方面，图20中，与第3实施方式对应，晶片Wf旋转。另外，图19中，轴Ay与图2、图16所示电极元件E的轴一致。
[0161]此时，图19中，以轴Ay作为旋转轴，离子II的入射角度Θ变化。其结果是，离子II高效入射沟道Tr的侧壁。如此，为了高效形成沟道Tr，优选使沟道Tr的开口 331的轴与电极元件E的轴一致、不旋转晶片Wf。
[0162]与此相对，图20中，晶片Wf旋转，离子II的入射角度与轴Ax和轴Ay对称(离子II从全方位斜向入射)。其结果是，可容易的形成对于晶片Wf的垂直轴Az对称的通孔Bh。如此，为了形成良好形状的通孔Bh，优选旋转晶片Wf。
[0163]另外，如后述的第5实施方式所示，通过使晶片Wf与基板电极15间的相对角度不变化、旋转电场，可以得到同样的效果。
[0164](2)旋转控制部26可如下控制切换机构24。
[0165]截至沟道形成中，不进行切换地向基板电极15的各电极元件施加来自RF低频电源21b的RF低频电压Vb，垂直入射。之后，切换施加RF低频电压Vb。S卩，伴随等离子体处理处理过程的进行，控制切换机构24，将离子II的入射方向从垂直入射切换为斜向入射。
[0166]如此，可以同时确保垂直入射时的深度方向的蚀刻速率、以及斜向入射时降低斜度。斜向入射时的蚀刻速率比垂直入射时小。这是因为，斜向入射时，较之于垂直入射时，离子入射晶片Wf上的面积变大，单位面积的入射离子数减少。
[0167]另外，垂直入射与斜向入射的切换，可以使用终端检测器19对层32的蚀刻终结的检测、或者经过规定的处理时间、与切换周期T的时间调整。
[0168]以下显示的是使用了晶片Wf旋转和RF切换的孔H的加工处理过程例。
[0169]首先，说明旋转晶片Wf时，晶片Wf上的孔H的加工进行情况。此时，不进行RF切换。
[0170]如图21A?图21D所示，最初的切换周期Tl中，向电极元件El施加电压，产生箭头方向(向图右)的斜向成分的离子II照射。晶片Wf上的孔H也与晶片Wf共同旋转，使孔H的侧壁(蚀刻区域Al?A4)在圆周方向依次均匀蚀刻(图21A?图21D)。重复整数转(例如，100转)的该右斜向状态。在这里，旋转周期Tr为0.1秒的话，切换周期Tl为10秒钟。
[0171]接着，作为电压切换前的过渡状态，向电极元件E1、E2两者施加电压，以垂直入射状态旋转数转(例如，10转)。另外，过渡状态也可以是不向电极元件E1、E2施加电压、不进行蚀刻的状态。旋转周期Tr为0.1秒时，过渡时间ΔΤ为I秒钟。
[0172]接下来的切换周期T2中，向电极元件E2施加电压，产生箭头反向(向图左)的斜向成分的离子。此时也同样，维持了旋转中圆周方向的处理过程均匀性(未图示)。并且，在切换周期T2期间(例如，与切换周期Tl相同的整数转及时间)，照射向左箭头的方向(未图示)的斜向成分的离子II。
[0173]然后，根据处理过程，重复过渡时间ΔΤ、切换周期Tl、过渡时间ΔΤ、切换周期T2(例如，I秒、10秒、I秒、10秒)、…，晶片上的孔H得以在圆周方向均匀蚀刻。
[0174]切换周期Tl、Τ2、过渡时间Δ T也可在处理过程中途变更。切换周期Tl、Τ2并不必须相同，但基本上设想为相同程度的时间。
[0175]如此，通过将切换周期Τ1、Τ2、过渡时间Δ T设定为晶片Wf的整数转，可以使旋转速度Vr与切换周期Tl、Τ2的关系变得简单。
[0176]另外，切换周期Tl、Τ2也并不一定要与整数转对应。S卩，也可在晶片Wf的一转中途变更为右斜(Tl)、左斜(T2)的状态。但是，此时，必须调整旋转速度Vr和切换的时间。通过这些关系，圆周方向的处理过程均匀性并非一定达成。
