一种晶体硅太阳能电池片的标记方法及太阳能电池片的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶体硅太阳能电池片的标记方法及太阳能电池片，属于太阳能电池技术领域。
【背景技术】
[0002]随着太阳能电池组件的广泛应用，光伏发电在新能源中越来越占有重要比例，获得了飞速发展。目前商业化的太阳电池产品中，晶体硅(单晶和多晶)太阳电池的市场份额最大，一直保持85%以上的市场占有率。
[0003]目前，限制光伏产业继续发展的一个制约因素就是太阳能电池的成本和转换效率。居高不下的高成本和相对的低效率是限制产业继续发展的一个瓶颈。
[0004]其中一个主要限制因素在于传统的晶体硅太阳电池生产过程中所使用的硅片往往都是采用自不同生产车间和不同流水线的硅片，在生产过程中往往很难一一甄别遴选，这对于实验研究和大批量的生产分类造成很大困难，如何对出产的硅片信息进行合理的分类和识别跟踪，这成为各大电池生产厂家和科研院所一直研究的课题。
[0005]对于硅片信息的跟踪可以很好的体现出整个生产链的流程，包括硅料的选择，铸锭或者拉晶的方式，硅片杂质浓度等，同时硅片的在线跟踪也可以对于后续的电池制造产生很好的指导作用，包括实验的优化，产业化的匹配等。例如，中国发明专利申请CN101395724A公开了一种太阳能电池标记方法，在一个带有一个基底表面的基底，用于制造具有一个活跃区的太阳能电池，运用激光照射在基底表面上生成至少一个凹坑，数量为至少一个凹坑构成用来标示太阳能电池的标记，且标记位于由半导体晶片构成的太阳能电池的活跃区内。
[0006]然而，上述方法存在如下问题:(I)需要在电池片上额外制造一个活跃区，增加了工艺步骤，增加了成本；(2)由于采用激光照射的方式在基底表面上生成凹坑，因此成本较尚O
[0007]因此，开发一种低成本的晶体硅太阳能电池片的标记方法，具有积极的现实意义。
【发明内容】
[0008]本发明的发明目的是提供一种晶体硅太阳能电池片的标记方法。
[0009]为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是:一种晶体硅太阳能电池片的标记方法，在晶体硅片丝网印刷铝背场的过程中，在硅片铝背场上设置2~3个凹坑，通过选择凹坑的数量、形状、位置和排列方式中的2种或2种以上的组合进行标记。
[0010]上文中，所述凹坑是在硅片丝网印刷铝背场的过程中形成的，例如在网版上设置盲点，在盲点处浆料无法渗透下去，从而形成凹坑。
[0011]上述技术方案中，所述标记方法分成2部分，一是通过凹坑的数量、形状和排列方式的组合来对不同的生产车间进行标记；二是通过凹坑的位置来对不同的流水线线别进行
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[0012]上述技术方案中，所述凹坑的形状选自圆形、三角形和方形中的一种或几种。
[0013]优选的，所述凹坑的形状选自圆形，其半径为1~2 _。
[0014]优选的，所述凹坑的数量为2个。
[0015]上述技术方案中，所述凹坑的排列方式为水平排列、竖直排列或斜向排列。这里的斜向排列可以是左斜向排列或右斜向排列。对于凹坑数量为3个的情况，还可以采用折线排列。
[0016]上述技术方案中，所述凹坑的位置设于硅片的边缘和/或背电极的上下左右位置。
[0017]上述技术方案中，所述凹坑的深度为10~30微米。
[0018]由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点:
1、本发明开发了一种新的晶体硅太阳能电池片的标记方法，在硅片铝背场上设置凹坑，并通过选择凹坑的数量、形状、位置和排列方式中的2种或2种以上的组合进行标记，实现了硅片的在线跟踪，可以通过成品电池片外观追溯制造过程信息，对异常电池片分析提供了基础；并对后续的电池制造产生很好的指导作用，包括实验的优化，产业化的匹配等；
2、本发明是在硅片铝背场上设置凹坑，可以与丝网印刷步骤同步完成，不需要增加额外的工艺步骤，因此成本较低，明显适于推广应用；
