闪存制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种闪存制造方法。
【背景技术】
[0002] 存储器用于储存大量数字信息，多年来，工艺技术的进步和市场需求催生越来越 多高密度的各类型存储器，其中，闪存（Flash memory)由其具有寿命长、集成度高、存取速 度快、易于擦除和重写等优点被广泛应用在各类电子产品诸如智能卡、S頂卡、微处理器、手 机中。
[0003] 通常，一个典型的闪存器件包括存储区域和外围电路区域（periphery)，其中存储 区域包括了存储单元部分（cell)，外围电路区域包括各类晶体管。为了提高集成度和工艺 效率，嵌入式闪存技术将闪存工艺嵌入到标准的逻辑或混合电路工艺中。
[0004] 具体地说，现有的嵌入式闪存制造流程通常包括如下步骤：
[0005] 参照图1A，提供半导体衬底101，所述半导体衬底101包括第一区域111和第二区 域122,所述第一区域111用于形成闪存结构，所述第一区域111进一步包括外围电路区域 113和存储单元区域112,所述第二区域122用于进行标准逻辑电路工艺；
[0006] 参照图1B，在第一区域111形成第一多晶硅层105,用以形成闪存结构的浮栅和选 择栅，在第一区域111和第二区域122上形成第二多晶硅层104,用以形成闪存结构的控制 栅以及标准逻辑电路中晶体管的栅极；
[0007] 参照图1C，对所述第一区域111的第一多晶娃层105和第二多晶娃层104进行光 刻和刻蚀工艺形成堆叠栅结构；
[0008] 参照图1D，在所述堆叠栅结构两侧形成侧墙106 ;
[0009] 参照图1E，对第二多晶硅层104进行光刻和刻蚀工艺，以去除第一区域111部分堆 叠栅结构的第二多晶硅层104,并在第二区域形成栅极结构。
[0010] 实践中发现，上述方法易在第一区域部分侧墙106的角落处形成多晶硅残留109， 影响器件的性能和可靠性。
【发明内容】
[0011] 本发明提供一种闪存制造方法，以解决侧墙角落处易残留多晶硅的问题。
[0012] 为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存制造方法，包括：
[0013] 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括 外围电路区域和存储单元区域；
[0014] 在所述第一区域上依次形成第一多晶硅层和隧穿氧化层，在所述第一区域和第二 区域上形成第二多晶硅层；
[0015] 对所述第一区域上的第一多晶硅层和第二多晶硅层进行光刻和刻蚀工艺形成堆 置極结构；
[0016] 对所述第二多晶硅层进行光刻和刻蚀工艺，以去除所述存储单元区域的部分区域 以及外围电路区域上的堆叠栅结构的第二多晶硅层，形成第一栅极结构，并在所述第二区 域上形成第二栅极结构；
[0017] 在所述堆叠栅结构、第一栅极结构和第二栅极结构两侧形成侧墙；以及
[0018] 去除所述第二区域上的侧墙。
[0019] 可选的，在所述的闪存制造方法中，所述第一多晶硅层的厚度为2500A~3000A， 所述第二多晶硅层的厚度为1750人~2000人,所述隧穿氧化层的厚度为150人~200A。
[0020] 可选的，在所述的闪存制造方法中，利用化学气相沉积工艺形成所述第一多晶硅 层和第二多晶娃层。
[0021] 可选的，在所述的闪存制造方法中，采用干法刻蚀工艺去除所述存储单元区域的 部分区域以及所述外围电路区域上的堆叠栅结构的第二多晶硅层，所述干法刻蚀工艺采用 的刻蚀气体为HBr、Cl2或HeO2中的一种或几种。
[0022] 可选的，在所述的闪存制造方法中，去除所述第二区域栅极的侧墙的步骤为：在所 述第一区域上形成掩膜层；利用湿法刻蚀工艺去除所述第二区域上的侧墙；以及去除所述 掩膜层。
[0023] 可选的，在所述的闪存制造方法中，所述掩膜层为二氧化硅。
[0024] 与现有技术相比，本发明对第二多晶硅层进行光刻和刻蚀工艺之后再形成侧墙， 避免侧墙影响第二多晶硅的刻蚀，最后再去除第二区域上的侧墙，这样并不会造成多晶硅 残留的缺陷，有利于提高器件的性能和可靠性。
【附图说明】
[0025] 图IA至IE为现有的闪存制造方法各步骤的剖面结构示意图；
[0026] 图2为本发明一实施例所提供的闪存制造方法的流程图；
[0027] 图3A至图3F为本发明一实施例所提供的闪存制造方法各步骤的剖面结构示意 图。
【具体实施方式】
[0028] 根据【背景技术】所述，现有的闪存制造方法制造流程容易在侧墙的角落处形成多晶 硅残留，严重影响器件的性能和可靠性。本申请发明人经过长期研究发现，之所以出现多晶 硅残留是因为侧墙角落处较难被刻蚀到，也就是说，侧墙的存在影响了对第二多晶硅层的 刻蚀。为此，本发明提供一种闪存制造方法，形成堆叠栅结构后不形成侧墙结构，而是先对 第二多晶硅层进行光刻和刻蚀工艺，由于此时尚未形成侧墙结构，较易控制刻蚀工艺的效 果，能够很好的去除该些第二多晶硅层，避免产生缺陷。
[0029] 请参考图2,其为本发明实施例所提供的闪存制造方法的流程图，结合该图2,该 方法包括以下步骤：
[0030] 步骤S210,提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一 区域包括外围电路区域和存储单元区域；
[0031] 步骤S220,在所述第一区域上依次形成第一多晶硅层和隧穿氧化层，并在所述第 一区域和第二区域上形成第二多晶硅层；
[0032] 步骤S230,对所述第一区域上的第一多晶硅层和第二多晶硅层进行光刻和刻蚀工 艺形成堆叠栅结构；
[0033] 步骤S240,对所述第二多晶硅层进行光刻和刻蚀工艺，以去除所述存储单元区域 的部分区域以及外围电路区域上的堆叠栅结构的第二多晶硅层形成第一栅极结构，并在第 二区域上形成第二栅极结构；
[0034] 步骤S250,在所述堆叠栅结构、第一栅极结构和第二栅极结构两侧形成侧墙；
[0035] 步骤S260,去除所述第二区域上第二栅极结构两侧的侧墙。
[0036] 下面将结合剖面示意图对本发明的闪存制造方法进行更详细的描述，其中表示了 本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现 本发明的有利效果。
[0037] 如图3A所示，并结合步骤S210,首先，提供一半导体衬底301，所述半导体衬底301 包括第一区域311和第二区域322。所述第一区域311用于形成闪存结构，也称为高压区 域。所述第二区域322用于进行标准逻辑电路工艺，也称为低压区域。其中，所述第一区域 311进一步包括外围电路区域313和存储单元区域312,所述第