[0177]以下显示a)?c)几个例子。
a)切换周期T(Tl、T2)为旋转周期Tr的0.5n倍时(参照图22A?图22D)
[0178]考虑切换周期T为旋转周期Tr的0.5n(n = 1、3、5、…奇数)倍的情况。在这里，具体考虑的是每1/2转切换为右斜和左斜的情况。
[0179]图22六?图220分别显示的是晶片1€旋转0、0.5、1.0、1.5转的状态。从图22D的晶片Wf旋转1.5转的状态变化为图22A对应的晶片Wf旋转2.0转的状态。图22A?图22B、图22B?图22C、图22C?图22D分别与切换周期Tl、T2、Tl对应。S卩，在图22A?图22D所示瞬间，离子II的朝向切换为从左向右、或从右向左。
[0180]切换周期Tl、T2、Tl中，区域Al、A2、A3分别被蚀刻。
[0181]切换周期Tl (向右的离子照射时)中晶片Wf旋转一半，然后，切换周期T2(向左的离子照射)开始。此时，前一半、后一半的旋转时两者在孔H的相同一侧(区域Α1、Α2)切削。这会导致不均匀的蚀刻，不理想。
[0182]另外，图22Α?图22D中，假设切换瞬间进行，但实际上如上所述，需要过渡时间ΔΤ，通过过渡时间Δ T的设定，圆周方向的处理过程均匀性发生变化。例如，过渡时间ΔΤ为整数转的话，圆周方向的均匀性与没有过渡时间AT时相同。过渡时间AT短于切换周期Tl、Τ2时，切换位置偏离过渡时间△ T的程度(未图示)。
b)切换周期T为旋转周期Tr的1/3倍时(参照图23A?图23C)
[0183]考虑切换周期Tl、T2为旋转周期Tr的1/3倍的情况。
[0184]图23A?图23C分别显示的是晶片Wf旋转0、1/3、2/3转的状态。从图23C的晶片Wf旋转2/3转的状态变化为图23A对应的晶片Wf旋转I转的状态。图23A?图23B、图23B?图23C分别对应切换周期T1、T2。S卩，在图23Α?图23C所示瞬间，离子II的朝向切换为从左向右，或从右向左。
[0185]切换周期Tl、Τ2中，区域Al、Α2分别被蚀刻。
[0186]如图23Α?图23C所示，圆周上的蚀刻位置Α1、Α2的一部分重叠。但是，该重叠会在旋转、切换重复的同时偏离。数十?数百转时，结果是圆周方向的处理均匀性得以保持。
[0187]另外，考虑过渡时间AT时，根据过渡时间AT的长短，圆周方向的均匀性会受到影响，必须另行调整。
c)切换周期T为旋转周期Tr的1/4倍时(参照图24Α?图24D)
[0188]考虑切换周期T为旋转周期Tr的1/4倍的情况。
[0189]图24Α?图24D分别显示的是晶片Wf旋转0、1/4、2/4、3/4转的状态。从图24D的晶片Wf旋转3/4转的状态变化为图24Α对应的晶片Wf旋转I转的状态。图24Α?图24Β、图24Β?图24C、图24C?图24D分别对应切换周期T1、T2、T1。S卩，在图24Α?图24D所示瞬间，离子II的朝向切换为从左向右、或从右向左。
[0190]切换周期Tl、Τ2、Tl中，区域Al、Α2、A3被蚀刻。
[0191]此时，由于晶片Wf旋转I转的话，晶片Wf的整面被切削，因此可以确保蚀刻方向的均匀性。
[0192]考虑过渡时间ΔΤ时，根据过渡时间Δ T的长短，圆周方向的均匀性会受到影响。
[0193]以上显示的是如a?c般的切换周期T1、T2与旋转周期Tr的相关具体例子，但也可考虑其他情况。如具体例所示，在旋转中途切换离子II的入射方向时，存在不理想的切换周期Τ、旋转周期Tr、过渡时间Δ T的关系。实用上优选切换Tl、T2、过渡时间Δ T是旋转周期Tr的整数倍。
