等离子体处理装置和薄膜晶体管的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及对作为形成于基板上的薄膜晶体管的电极的金属膜进行等离子体处理的技术。
【背景技术】
[0002]液晶表不装置(LCD:Liquid Crystal Display)等的 FPD (Flat Panel Display)所使用的例如薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)通过在玻璃基板等的基板上对栅极电极、栅极绝缘膜、半导体层等进行图案化并依次叠层来形成。
[0003]在该TFT中，作为与半导体层连接的源极电极、漏极电极的材料使用铝、含有铝的合金的金属膜时，有时利用含有氯的蚀刻气体(称为“氯类的蚀刻气体”)对这些电极、配线(有时将这些一并称为电极)进行图案化。但是，在使用氯类的蚀刻气体进行了图案化的电极、图案化时使用的抗蚀剂中残留有氯，在向下一个步骤搬送基板的过程中，大气中的水分与氯反应，存在引起电极的腐蚀(腐蚀)的可能。
[0004]在此，在引用文献I中，记载有如下技术:使用氯类的蚀刻气体在半导体基板上对半导体装置的铝配线进行图案化之后，使用含有水分的氧等离子体进行抗蚀剂图案的灰化，由此，与抗蚀剂图案一起，使附着于铝配线的表面的氯形成为气体状的盐酸(HCl)而除去。
[0005]此外，在引用文献I中，记载有能够使用“对抗蚀剂图案通过含有氢(H)或一氧化一氢(OH)的氧气的等离子体进行灰化除去的步骤”除去附着于抗蚀剂图案的氯，但是说明书中仅记载添加了水分的氧等离子体的例子。
[0006]另外，在引用文献2中，记载了如下技术:在沟道蚀刻型的TFT的制造步骤中，通过湿式蚀刻形成源极/漏极的电极，接着利用氯类的蚀刻气体进行杂质半导体层的干式蚀刻之后，用氢等离子体对露出的不定形硅(a-Si)的表面进行处理，由此，形成稳定的绝缘层，并且，除去抗蚀剂。另外，还记载了能够利用利用暴露于氢等离子体除去成为腐蚀的发生原因的氯。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本特开平6-333924号公报:权利要求1、段落0002?0004、0027
[0010]专利文献2:日本特开2009-283919号公报:权利要求4、段落0062?0064、0075
【发明内容】
[0011]发明想要解决的技术问题
[0012]基于这些引用文献1、2中记载的技术，通过利用等离子体的灰化处理进行抗蚀剂图案的除去，有时不能完全除去抗蚀剂而残留有残留物。因此，有时采用这样的残留物的问题少、使用能够以更短时间除去抗蚀剂的剥离液的抗蚀剂的除去，此时，无法利用灰化的机会进行氯的除去。
[0013]另外，在氧等离子体中添加水分或使用氢等离子体的方法，存在难以充分供给除去氯的活性成分、无法抑制腐蚀并且充分除去氯的可能。
[0014]本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供在薄膜晶体管的制造步骤中能够抑制腐蚀的发生并且对含有铝的电极进行图案化的等离子体处理装置、薄膜晶体管的制造方法和存储有该方法的存储介质。
[0015]用于解决技术课题的技术方案
[0016]本发明的等离子体处理装置，其用于对形成有薄膜晶体管的基板实施等离子体处理，上述等离子体处理装置特征在于，包括:
[0017]设有用于载置基板的载置的载置台，进行对上述基板的等离子体处理的处理容器；
[0018]进行上述处理容器内的真空排气的真空排气部；
[0019]对上述处理容器内供给作为等离子体产生用的气体的氢气的氢气供给部；和
[0020]用于使供给到上述处理容器内的等离子体产生用的气体等离子体化的等离子体发生部，
[0021]上述基板是在含有铝的金属膜的上层侧形成图案化的抗蚀剂膜、通过含有氯的蚀刻气体对上述金属膜进行了蚀刻处理而得到的。
[0022]上述等离子体处理装置也可以具备以下的特征。
[0023](a)包括用于在上述等离子体产生用的气体中添加氧气的氧气供给部。
[0024](b)上述等离子体处理在0.667Pa以上、13.3Pa以下的压力范围内进行。上述载置台包括在等离子体处理的实施中将上述基板的温度调节成25°C以上、250°C以下的温度范围的温度调节部。
[0025](C)包括对该处理容器内供给含有氯的蚀刻气体的蚀刻气体供给部，用于在上述等离子体处理之前在上述处理容器内中进行上述金属膜的蚀刻处理，利用上述等离子体发生部使从该蚀刻气体供给部供给的蚀刻气体等离子体化，来进行上述金属膜的蚀刻处理。此时，上述蚀刻处理在0.667Pa以上、13.3Pa以下的压力范围内进行。另外，上述载置台包括在蚀刻处理的实施中将上述基板的温度调节成25°C以上、120°C以下的温度范围的温度调节部。
[0026](d)上述等离子体发生部包括用于产生感应耦合型等离子体的天线部。
[0027]发明效果
[0028]本发明对使用氯类的蚀刻气体进行了蚀刻处理的含有铝的金属膜，使用氢气的等离子体进行处理，因此，能够除去蚀刻处理时附着于金属膜、抗蚀剂的氯，抑制腐蚀的发生。
【附图说明】
[0029]图1是表示应用发明的实施方式的保护处理(等离子体处理)的TFT的一个例子的纵剖侧面图。
[0030]图2是应用上述保护处理的TFT的另一例子的纵剖侧面图。
[0031]图3是表示对源极/漏极电极进行配线的步骤的一个例子的步骤图。
[0032]图4是进行上述电极的蚀刻处理和保护处理的处理系统的平面图。
[0033]图5是设置于上述处理系统的等离子体处理装置的纵剖侧面图。
[0034]图6是表示用上述等离子体处理装置实施的处理的流程的流程图。
[0035]图7是表示蚀刻处理后的电极附近的样子的模式图。
[0036]图8是表示保护处理后的电极附近的样子的模式图。
[0037]图9是表示进行上述电极的蚀刻处理和保护处理的处理系统的另一结构例的平面图。
[0038]附图解释说明
[0039]F 基板
[0040]I 处理系统
[0041]2、2a?2d 等离子体处理装置
[0042]21 主体容器
[0043]214 真空排气机构
[0044]23 处理室
[0045]231 载置台
[0046]233 加热器
[0047]236 直流电源
[0048]24 天线部
[0049]25 喷头
[0050]261 蚀刻气体供给部
[0051]262 氢气供给部
[0052]263 氧气供给部
[0053]3 控制部
[0054]4a、4b TFT
[0055]41 玻璃基板
[0056]42 栅极电极
[0057]43 栅极绝缘膜
[0058]44 半导体层
[0059]45 电极
[0060]45a 源极电极
[0061]45b 漏极电极
[0062]46 抗蚀剂膜
[0063]47 层间绝缘膜
【具体实施方式】