个批次封装的芯片具有相同色温和显色指 数（显色指数变化小于0.3%)。
[0100] 这些实验结果说明本发明方法的方法，简化了工艺流程，避免了原有工艺中围坝、 混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高成品率和大幅度降低生产成本。本发 明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光粉沉降，使得封装的C0B 型LED芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种封装的COB型LED芯片其中的芯片 和封装膜粘结强，封装的C0B型LED芯片耐高低温冲击，长时间使用不老化。
[0101] 具体固化条件、热固化评价及外观评价等见表4。
[0102] 表 4
[0103]
[0104]
[0105]
[0106] 表4中的固化条件（°C/h)以80/0. 5, 120/4为例，表示为80°C维持0.5h后再在 120°C 维持 4h。
[0107] 实施例16
[0108] 以远程激发荧光膜（纳晶科技股份有限公司）代替实施例15-1中的粘性荧光胶 膜，其他过程制备同实施例15-1，得到封装芯片，经热固化、外观检查、红墨水实验评价、冷 热冲击实验、死灯率检测等，发现热固化完全，但是封装不完全，有局部漏光，而且红墨水实 验不合格，死灯率较高12%。说明远程激发荧光膜对芯片粘附性能略差。
[0109]实施例17
[0110] 以远程激发荧光膜（纳晶科技股份有限公司）代替实施例15-20中的粘性荧光胶 膜，其他过程制备同实施例15-20,得到封装芯片，经热固化、外观检查、红墨水实验评价、冷 热冲击实验、死灯率检测等，发现热固化完全，但是封装不完全，有局部漏光，而且红墨水实 验有部分封装芯片不合格，死灯率较高13%。说明远程激发荧光膜对芯片粘附性能略差。
[0111]C0B型LED芯片封装制备的热固化评价，观察固化是否完全，评价热固化性能。
[0112] 对C0B型LED芯片封装制备的封装芯片外观进行评价，通过显微镜观察评价表面 光滑程度、统计分析荧光胶膜和芯片以及基材之间有无封装胶开裂。如果表面光滑、无开裂 说明封装效果良好。
[0113] 对热固化后本发明的C0B型LED芯片封装制备的封装芯片进行红墨水实验，煮沸 24小时，评价其粘附性能。如果有红墨水渗漏，则不合格。
[0114] 热固化后本发明的封装胶折光指数测定。
[0115] 芯片色温测试采用Led色温测试仪测定。
[0116]冷热冲击采用冷热冲击实验箱，温度范围为-40度-200度，经过50个高低温循环 后，观察封装胶和芯片以及基材之间是否有开裂，如果没有开裂就为通过。
[0117]死灯率是指封装后的Led芯片通电点亮，每百个芯片中不能点亮的比例为死灯 率。
[0118] 批次之间差异（批次稳定性）是指按照相同操作过程，制备出20批次，检测封装 效果和色温等。
【主权项】
1. 一种COB型LED芯片的快速封装方法，其特征是包括如下步骤：将荧光胶膜（1)覆 盖住COB型LED芯片（2)，在真空条件下，使荧光胶膜粘附在COB型LED芯片上，然后在常压 条件下，加热使荧光胶膜固化封装于COB型LED芯片，得到封装的COB型LED芯片（3)。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述荧光胶膜为远程激发荧光膜或粘性荧光 胶膜。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征是所述粘性荧光胶膜用下述方法制成： ⑴按质量称取：100份乙烯基硅橡胶，5-50份气相二氧化娃，2-50份乙烯基硅油，1-50 份甲基乙烯基MQ硅树脂，0. 1-3份羟基硅油，5-250份LED荧光粉，混合得混合物1 ; 所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0. 001% -15%、粘度为3000-200000mPa. s ; 所述甲基乙烯基MQ硅树脂的乙烯基含量为0. 1% -15%、粘度为5000-200000mPa. s， 所述羟基硅油的粘度范围为10_50mPa. s ; ⑵按质量称取：0? 00005~0? 001份抑制剂，1~5份增粘剂，3. OX KT4~L 5 X KT3 份卡式铂金催化剂，氢含量为0. 1% -1. 6%、粘度为5-500mPa. s的甲基含氢硅油，使所述甲 基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物1中乙烯基摩尔数的1. 1-5倍； (3)将步骤（2)的各组份加入到混合物1中，经捏合机、双辊开炼机或密炼机混炼均匀 得混合物2,将混合物2挤出于离型膜上并覆盖另一离型膜、压延。4. 根据权利要求3所述的方法，其特征是所述乙烯基硅橡胶是分子量为40-80万、乙烯 基含量为〇. 04-1. 1 %乙烯基甲基硅橡胶，或分子量为20-80万的苯含量为4 % -25 %的乙烯 基苯基硅橡胶。5. 