基硅烷等具有2个或3个烷氧基的低分子硅烷偶联剂、四甲氧基硅烷、 三乙氧基硅烷等具有4个烷氧基的低分子硅烷偶联剂等低聚物型化合物,这些化合物是由 烷氧基水解及脱水缩合而得到的缩合生成物。特别是,在上述低分子硅烷偶联剂中,具有2 个或3个烷氧基的低分子硅烷偶联剂与具有4个烷氧基的低分子硅烷偶联剂通过脱水缩合 而成的生成物的低聚物的烷氧基的反应性强,并且具有足够数量的与有机官能团反应的官 能团,因此优选。作为这样的低聚物,可以列举例如作为3-(2, 3-环氧丙氧基)丙基甲氧基 硅氧烷与二甲氧基硅氧烷的共聚物的低聚物。
[0098] 硅烷偶联剂(D)在树脂膜形成层的总质量中的质量比例优选为0. 3~2质量%, 更优选为〇. 5~2质量%,
当前第3页1 2 3 4 5 6 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1