发光器件封装的制作方法
【技术领域】
[0001]本实施例涉及一种发光器件封装。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)是一种具有高效率和环境友好性的光源，并且在各种领域中变得普遍。LED正在各种领域例如显示器、光学通信、汽车和普通照明中使用。特别地，对于产生白光的白光发光二极管的要求正在逐渐地增加。
[0003]通常，在制造了各个元件之后，通过封装这些元件而使用这种发光器件。在发光器件封装中，发光芯片安装在包括热沉的树脂体上。发光芯片通过导线电连接到引线。发光芯片的上部填充有密封材料。透镜设置在该上部上。在具有所描述的结构的发光器件封装中，因为通过操作发光器件产生的热被缓慢地传递，所以发光器件封装具有低的热辐射效果。因此，发光器件的光学特性可能劣化，并且其中在树脂体之间插入热沉的封装过程难以具有高的处理速度。
[0004]当发光器件不带热沉地安装在引线框架上时，热通过引线框架释放，从而热辐射性能劣化。因此，高功率发光器件难以安装在引线框架上。而且，当在用于发光器件的引线框架中使用的树脂体长时间地暴露于光时，树脂体变色或者劣化，从而光学特性劣化。
[0005]当从发光器件发射的光在树脂体上入射时，反射率是低的。相应地，为了增加发光器件封装的反射率，要求在反射光的区域中减少树脂体。
【发明内容】
[0006]实施例提供了一种能够增加在引线框架和树脂体之间的附着性的发光器件封装。
[0007]实施例提供了能够防止水分或者异物从引线框架的底部渗透的发光器件封装。
[0008]实施例提供了能够防止通过安装发光器件产生的异物渗透的发光器件封装。
[0009]实施例提供了能够在引线框架上稳定地固定反射器的发光器件封装。
[0010]实施例提供了能够在反射器上选择性地安装透镜或者板的发光器件封装。
[0011]实施例提供了稳定地联接到引线框架原型并且容易地从引线框架原型分离的发光器件封装。
[0012]实施例提供了通过增加在引线框架原型和发光器件封装之间的摩擦作用力而稳定地联接到引线框架原型而不使用粘结剂的发光器件封装。
[0013]实施例提供了能够增加从发光器件发射的光的反射效率的发光器件封装。
[0014]实施例提供了在安装在外部基板上之后容易地检查或者维修的发光器件封装。
[0015]实施例提供了包括能够从发光器件辐射热并且测量发光器件封装的温度的辅助端子的发光器件封装。
[0016]一个实施例是一种发光器件封装。该发光器件封装包括:引线框架；布置在引线框架上的发光器件；金属反射器，其布置在引线框架上、具有其中布置发光器件的中空部分、反射从发光器件发射的光并且利用模具形成；和包围引线框架和反射器的树脂体。该树脂体包括布置在引线框架和反射器之间的绝缘层以及布置在反射器上的突起。
[0017]另一个实施例是一种发光器件封装。该发光器件封装包括:引线框架；布置在引线框架上的发光器件；布置在引线框架上、具有包围发光器件的反射表面并且利用模具形成的金属反射器；和包围引线框架和反射器的树脂体。该树脂体具有反射器的一部分插入并且固定于其中的凹陷部。
[0018]在根据该实施例的发光器件封装中，能够通过增加在框架和树脂体之间的接触区域而增加在框架和树脂体之间的附着性。
[0019]根据该实施例，通过增加在框架和封装之间的接触区域而防止水分或者异物从底部渗透是可能的。
[0020]根据该实施例，引线框架的一个部分被树脂体隐埋，从而防止通过安装发光器件产生的异物的渗透是可能的。
[0021]根据该实施例，反射器能够稳定地固定在引线框架上。
[0022]根据该实施例，透镜或者板能够选择性地安装在反射器上。
[0023]根据该实施例，发光器件封装稳定地联接到引线框架原型并且容易地从引线框架原型分离。
[0024]根据该实施例，通过增加在引线框架原型和发光器件封装之间的摩擦作用力，发光器件封装稳定地联接到引线框架原型而不使用粘结剂。
[0025]根据该实施例，增加从发光器件发射的光的反射效率是可能的。
[0026]根据该实施例，在安装在外部基板上之后，发光器件封装得以容易地检查或者维修。
[0027]根据该实施例，发光器件封装包括能够从发光器件辐射热并且测量发光器件封装的温度的辅助端子。
【附图说明】
[0028]可以参考以下附图详细地描述布置和实施例，其中相同的附图标记涉及相同的元件，并且其中:
[0029]图1是根据一个实施例的发光器件封装的透视图；
[0030]图2是根据该实施例的发光器件封装的截面透视图；
