051]在该实施例中所述环形振荡器内外嵌套设置，所述环形振荡器的数目并不局限于某一数值范围，可以根据需要进行设置。
[0052]其中，所述环形振荡器包括内环形振荡器101和外环形振荡器102，其中所述外环形振荡器102包围所述内环形振荡器101，所述内环形振荡器101嵌于所述外环形振荡器102的中心，形成环形阵列，但是两者并不接触。
[0053]进一步，所述内环形振荡器101和外环形振荡器102由奇数个反相器组成，所述内环形振荡器101和外环形振荡器102中反相器的数目相等，其具体数目并不局限于某一数值范围，可以根据实际需要进行选择。
[0054]具体地，所述外环形振荡器102和所述内环形振荡器101整体呈方形结构，如图1c所示，在所述外环形振荡器102中一边包括N个反相器，另一边包括M个反相器，相应地，所述在所述内环形振荡器101中一边包括N-2个反相器，另一边包括M-2个反相器，且2N+2M-4 = (N-2) (M-2)，其中所述 N= 5、6、8、12 等，相应的 M = 12、8、6、5 等。
[0055]其中，每个反相器包括一个NMOS和一个PMOS，如图2所示，其中，所述NMOS和所述PMOS的栅极相连形成所述反相器的输入端，所述NMOS漏极和所述PMOS的源极相连形成所述反相器的输出端，所述NMOS的源极接地，所述PMOS的源极连接电源。
[0056]可选地，在每个所述环形振荡器都具有测试端30，用于连接测试仪器，用于对焊盘下结构进行测试。
[0057]本发明所述测试结构的工作原理为:在接合和/或探测前对所述检测单元进行测试；在接合和/或探测后对所述检测单元进行测试；对比接合和/或探测前后的测试结果，分析接合和/或探测对焊盘下装置性能的影响。
[0058]其中，所述焊盘下装置性能包括传播延迟(propagat1n delay)和漏电流(draincurrent)波动性能。
[0059]进一步，在该过程中同时测量外环形振荡器和所述内环形振荡器在接合和/或探测前后的频率或者阈值电压参数进行分析，并不局限于某一种。
[0060]本发明所述焊盘下装置的检测结构在接合和/或探测前后对所述检测结构进行测试，并通过比较接合和/或探测前后的参数，得到在所述接合和/或探测过程中对所述检测结构的影响，从而对对焊盘下装置的性能进行评价，在器件设计以及批量生产中能够准确的监控接合、探测中对焊盘下装置的影响，从而提高器件的性能和良率。
[0061]实施例3
[0062]该实施例的结构和实施2中所述结构相同，区别在于，在所述外环形振荡器102的外围设置有若干虚拟反相器40，以包围所述环形阵列，如图1d所示，其中，所述虚拟反相器彼此独立设置，相互之间没有连接。
[0063]在该实施例中通过设置所述虚拟反相器可以减小所述检测结构自身版图对晶体管参数的变化，以进一步提高检测结构的准确度。
[0064]实施例4
[0065]下面结合附图1e对所述检测结构做进一步的说明。
[0066]如图1e所示，其中，所述环形振荡器设置于所述焊盘20的下方，其中，所述焊盘20可以为接合焊盘或者探测焊盘，并不局限于某一种，其可以选用本领域常用的金属材料。
[0067]进一步，所述焊盘20的下方还可以形成有钝化层(图中未示出)，所述环形振荡器位于所述钝化层中或者位于所述钝化层的下方。
[0068]进一步，本发明中所述焊盘20的下方还形成有其他有源器件、电路或者装置，在此不再注逐一列举，在本发明中通过对检测接合应力和探测应力对所述检测结构的影响，来评价其他焊盘下装置的性能以及在接合、探测中受到的影响。
[0069]在该实施例中所述环形振荡器内外嵌套设置，所述环形振荡器的数目并不局限于某一数值范围，可以根据需要进行设置。
[0070]其中，所述环形振荡器包括内环形振荡器和外环形振荡器102，其中所述外环形振荡器102包围所述内环形振荡器，所述内环形振荡器101嵌于所述外环形振荡器102的中心，形成环形阵列。
[0071]进一步，所述内环形振荡器包括第一内环形振荡器1011、第二内环形振荡器1012、第三内环形振荡器1013至第η内环形振荡器101η，在该实施例中包括第一内环形振荡器1011、第二内环形振荡器1012、第三内环形振荡器1013，并且由内至外，所述内环形振荡器和外环形振荡器102中反相器的数目依次增加。
[0072]具体地，所述第一内环形振荡器1011中包括3个反相器，所述第二内环形振荡器1012中包括13个反相器，所述第三内环形振荡器1013中包括21个反相器，所述外环形振荡器102中包括27个反相器，但是该实施例仅仅为示例性的，旨在说明所述结构，所述测试结构并不局限于该示例。
[0073]其中，每个反相器包括一个NMOS和一个PMOS，如图2所示，其中，所述NMOS和所述PMOS的栅极相连形成所述反相器的输入端，所述NMOS漏极和所述PMOS的源极相连形成所述反相器的输出端，所述NMOS的源极接地，所述PMOS的源极连接电源。
[0074]可选地，在每个所述环形振荡器都具有测试端30，用于连接测试仪器，用于对焊盘下结构进行测试。
[0075]本发明所述测试结构的工作原理为:在接合和/或探测前对所述检测单元进行测试；在接合和/或探测后对所述检测单元进行测试；对比接合和/或探测前后的测试结果，分析接合和/或探测对焊盘下装置性能的影响。