根据权利要求3所述的方法，其特征是所述气相二氧化硅为HL-150, HL-200， HL-200H，HL-300, HL-380, HB-215, HB-615, HB-620, HB-630, HB-135 和 HB-139 中的至少一 种。6. 根据权利要求3所述的方法，其特征是所述LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉 和硅酸盐系荧光粉至少两种。7. 根据权利要求3所述的方法，其特征是所述抑制剂为1-乙炔-1-环已醇、3, 5-二甲 基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3- 丁炔-2-醇中的至少一种。8. 根据权利要求3所述的方法，其特征是所述增粘剂为Y -甲基丙烯酰氧基丙基三甲 氧基硅烷、y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙 氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三（乙氧甲氧基）硅烷、Y-(2, 3-环氧丙氧）丙基 三甲氧基硅烷、y-(2, 3-环氧丙氧）丙基三乙氧基硅烷、Y _(2, 3-环氧丙氧）丙基甲基二 甲氧基硅烷、0 _(3, 4-环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷中的至少一种。9. 根据权利要求3所述的方法，其特征是所述增粘剂为含有环氧基和异氰基改性增粘 剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将1，3, 5, 7-四甲 基环四硅氧烷升温至40~60°C，在3~5小时内滴加由1，2_环氧-4-乙烯基环己烷、乙 烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 1~0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液 组成的混合液，在60~80°C反应2~3小时；所述1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环 氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表 示，所述a:b:c:d的摩尔比=1: (0~3) : (0~3) : (0~3)，并且，2 < b+c+d < 4 ;所述氯 铂酸的添加量为a、b、c和d总量的10~50ppm。10.根据权利要求3所述的方法，其特征是所述增粘剂为含有环氧基和异氰基改性增 粘剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将高含氢硅油升 温至40~60°C，在3~5小时内滴加由1，2_环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅 烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 1~0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在 60~80°C反应2~3小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、 乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙稀酸异氰基乙醋依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比= 1: (0~0. 3) : (0~0. 3) : (0~0. 3)，并且，b+c+d彡0. 1 ;所述氯铂酸的添加量为e、b、c和 d总量的10~50ppm ;所述高含氢硅油为粘度25°C时22-28mm2/s，含氢质量为1% -L 6%。
【专利摘要】本发明公开了一种COB型LED芯片的快速封装方法，包括如下步骤：将荧光胶膜1覆盖住COB型LED芯片2，在真空条件下，使荧光胶膜粘附在COB型LED芯片上，然后在常压条件下，加热使荧光胶膜固化封装于COB型LED芯片，得到封装的COB型LED芯片3。本发明的方法简化了原有工艺的工艺流程，提高生产效率，同时提高成品率和大幅度降低生产成本。操作简单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光粉沉降，使得COB型LED芯片封装的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种封装COB型LED芯片，其中的芯片以及基板和封装膜粘结强，耐高低温冲击，长时间使用不老化。折光系数1.40～1.43，硬度与柔韧性适中。
【IPC分类】H01L33/56, H01L33/50
【公开号】CN104882529
【申请号】CN201510247071
【发明人】谭晓华, 韩颖, 冯亚凯
【申请人】天津德高化成新材料股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年5月14日