一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有大面积，高集成度，成本低，工艺灵活，环保性能好等特点，是目前显示领域的主流显示器件。TFT-1XD显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板(Colour Filter,CF)，阵列基板包括若干阵列排列的薄膜晶体管，目前薄膜晶体管的有源层的材料主要有非晶娃(α -Si)、多晶娃(p-Si)、氧化物半导体和有机半导体等。
[0003]由于有机半导体加工温度低，能耗低，且适用于柔性基板，工艺过程简单，成膜技术众多，材料来源广泛，环境友好等特点引起了广泛的关注，有望成为新一代平板显示的核心技术。
[0004]然而薄膜晶体管的有源层采用有机半导体时，外界环境，如水、氧以及光和温度等，都会对有机薄膜晶体管器件的稳定性造成重大的影响，导致器件性能的衰减，进而降低了器件的使用寿命，极大的限制了有机薄膜晶体管的发展和应用。
[0005]有机薄膜晶体管在使用时，外界环境中的水对有机薄膜晶体管中的有机半导体层会造成一定的影响，是目前导致有机薄膜晶体管使用寿命降低的主要原因。有机半导体层对水敏感的原因是，有机半导体分子中包含一些富电子原子，如氧原子、氮原子等，这些富电子基团的极性偏负性，容易与空气中的水(H20)分子形成稳定的氢键，如图1所示，水容易与有机半导体层中的其它基团、以及有机薄膜晶体管中的金属走线发生反应，进而使有机薄膜晶体管的使用寿命大大衰减，图中X表不有机半导体分子中的富电子基团，R表不有机半导体分子中的其余基团。
[0006]综上所述，现有技术的有机薄膜晶体管的使用寿命较低。
【发明内容】
[0007]本发明实施例提供了一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以提尚有机薄I吴晶体管的使用寿命。
[0008]本发明实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制作方法，包括制作栅极、制作有机半导体层、以及制作源极和漏极，其中，在制作有机半导体层之前，该方法还包括:
[0009]在衬底基板上制作一有机绝缘层；
[0010]对所述有机绝缘层进行表面预处理，使得该有机绝缘层表面的极性偏正性。
[0011]由本发明实施例提供的有机薄膜晶体管的制作方法，由于该方法在制作有机半导体层之前还包括:在衬底基板上制作一有机绝缘层；对有机绝缘层进行表面预处理，使得该有机绝缘层表面的极性偏正性。这样使得后续制作的有机半导体层中的有机半导体分子中的极性偏负性的富电子基团在分子间的作用力下向有机绝缘层表面运动，使得这些富电子基团定向排列在有机半导体层的底部，从而使空气中的水蒸汽难以与本发明实施例中的有机半导体层结合，与现有技术相比，本发明实施例能够有效的提高有机薄膜晶体管的使用寿命。
[0012]较佳地，所述对所述有机绝缘层进行表面预处理，包括:
[0013]对所述有机绝缘层进行表面氢化处理。
[0014]较佳地，所述有机绝缘层为聚酰亚胺类绝缘膜，或为亚克力类绝缘膜。
[0015]较佳地，所述方法包括:
[0016]通过构图工艺在衬底基板上制作栅极及栅极线；
[0017]在完成上述步骤的衬底基板上制作一有机绝缘层；
[0018]对所述有机绝缘层进行表面氢化处理；
[0019]在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作有机半导体层；
[0020]在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作源极和漏极。
[0021 ] 较佳地，所述方法包括:
[0022]在衬底基板上通过构图工艺制作遮光层；
[0023]在完成上述步骤的衬底基板上制作一有机绝缘层；
[0024]对所述有机绝缘层进行表面氢化处理；
[0025]在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作有机半导体层；
[0026]在完成上述步骤的衬底基板上制作第一绝缘层；
[0027]在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作栅极及栅极线；
[0028]在完成上述步骤的衬底基板上制作第二绝缘层；
[0029]在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作源极和漏极。
[0030]较佳地，所述在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作有机半导体层，包括:
[0031]对完成上述步骤的衬底基板施加一电场，在该电场的作用下沉积一层有机半导体薄膜，沉积结束后关闭该电场；
[0032]在所述有机半导体薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，仅保留需要形成有机半导体层位置处的光刻胶；
[0033]通过刻蚀去除未被光刻胶覆盖位置处的有机半导体薄膜，并去除剩余的光刻胶，形成有机半导体层。
[0034]较佳地，所述对完成上述步骤的衬底基板施加一电场，包括:
[0035]在完成上述步骤的衬底基板的上方设置第一电极，在完成上述步骤的衬底基板的下方设置第二电极，分别为所述第一电极和所述第二电极施加不同的电压。
[0036]本发明实施例还提供了一种有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管为通过上述方法制作得到的有机薄膜晶体管。
[0037]本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括上述的有机薄膜晶体管。
[0038]本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。
【附图说明】
[0039]图1为现有技术有机半导体分子中的富电子基团与环境中的水分子形成氢键的示意图；
[0040]图2为本发明实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制作方法流程图；
[0041]图3为本发明实施例一提供的有机薄膜晶体管的制作方法流程图；
[0042]图4-图5分别为本发明实施例一提供的有机薄膜晶体管在制作过程中的不同阶段的截面结构示意图；
[0043]图6为本发明实施例一提供的制作有机半导体层的方法流程图；
[0044]图7为本发明实施例二提供的有机薄膜晶体管的制作方法流程图；
[0045]图8为本发明实施例二提供的有机薄膜晶体管的截面结构示意图；
[0046]图9为本发明实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图。
[0047]附图标记说明:
[0048]40、衬底基板；41、栅极；42、有机绝缘层；421、未被氢化的有机绝缘层；422、氢化的有机绝缘层；51、有机半导体层；52、源极；53、漏极；81、遮光层；82、第一绝缘层；83、第二绝缘层；90、钝化层；91、像素电极。
【具体实施方式】
[0049]本发明实施例提供了一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以提尚有机薄I吴晶体管的使用寿命。
[0050]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0051]下面结合附图详细介绍本发明具体实施例提供的有机薄膜晶体管及其制作方法。
[0052]附图中各膜层厚度和区域大小、形状不反应各膜层的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
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[0053]如图