[0031]图3a是根据该实施例的发光器件封装的截面视图；
[0032]图3b是图3a的局部放大视图；
[0033]图4是根据该实施例的发光器件封装的平面视图；
[0034]图5是引线框架的透视图；
[0035]图6是根据该实施例的发光器件封装的底部透视图；
[0036]图7a到7c是示出根据该实施例的发光器件封装已经联接到外部基板的透视图；
[0037]图8是不带根据该实施例的引线框架的引线框架原型的透视图；
[0038]图9是示出不带安装在其上的发光器件的发光器件封装联接到引线框架原型的透视图；
[0039]图10是示出能够规模生产的发光器件封装的结构的透视图；
[0040]图11a到Ilf是用于描述制造根据该实施例的发光器件封装的过程的视图；
[0041]图12是示出其中根据该实施例的发光器件封装已经在引线框架原型上形成的最终形式的视图；
[0042]图13a和13b是用于描述释放销被从根据该实施例的发光器件封装移除的视图；并且
[0043]图14a和14b是用于描述如何联接反射器和根据该实施例的引线框架的视图。
【具体实施方式】
[0044]为了说明方便和清楚起见，每一个层的厚度或者尺寸可能被放大、省略或者概略地示出。每一个构件的尺寸可能并不是必要地意味着它的实际尺寸。
[0045]应该理解，当一个元件被称作在另一元件“上”或者“下”时，它可以直接地在该元件上/下，并且还可以存在一个或者多个居间元件。当一个元件被称作在“上”或者“下”时，基于该元件，可以包括“在该元件下”以及“在该元件上”。
[0046]可以参考附图详细地描述实施例。
[0047]图1是根据一个实施例的发光器件封装的透视图。图2是根据图1所示实施例的发光器件封装的截面透视图。图3a是根据图2所示实施例的发光器件封装的截面视图。图3b是图3a的局部放大视图。
[0048]参考图1到3b，根据该实施例的发光器件封装1可以包括:发光器件100，其包括发光芯片110和其上布置发光芯片110的底安装部120 ;引线框架200，在其上布置发光器件100 ;导线130，其将发光器件100与引线框架200电连接；反射器层140，其包围发光器件100并且反射从发光器件100发射的光；绝缘层323，其位于引线框架200和反射器层140之间；和树脂体300，其形成发光器件封装1的本体。
[0049]发光器件100可以是发光二极管(LED)。然而，对此无任何限制。发光二极管可以是发射深紫外线的深紫外线(DUV)LED。然而，对此无任何限制。发光二极管可以是分别地发射红色、绿色、蓝色或者白光的红光、绿光、蓝光或者白光发光二极管。发光二极管是一种将电能转换成光的固态构件并且通常包括置入两个相对的掺杂层之间的、利用半导体制成的活性层。当偏压(b1s)施加到该两个掺杂层的两端时，电子空穴和电子注射到活性层中并且在活性层中相互重组，并且然后产生了光。在活性层中产生的光沿着所有的方向或者沿着特定方向发射，并且然后通过暴露的表面发射到发光二极管外侧。
[0050]发光芯片110可以是倒装芯片。然而，发光芯片110并不是必要地限制于此。发光芯片110可以是垂直芯片或者横向芯片。为了方便起见，在图中，将描述横向芯片。发光芯片110可以形成为具有600um的宽度和700um的长度，并且并不是必要地限制于此。发光芯片110可以发射具有从190nm到400nm的波长的深紫外线。更加具体地，发光芯片110可以发射具有从250nm到280nm的波长的深紫外线，并且在此情形中，从发光芯片110发射的深紫外线具有最优良的杀菌力。虽然未在图1中示出，但是发光芯片110可以包括基板和发光结构，在该发光结构中，第一传导半导体层、活性层和第二传导半导体层顺序地布置在基板上。发光芯片110的基板可以具有允许光通过那里的光透射特性。基板可以至少是绝缘基板诸如蓝宝石(A1203)、尖晶石(MgAl204)和半导体基板诸如SiC、S1、GaAs、GaN、InP、Ge等这两者中的任何一种。
[0051]发光芯片110安装在底安装部120上。底安装部120辐射由发光芯片110产生的热并且将热传递到位于其下的引线框架200。而且，将发光器件100与引线框架200电连接的导线130的端部连接到底安装部120。底安装部120可以由具有高导热率的材料如A1N或者SiC等制成，并且不是必要地限制于此。
[0052]参考图2到3b，根据该实施例的发光器件封装1的反射器140反射从发光器件100发射的光。反射器140包围发光器件100并且布置在引线框架200上。反射器140可以由金属材料制成。具