一种新型ito导电膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种透明导电膜，特别是涉及一种表面镀铜的新型IT0导电膜。
【背景技术】
[0002] 目前，手机和平板电脑等越来越多的电子装置都采用触摸式屏幕，触摸屏作为一 种新型的输入设备已十分流行和普遍，因此作为触摸屏必不可少的透明导电膜需求量也越 来越大。其中，电阻式和电容式触摸屏较为常用。随着技术的进步，电容式触摸屏的各种结 构不断涌现，其中最常用的有苹果经典的双面IT0结构，单面TP桥结构，film-glass结构， film-film-glass结构等，其中对于film-film结构的电容屏结构，电极引线大多采用丝印 银浆，IT0导电膜制作感应图型后，需于边侧上方制作导线，将讯号连接制驱动1C。目前 制作法多于IT0上方印刷导电银浆，但因银浆中需添加黏着剂，若黏着剂过高则会导致导 电度较差；黏着剂过低则粘着性不强，并且制作的银导电厚度较厚且线宽较宽，绕曲效果亦 较差，容易造成断线的问题。
【发明内容】
[0003] 本发明是针对现有技术的不足，提供一种新型IT0导电膜，该IT0导电膜数百奈米 的厚度即可达到所需的导电效果，且避免使用黏着剂，可有效解决IT0导电膜绕曲效果较 差、容易断线的问题。
[0004] 本发明采用的技术方案如下：一种新型IT0导电膜，包括基材层、其特征在于：还 包括在基材层上表面上依次叠设的光学调整层、IT0层、导电密着层、铜导线层、导电阻绝 层，所述导电密着层厚度为1~l〇〇nm，所述铜导线层厚度为50nm~800nm，所述导电阻绝 层具备导电作用，其厚度为1~l〇〇nm，所述IT0层用1N盐酸浸泡3分钟的表面电阻变化率 0 ~20%〇
[0005] 进一步的，所述基材层与光学调整层之间制作具有抗刮伤效果的硬涂层，所述硬 涂层为滑性硬涂层或含有突出粒子之抗炫光硬涂层，其膜厚为0. 5~5微米。
[0006] 进一步的，所述基材层的下表面上制作有具有抗刮伤效果的硬涂层或含有突出粒 子之抗炫光硬涂层。
[0007] 进一步的，所述基材层的下表面依次叠设有光学调整层、IT0层、导电密着层、铜导 线层、导电阻绝层。
[0008] 进一步的，所述基材层的下表面进一步上依次叠设有硬涂层、光学调整层、IT0层、 导电密着层、铜导线层、导电阻绝层。
[0009] 进一步的，所述IT0层厚度取值范围选择为20nm~30nm，表面电阻取值范围选择 刍 400 Q / □ 〇
[0010] 进一步的，所述导电密着层的材料为镍铬合金、镍铜合金、钼、钛、铜钛合金、镍铜 钛合金、镍铜络合金中的任意一种，其厚度优选为2~50nm。
[0011] 进一步的，所述导电阻绝层的材料为镍铬合金、镍铜合金、钼、钛、铜钛合金、镍铜 钛合金、镍铜络合金中的任意一种，其厚度优选为2~50nm。
[0012] 进一步的，所述铜导线层厚度优选为100nm~300nm。
[0013] 与现有技术相比，本发明在IT0导电膜上方，以溅镀、蒸镀等技术，直接将铜导线 层于制作IT0上方，因铜导线层为纯金属，不需要添加黏着剂，因此仅需数百奈米的厚度即 可达到需求之导电效果，同时因无黏着剂之添加，同时也解决了绕曲的问题；通过在IT0 层与铜导线层中间添加一导电密着层，在铜导线层上方增加一导电阻绝层，有效克服了铜 与IT0密着效果不佳，且容易氧化的问题，也具备现有导电效果外亦可以解决密着与抗氧 化问题，增加产品耐候性。
【附图说明】
[0014] 附图1是本发明的第一较佳实施例的结构示意图；
[0015] 附图2是本发明的第二较佳实施例的结构示意图；
[0016]附图3是本发明的第三较佳实施例的结构示意图；
[0017] 附图4是本发明的第四较佳实施例的结构示意图；
