形成I μπι的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3(图3(b))。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案(图3(c))。进而，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6(图3(d))。
[0102]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’ (图3(e))0
[0103]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形，从而获得了没有串扰的良好的显示。并且，获得了不易劣化的显示器。
[0104](实施例2)
[0105]对于本发明的实施例2，使用图1 (b)及图3进行说明。利用图3 (a)?(g)的工序制作图1(b)所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’(图3(a))。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成I μπι的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3(图3(b))。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案(图3(c))。进而，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6(图3(d))。
[0106]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’ (图3(e))。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8 (图3(f)) ο然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9(图3(g)) ο
[0107]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形，从而获得了没有串扰的良好的显示。并且，获得了不易劣化的显示器。
[0108](实施例3)
[0109]对于本发明的实施例3，使用图2 (b)及图3进行说明。利用图3 (a)?(g)的工序制作图2(b)所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’(图3(a))。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成I μπι的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3(图3(b))。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案(图3(c))。进而，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6(图3(d)。但半导体图案6为图2(a)的形状)。
[0110]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’ (图3(e))。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8 (图3(f)) ο然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9(图3(g)) ο
[0111]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形，从而获得了没有串扰的良好的显示。并且，获得了不易劣化的显示器。
[0112](实施例4)
[0113]对于本发明的实施例4，使用图4 (a)及图6进行说明。利用图6 (a)?(e)的工序制作图4(a)所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’(图6(a))。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成I μπι的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3(图6(b))。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案(图6(c))。进而，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6(图6(d))。
[0114]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’ (图6(e)) ο
[0115]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形，从而获得了没有串扰的良好的显示。并且，获得了不易劣化的显示器。
[0116](实施例5)
[0117]对于本发明的实施例5，使用图4 (b)及图6进行说明。利用图6 (a)?(g)的工序制作图4 (b)所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’(图6(a))。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成I μπι的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3(图6(b))。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案(图6(c))。进而，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6(图6(d))。
[0118]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’ (图6(e))。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8 (图6(f))。然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9(图
6(g)) ο
[0119]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形，从而获得了没有串扰的良好的显示。并且，获得了不易劣化的显示器。
[0120](实施例6)
[0121]对于本发明的实施例6，使用图5(b)及图6进行说明。利用图6 (a)?(g)的工序制作图5 (b)所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’(图6(a))。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成I μπι的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3(图6(b))。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案(图6(c))。进而，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6(图6(d)。但半导体图案6是图5(a)的形状)。
[0122]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’ (图6(e))。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8 (图6(f))。然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9(图
6(g)) ο
[0123]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形，从而获得了没有串扰的良好的显示。并且，获得了不易劣化的显示器。
[0124](实施例7)
[0125]对于本发明的实施例7，使用图7 (b)及图8进行说明。利用图8 (a)?(g)的工序制作图7(b)所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’(图8(a))。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成I μπι的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3(图8(b))。进而，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6(图8(c))。然后，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案(图8(d))。
[0126]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’ (图8(e))。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8 (图8(f))。然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9(图
8(g)) ο
[0127]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形，从而获得了没有串扰的良好的显示。并且，获得了不易劣化的显示器。
[0128](实施例8)
[0129]对于本发明的实施例8，使用图9及图3进彳丁说明。利用图3(a)?(g)的工序制作图9所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’(图3(a)。但栅电极2是图9的形状)。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成I ym的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3(图3(b))。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案(图3 (c))。然后，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6 (图3 (d))。
[0130]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’ (图3(e))。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8 (图3(f)) ο然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9(图3(g)) ο
[0131]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形，从而获得了没有串扰的良好的显示。并且，获得了不易劣化的显示器。但是，有栅极-电容器间发生短路的情况，成品率差。
[0132](实施例9)
[0133]对于本发明的实施例9，使用图10及图6进行说明。利用图6 (a)?(g)的工序制作图10所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’(图6(a)。但栅电极2是图10的形状)。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进