[0194]旋转周期Tr设想为0.01秒至100秒左右的范围。过渡时间Δ T设想为旋转周期Tr的数倍?数十倍左右。优选过渡时间AT对于切换周期T1、T2尽量小，可以确保更多的斜向入射实效时间。这是由于过渡时间AT期间不进行垂直入射或蚀刻。
[0195]另外，由于施加电压为正弦波，严密来说高频或低频I周期期间电压会变化，随之斜向成分也会变动。但是，由于同旋转时间的差异至少在105以上，因此可忽略该低频周期内的斜向成分变动的影响。
(变形例4?6)
[0196]以下说明第3实施方式的变形例(变形例4?6)。变形例4?6用于详细说明使晶片Wf和基板电极15间相对旋转的机构。因此，显示为省略了旋转机构以外部分的部分构成图。
(1)变形例4
[0197]图25是变形例4涉及的等离子体处理装置1f的部分构成图。该等离子体处理装置1f，作为等离子体处理装置1e的基座14、晶片旋转机构18的替代，具有基座141、基板电极块142、马达41。
[0198]马达41使基座141旋转，具有旋转轴411、转子412、定子413、侧板414、底板415。
[0199]旋转轴411、转子412、定子413构成旋转机构。旋转轴411与基座141连接。旋转轴411成筒状，其内部配置有基板电极块142的轴。转子412是配置在旋转轴411侧面的磁铁。定子413是配置在侧板414外部的电磁铁，隔着侧板414与转子412接近。通过使定子413磁场的N极、S极周期性变化而产生的磁力，转子412相对于定子413旋转。其结果是，腔室11内(真空侧)的旋转轴411、转子412和腔室11外(大气侧)的定子413间被分割。
[0200]另外，在这里，转子412、定子413使用的是永久磁铁、电磁铁，但也可以相反、或两者为电磁铁。这一点在以下的变形例5、6中也相同。
[0201]基座141的上面保持着晶片Wf，在此状态下与旋转轴411连接，通过旋转机构旋转。其结果是，晶片Wf通过旋转机构而旋转。
[0202]基座141具有支保持板电极块142的内部空间。
[0203]基板电极块142配置在基座141的内部，固定在底板415上，不旋转。
[0204]从腔室11外的RF高频电源21a、RF低频电源21b，向腔室11内的基板电极15供给电压波形Vl、V2 (RF高频电压Na、RF低频电压Vb叠加的电压波形)。
[0205]通过使晶片Wf旋转，斜向离子从全方位入射晶片W。
(2)变形例5
[0206]图26是变形例5涉及的等离子体处理装置1g的部分构成图。该等离子体处理装置10g，作为等离子体处理装置1e的基座14b、晶片旋转机构18的替代，具有基座141a、基板电极块142a、马达41a。
[0207]马达41a使基板电极块142a旋转，具有旋转轴411a、转子412、定子413、侧板414、底板415、环形电极416、刷状电极417。
[0208]旋转轴411a、转子412、定子413构成旋转机构。旋转轴411a与基板电极块142a连接。转子412是配置在旋转轴411侧面的磁铁。定子413是配置在侧板414外部的电磁铁，隔着侧板414与转子412接近。通过使定子413磁场的N极、S极周期性变化产生的磁力，转子412对着定子413旋转。其结果是，腔室11内(真空侧)的旋转轴411a、转子412和腔室11外(大气侧)的定子413间被分割。
[0209]环形电极416、刷状电极417通过以互相滑动的状态接触，在旋转轴411a旋转中，确保对基板电极15的电气连接。环形电极416是固定配置在旋转轴411a外周的环形的电极。刷状电极417是在旋转轴41