行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成I μ m的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3 (图6 (b))。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案(图6 (c))。然后，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6 (图6 (d))。
[0134]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’ (图6(e))。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8 (图6(f))。然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9(图
6(g)) ο
[0135]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形，从而获得了没有串扰的良好的显示。并且，获得了不易劣化的显示器。但是，有栅极-电容器间发生短路的情况，成品率差。
[0136](比较例I)
[0137]对于比较例1，使用图12进行说明。利用与图3相同的工序制作图12所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成Iym的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案。然后，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6o
[0138]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°c下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8。然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9。
[0139]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形时，发生了串扰。通过使栅电压并非为通常的±20V、而是提高至±25V，串扰消除。这是由于栅极-漏极间容量大的缘故。另外，进行长时间驱动时，在漏电极5或源电极4的角部分12处可见劣化(图15)。
[0140](比较例2)
[0141]对于比较例2，使用图16进行说明。利用与图3相同的工序制作图16所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成Iym的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案。然后，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6o
[0142]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°c下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8。然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9。
[0143]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形时，发生了微小的串扰。这是由于源极-像素间容量大的缘故。并且，耗电增大。进而进行长时间驱动时，在漏电极5或源电极4的角部分12处可见劣化。
[0144](比较例3)
[0145]对于比较例3，使用图17进行说明。利用与图3相同的工序制作图17所示的元件。首先，在作为绝缘基板I的PEN上利用蒸镀成膜50nm的Al，通过光刻法及湿式刻蚀形成栅电极2、栅极配线2’、电容器电极10、电容器配线10’。接着，将聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，在150°C下进行烧成，从而形成Iym的聚乙烯基苯酚作为栅绝缘膜3。进而，作为源电极4、源极配线4’、漏电极5、像素电极7，将Ag油墨进行胶版印刷，在180°C下进行烧成，从而形成图案。然后，将聚噻吩溶液进行挠性印刷，在100°C下进行烧成，从而形成半导体图案6o
[0146]接着，将氟化树脂进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成保护层6’。然后，将环氧树脂进行丝网印刷，在100°c下进行烧成，从而形成层间绝缘膜8。然后，将银糊料进行丝网印刷，在100°C下进行烧成，从而形成上部像素电极9。
[0147]在如此制作的薄膜晶体管阵列与具有透明电极的PET基板之间夹持电泳体，施加规定的驱动波形时，发生了微小的串扰。这是由于源极-像素间容量大的缘故。并且，耗电增大。进而进行长时间驱动时，在漏电极5或源电极4的角部分12处可见劣化。
