晶片的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及等离子切割等晶片的加工方法。
【背景技术】
[0002] 在半导体晶片的分割中通常使用切割值icing)装置或激光加工装置。对于切割 装置来说，由于是粉碎加工，因此，存在容易产生缺口（碎屑）从而导致分割出的忍片的抗 折强度降低运样的问题、和加工时间较长运样的问题。另外，对于激光加工装置来说，虽然 具有缺口较少并且也几乎没有切割余量运样的优点，但由于忍片彼此相邻，因此，也存在在 之后的搬送时由于忍片彼此摩擦而相反地产生缺口运样的问题。
[0003] 因此，提出了利用等离子蚀刻将晶片分割成一个个忍片运样的加工方法（等离子 切割）（例如，参照专利文献1)。如果是该加工方法，则具有运样的优点：即使晶片的直径 变大，也几乎存在形成槽的加工时间变长运样的情况，并能够形成抗折强度高的忍片。
[0004] 在专利文献1所示的等离子切割中，用抗蚀剂膜来保护不进行蚀刻的器件部分， 并且仅对分割预定线实施等离子蚀刻而形成分割槽。等离子蚀刻结束后，为了使器件露出 而去除抗蚀剂膜。此时，通常是通过使用了氧等离子体的灰化（干法蚀刻）将因等离子蚀 刻而变质的抗蚀剂膜的表面去除。 阳0化]专利文献1 :日本特开2006-114825号公报
[0006] 可是，在专利文献1所示的方法中，在通过灰化（干法蚀刻）来去除抗蚀剂膜时， 存在对器件区域中所包含的聚酷亚胺等树脂或含有金属的器件造成损伤运样的情况。另 夕F，还存在运样的方法：在灰化中微量地残留抗蚀剂膜，在灰化后使用药液将微量残留的抗 蚀剂膜去除。运样，在专利文献1所示的方法中，存在运样的课题：如果为了去除抗蚀剂膜 而使用干法蚀刻的装置或使用药液，需要花费成本和工时，从而导致成本上涨。
【发明内容】
[0007] 本发明的目的在于提供一种能够在不对器件造成损伤的情况下低成本地去除抗 蚀剂膜的晶片的加工方法。
[0008] 为了解决上述课题，实现目的，本发明的晶片的加工方法是在正面的由交叉的多 个分割预定线划分出的各区域中形成有器件的晶片的加工方法，其特征在于，所述晶片的 加工方法包括：抗蚀剂膜覆盖步骤，在晶片正面的除该分割预定线外的区域上覆盖抗蚀剂 膜；等离子蚀刻步骤，对实施了该抗蚀剂膜覆盖步骤后的晶片实施等离子蚀刻，在晶片的正 面形成沿该分割预定线的达到完工厚度的槽；抗蚀剂膜去除步骤，在实施了该等离子蚀刻 步骤后，清洗晶片的正面的抗蚀剂膜将其去除；W及磨削步骤，W使背面露出的方式将晶片 保持在卡盘工作台上，对晶片的背面进行磨削而减薄至该完工厚度，并且使该槽在晶片的 背面露出，由此将晶片分割成一个个器件忍片，在该抗蚀剂膜去除步骤中，将药液喷洒在晶 片的抗蚀剂膜上而将该抗蚀剂膜去除。
[0009] 优选的是，使用酒精作为该药液。
[0010] 或者，使用二甲基亚讽、N-甲基化咯烧酬或二丙締乙二醇甲酸作为该药液。
[0011] 根据本申请发明的晶片的加工方法，在等离子蚀刻步骤后的抗蚀剂膜去除步骤 中，能够通过喷射药液运样非常简单的工序来去除抗蚀剂膜，因此，会产生下述运样的效 果：能够在不对器件造成损伤的情况下低成本地去除抗蚀剂膜。
【附图说明】
[0012] 图1是示出保护部件粘贴步骤的立体图。
[0013] 图2是示出抗蚀剂膜覆盖步骤后的情况的立体图。
[0014] 图3是在等离子蚀刻步骤中使用的等离子蚀刻装置的一个示例的剖视图。
[0015] 图4是等离子蚀刻步骤后的晶片的剖视图。
[0016] 图5是示出抗蚀剂膜去除步骤的剖视图。