3、本发明通过铝背场标记点，每片成品电池都可快速的识别出生产车间和线别，利于异常追溯和解决；同时，由于标记点的数量较少，对效率损失可以忽略不计，且兼顾了背钝化效果，也起到了追溯作用。
【附图说明】
[0019]图1是本发明实施例一中凹坑的排列方式示意图。
[0020]图2是本发明实施例一中凹坑位置的设置示意图。
[0021]图3是本发明实施例一中凹坑位置的又一设置示意图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合实施例对本发明进一步描述。
[0023]实施例一:
一种晶体硅太阳能电池片的标记方法，在晶体硅片丝网印刷铝背场的过程中，在硅片铝背场上设置2~3个凹坑，通过选择凹坑的数量、形状、位置和排列方式中的2种或2种以上的组合进行标记。
[0024]所述标记方法分成2部分，一是通过凹坑的数量、形状和排列方式的组合来对不同的生产车间进行标记；二是通过凹坑的位置来对不同的流水线线别进行标记。
[0025]所述凹坑的形状选自圆形，其半径为1~2 mm。
[0026]所述凹坑的排列方式为水平排列、竖直排列或斜向排列。3个点还可以采用折线排列；参见图1所示的14种排列方式。
[0027]所述凹坑的位置设于硅片的边缘和/或背电极的上下左右位置。参见图2~3所示的几种排列方式；对于流水线线别的标记，为便于观察和记忆，可选用靠近背电极位置标记；标记方法可选用:1)按顺时针或逆时针方向，在背电极与硅片边沿之间标记；2)在背电极上方、下方或左右侧边按规则标记。图2示例按顺时针方向，在背电极与硅片边沿之间标记，图示了 9种方式；图3示例在背电极上方、下方或左右侧边标记，图示了 9种方式。
[0028]所述凹坑的深度为25~30微米。
【主权项】
1.一种晶体硅太阳能电池片的标记方法，其特征在于:在晶体片丝网印刷铝背场的过程中，在硅片铝背场上设置2~3个凹坑，通过选择凹坑的数量、形状、位置和排列方式中的2种或2种以上的组合进行标记。2.根据权利要求1所述的标记方法，其特征在于:所述标记方法分成2部分，一是通过凹坑的数量、形状和排列方式的组合来对不同的生产车间进行标记；二是通过凹坑的位置来对不同的流水线线别进行标记。3.根据权利要求1所述的标记方法，其特征在于:所述凹坑的形状选自圆形、三角形和方形中的一种或几种。4.根据权利要求3所述的标记方法，其特征在于:所述凹坑的形状选自圆形，其半径为I?2 mm05.根据权利要求1所述的标记方法，其特征在于:所述凹坑的数量为2个。6.根据权利要求1所述的标记方法，其特征在于:所述凹坑的排列方式为水平排列、竖直排列或斜向排列。7.根据权利要求1所述的标记方法，其特征在于:所述凹坑的位置设于硅片的边缘和/或背电极的上下左右位置。8.根据权利要求1所述的标记方法，其特征在于:所述凹坑的深度为10~30微米。9.根据权利要求1所述的标记方法获得的太阳能电池片。
【专利摘要】本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片的标记方法，在晶体硅片丝网印刷铝背场的过程中，在硅片铝背场上设置2~3个凹坑，通过选择凹坑的数量、形状、位置和排列方式中的2种或2种以上的组合进行标记。本发明在硅片铝背场上设置凹坑，并通过选择凹坑的数量、形状、位置和排列方式中的2种或2种以上的组合进行标记，实现了硅片的在线跟踪，可以通过成品电池片外观追溯制造过程信息，对异常电池片分析提供了基础；并对后续的电池制造产生很好的指导作用，包括实验的优化，产业化的匹配等。
【IPC分类】H01L23/544, H01L31/0224
【公开号】CN105161549
【申请号】CN201510527695
【发明人】费正洪, 衡阳, 潘励刚, 周彬
【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司, 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月25日