[0148]至此，作为栅电极2相比较于源电极4、漏电极5更位于下层的底栅结构进行了说明，但也可以使相同的电极形状形成为栅电极2相比较于源电极4、漏电极5更处于上层的顶栅结构。此时，不仅在层间绝缘膜、而且在栅绝缘膜上也需要设置开口部。另外，上部像素电极变为必需，其也需要使得与电容器电极不发生短路(即要使得电容器电极不与栅绝缘膜的开口部接触)。
[0149]由以上的说明可以理解，本发明具有以下的效果。一个是可以减小栅极-源极间容量、源极-像素间容量、栅极-像素间容量，可获得显示品质良好的薄膜晶体管阵列。另夕卜，由于漏电极或源电极上没有电流集中部分，因此可获得不易劣化的薄膜晶体管阵列。进而，可以增大栅极-电容器间距离，可提供缺陷少的薄膜晶体管阵列。
[0150]产业上的可利用性
[0151]本发明可以适用于液晶显示装置、电子纸、有机EL显示装置等的薄膜晶体管阵列。
[0152]符号说明
[0153]I 绝缘基板
[0154]2 栅电极
[0155]2’栅极配线
[0156]3 栅绝缘膜
[0157]4 源电极
[0158]4’源极配线
[0159]5 漏电极
[0160]6 半导体图案
[0161]6’保护层
[0162]7 像素电极
[0163]8层间绝缘膜
[0164]8A层间绝缘膜的孔
[0165]9上部像素电极
[0166]10电容器电极
[0167]10’电容器配线
[0168]11漏电极中与栅电极重叠且未形成沟槽的部分
[0169]12漏电极或源电极的内角小于180°的角部的顶点
[0170]13栅极-电容器间距离小的部分
【主权项】
1.一种薄膜晶体管阵列， 其在绝缘基板上具有:栅电极及连接于所述栅电极的栅极配线和电容器电极及连接于所述电容器电极的电容器配线；栅绝缘膜；以及在俯视下在与所述栅电极重叠的区域内具有彼此的间隙的源电极及漏电极， 至少在所述源电极与所述漏电极的所述间隙中具有半导体图案， 且所述薄膜晶体管阵列具有:连接于所述源电极的源极配线；连接于所述漏电极并在俯视下与所述电容器电极重叠的像素电极；以及覆盖在所述半导体图案上的保护层， 其中，在俯视下，所述漏电极为I根等宽的线状，所述源电极是线状且是距离所述漏电极隔着一定间隔将所述漏电极包围的护套形状，所述源极配线按照将多个源电极间连接的方式形成并且比下述区域的宽度细，所述区域是将所述半导体图案中位于所述源电极与所述漏电极的所述间隙的部分沿着垂直于栅极配线的延伸方向的方向延长的区域。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，在俯视下，所述源极配线被收容在将所述半导体图案中位于所述源电极与所述漏电极之间的部分沿着垂直于所述栅极配线的延伸方向的方向延长的区域的内部。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列，其中，在俯视下，所述漏电极从平行于所述栅极配线的延伸方向的方向向平行于所述源极配线的延伸方向的方向弯曲并延展，所述源电极的所述护套形状沿着所述漏电极的延展方向呈曲线状。4.根据权利要求1?3中任一项所述的薄膜晶体管阵列，其中，在俯视下，所述漏电极的前端发圆，所述源电极的护套形状的前端沿着所述漏电极的前端呈曲线状。5.根据权利要求1?4中任一项所述的薄膜晶体管阵列，其中，在俯视下，所述半导体图案是在沿着所述源极配线的延伸方向的方向上横跨多个薄膜晶体管的连续的条带形状。6.根据权利要求1?5中任一项所述的薄膜晶体管阵列，其中，在俯视下，所述半导体图案的边缘与所述漏电极及包围所述漏电极的源电极的护套形状的开口部前端附近交叉。7.根据权利要求1?6中任一项所述的薄膜晶体管阵列，其中，在俯视下，所述保护层是在沿着所述源极配线的延伸方向的方向上横跨多个薄膜晶体管的连续的条带形状。8.根据权利要求3?7中任一项所述的薄膜晶体管阵列，其中，在俯视下，所述栅电极并非是长方形，而是沿着所述源电极的曲线状的曲线状或多边形形状。9.根据权利要求1?8中任一项所述的薄膜晶体管阵列，其还进一步具有:在所述像素电极上有孔的层间绝缘膜；和通过所述层间绝缘膜的孔连接于所述像素电极的上部像素电极。
【专利摘要】本发明提供栅极-源极间容量或源极-像素间容量小、不易劣化且缺陷少的薄膜晶体管阵列。本发明的薄膜晶体管阵列在绝缘基板上具有栅电极、栅极配线、电容器电极、电容器配线、栅绝缘膜、以及在俯视下在与栅电极重叠的区域内具有彼此的间隙的源电极及漏电极，至少在所述间隙中具有半导体图案，所述薄膜晶体管阵列具有源极配线、连接于漏电极并在俯视下与电容器电极重叠的像素电极和覆盖在半导体图案上的保护层，其中，在俯视下，漏电极为1根等宽的线状，源电极是线状且是距离漏电极隔着一定间隔将漏电极包围的护套形状，源极配线按照将多个源电极间连接的方式形成并且比下述区域的宽度细，所述区域是将半导体图案中位于所述间隙的部分沿着垂直于栅极配线延伸方向的方向延长的区域。
【IPC分类】H01L29/786, H01L21/336, H01L21/3205, H01L23/522, H01L21/768, G09F9/30
【公开号】CN105051908
【申请号】CN201480017046
【发明人】石崎守
【申请人】凸版印刷株式会社
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2014年3月7日
【公告号】WO2014147990A1