[0018]附图5是本发明的第五较佳实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，在不 冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合，下面将参考附图并结 合实施例来详细说明本发明。
[0020] 本发明的透明导电膜的第一实施例，请参阅图1，所述新型IT0导电膜包括依次叠 设的基材层1、光学调整层2、IT0层3、导电密着层4、铜导线层5、导电阻绝层6。所述基材 层1为可透光材质，且表面均匀且平整，其材质可为例如PET、PEN、PC、COP(Cyclic Olefin Polymers)、或 COC(Cyclic Olefin Copolymer)中的一种，其中，优选为 PET 膜。
[0021] 所述光学调整层2形成于塑料基材层1的上表面上，用于调整入射光的折射率，所 述光学调整层2的折射率优选为1. 4-1. 55,厚度优选为5-70nm。光学调整层2可以选择以 下材料的一种或多种制得：氟化镁、硅的氧化物，硅的氮氧化物，优选二氧化硅。
[0022] 所述IT0层3为铟锡氧化物导电层，其氧化锡（Sn02)比例介于1~10%间，并以 薄膜沉积的方式形成于所述光学调整层2上，并经由150°C下经过60分钟老化处理，IT0层 3的表面电阻经1N盐酸浸泡3分钟后，其变化率5 20 %，进一步的，所述IT0层3厚度为 20nm~30nm，IT0层3的表面电阻优选为兰400 Q / 口。
[0023] Q/ □为薄膜电阻的单位，即欧姆/平方。薄膜电阻具有均匀厚度薄膜电阻的量 度。通常被用作评估半导体掺杂的结果。这种工艺的例子有：半导体的掺杂领域（比如硅 或者多晶硅），以及被丝网印刷到薄膜混合微电路基底上的电阻。薄膜电阻这一概念的使 用，与电阻或者电阻率相对，是它直接用四终端感应测量法（也称为四点探针测量法）来测 量。薄膜电阻用欧姆/平方来计量，可被应用于将薄膜考虑为一个二维实体的二维系统。它 与三维系统下所用的电阻率的概念对等。当使用到薄膜电阻一词的时候，电流必须沿著薄 膜平面流动，而非与其垂直。对于常规三维导体，电阻可被写为;其中p代 表电阻率，A代表截面面积而L代表长度。截面面积可被分解为宽度W和薄膜厚度t。当把 电阻率和厚度放到一起时，电阻可被记为麗=|'||7 =氣即为薄I旲电阻。因为它被^ 无量纲量所乘，所以单位依然是欧姆。而欧姆/平方这一单位被使用是因为它给出了以欧 姆为单位的从一个平方区域流向相对平方区域的电阻，无论平方区域的大小如何。对于正 方情形，L=W。因此，对任意平方大小，有R=R S。四点探针是使用来减少接触电阻的问题，它 常被使用来确认材料的片电阻值。感应测量也是有被使用。此方法是测量由涡流产生的屏 蔽效果。这种技术的其中一种是被测导电片放置在两个线圈之间。另外，这种非接触式片 电阻值的测量方法也可以测量封装内的薄膜或表面粗糙度大的薄膜。
[0024] 所述导电密着层4具备导电作用，用于增加铜与IT0密着性，导电密着层4的材料 为镍铬合金、镍铜合金、钼、钛、铜钛合金、镍铜钛合金、镍铜铬合金中的一种，其厚度为1~ 100nm，其中优选为2~50nm。
[0025] 所述铜导线层5不限于纯铜，亦可为导电的铜合金，其厚度为50nm~800nm，其中， 优选为l〇〇nm~300nm。
[0026] 所述导电阻绝层6具备导电效果，用于防止铜氧化，增加耐候性能力，导电阻绝层 6的材料为镍铬合金、镍铜合金、钼、钛、铜钛合金、镍铜钛合金、镍铜铬合金中的一种，其厚 度为1~l〇〇nm，其中优选为2~50nm。
[0027] 请参阅图2,为本发明第二实施例，所述新型IT0导电膜在第一较佳实施例的基础 上，所述基材层1与光学调整层2之