[0076]其中，所述焊盘下装置性能包括传播延迟(propagat1n delay)和漏电流(draincurrent)波动性能。
[0077]进一步，在该过程中同时测量外环形振荡器和所述内环形振荡器在接合和/或探测前后的频率和/或阈值电压参数进行分析，并不局限于某一种。
[0078]本发明所述焊盘下装置的检测结构在接合和/或探测前后对所述检测结构进行测试，并通过比较接合和/或探测前后的参数，得到在所述接合和/或探测过程中对所述检测结构的影响，从而对对焊盘下装置的性能进行评价，在器件设计以及批量生产中能够准确的监控接合、探测中对焊盘下装置的影响，从而提高器件的性能和良率。
[0079]实施例5
[0080]本发明还提供了一种测试方法，包括:
[0081]步骤(a)在封装和/或探测前对所述检测单元进行测试；
[0082]步骤(b)在封装和/或探测后对所述检测单元进行测试；
[0083]步骤(C)对比封装和/或探测前后的测试结构，分析封装和/或探测对焊盘下装置性能的影响。
[0084]可选地，所述性能包括传播延迟性能。
[0085]在该过程中同时测量外环形振荡器和所述内环形振荡器在接合和/或探测前后的频率和/或阈值电压参数进行分析，并不局限于某一种。
[0086]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种焊盘下装置的检测结构，包括位于所述焊盘下方的检测单元； 其中，所述检测单元包括若干环形振荡器，所述若干环形振荡器线形排列形成线形阵列或者内外嵌套形成环形阵列。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述若干环形振荡器线形排列成若干行，每一行包括若干列，以形成所述线形阵列；其中每个所述环形振荡器包括相同数目的反相器。3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述环形阵列包括内外嵌套设置的一个内环形振荡器和一个外环形振荡器，其中，所述内环形振荡器和所述外环形振荡器包括相同数目的反相器。4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述外环形振荡器和所述内环形振荡器整体呈方形结构，所述外环形振荡器的一边包括N个反相器，另一边包括M个反相器，相应地，所述内环形振荡器的一边包括N-2个反相器，另一边包括M-2个反相器，且2N+2M-4=(N-2) (M-2)。5.根据权利要求1或3所述的测试结构，其特征在于，在所述环形阵列的外围还设置有若干虚拟反相器，以包围所述环形阵列，其中，所述虚拟反相器彼此独立设置。6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在所述环形阵列中，由内到外所述环形振荡器中反相器的数目依次增加。7.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，每个所述环形振荡器都具有测试端，用于连接。8.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述环形振荡器包括若干反相器首尾相连，其中，每个反相器包括一个NMOS和一个PMOS，所述NMOS和所述PMOS的栅极相连形成所述反相器的输入端，所述NMOS漏极和所述PMOS的源极相连形成所述反相器的输出端，所述NMOS的源极接地，所述PMOS的源极连接电源。9.一种基于权利要求1-8之一所述结构的测试方法,包括: 步骤(a)在对所述焊盘接合和/或探测前对所述检测单元进行测试； 步骤(b)在对所述焊盘接合和/或探测后对所述检测单元进行测试； 步骤(C)对比接合和/或探测前后的测试结果，分析接合或者探测步骤对焊盘下装置性能的影响。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述性能包括传播延迟性能。
【专利摘要】本发明涉及一种焊盘下装置的检测结构及检测方法，所述检测结构包括位于所述焊盘下方的检测单元；其中，所述检测单元包括若干环形振荡器，所述若干环形振荡器线形排列形成线形阵列或者内外嵌套形成环形阵列。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种焊盘下装置的检测结构，包括焊盘以及位于所述焊盘下方的检测单元；其中，所述检测单元包括若干环形振荡器，其中所述若干环形振荡器线形排列形成线形阵列或者内外嵌套设置形成环形阵列，在接合或者探测前后分别对所述检测结构进行测试，并通过比较接合或者探测前后的参数，得到在所述接合或者探测过程中对所述检测结构的影响，从而对焊盘下装置进行评价。
【IPC分类】H01L21/66, H01L23/544
【公开号】CN105097781
【申请号】CN201410201704
【发明人】甘正浩
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月14日