[0017] 图6是示意性地示出抗蚀剂膜去除步骤的俯视图。 阳01引图7是磨削步骤的剖视图。
[0019] 图8是磨削步骤后的晶片的剖视图。
[0020] 图9是示出交换粘贴步骤的立体图。 阳OW 标号说明 阳02引 51 :卡盘工作台； W23] D:器件；
[0024] R:抗蚀剂膜；
[002引 L :分割预定线；
[00%] MF:药液；
[0027] S:槽； 阳02引 T:完工厚度；
[0029] W:晶片；
[0030] WS:正面； 阳的1] WR:背面。
【具体实施方式】
[0032] 参照附图详细说明用于实施本发明的方式（实施方式）。本发明并不受W下实施 方式所述的内容限定。另外，W下所述的构成要素包括本领域人员能够容易地设想的构成 要素和实质上相同的构成要素。此外，能够将W下所述的结构适当组合。另外，能够在不脱 离本发明的要点的范围内进行结构的各种省略、替换和变更。
[0033] 基于图1至图9对实施方式的晶片的加工方法进行说明。图1是示出实施方式的 晶片的加工方法的保护部件粘贴步骤的立体图，图2是示出实施方式的晶片的加工方法的 抗蚀剂膜覆盖步骤后的情况的立体图，图3是在实施方式的晶片的加工方法的等离子蚀刻 步骤中使用的等离子蚀刻装置的一个示例的剖视图，图4是实施方式的晶片的加工方法的 等离子蚀刻步骤后的晶片的剖视图，图5是示出实施方式的晶片的加工方法的抗蚀剂膜去 除步骤的剖视图，图6是示意性地示出实施方式的晶片的加工方法的抗蚀剂膜去除步骤的 俯视图，图7是实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤的剖视图，图8是实施方式的晶片的 加工方法的磨削步骤后的晶片的剖视图，图9是示出实施方式的晶片的加工方法的交换粘 贴步骤的立体图。
[0034] 实施方式的晶片的加工方法（W下，仅记作加工方法）是图1所示的晶片W的加工 方法，并且是将晶片W分割成含有一个个器件D的器件忍片DT(如图8所示）的方法。并 且，通过实施方式的加工方法被分割成一个个器件忍片DT的、作为加工对象的晶片W例如 是W娃、蓝宝石、嫁等作为基本材料的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图1所示，晶 片W是在正面WS的由交叉的多个分割预定线L划分出的区域中形成有器件D的晶片。利 用在晶片W的正面WS上层叠低介电常数绝缘体覆膜化ow-k膜）而成的功能层形成器件D， 该低介电常数绝缘体覆膜化ow-k膜）由SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜或聚先亚胺类、 聚对二甲苯类等作为聚合物膜的有机物类的膜构成。
[0035] 实施方式的加工方法包括：保护部件粘贴步骤；抗蚀剂膜覆盖步骤；等离子蚀刻 步骤；抗蚀剂膜去除步骤；磨削步骤W及交换粘贴步骤。
[0036] 保护部件粘贴步骤是在晶片W的与形成有器件D的正面WS相反的一侧的背面WR 上粘贴与晶片W大致同等大小的保护部件G(硬基板：hardsubstrate)的步骤。在本实施 方式中，保护部件G由硬质的材料构成，形成为与晶片W大致同等大小的圆盘状。在保护部 件粘贴步骤中，如图1所示，将保护部件G粘贴在晶片W的背面WR上。在保护部件粘贴步 骤之后，进入抗蚀剂膜覆盖步骤。
[0037] 抗蚀剂膜覆盖步骤是将抗蚀剂膜R覆盖在晶片W的正面WS的除分割预定线L外 的区域上的步骤。抗蚀剂膜R由对于等离子蚀刻步骤中的蚀刻气体等具有耐腐蚀性的材料 构成。在抗蚀剂膜覆盖步骤中，例如，在晶片W的整个正面WS上薄薄地形成抗蚀剂膜R之 后，经由与分割预定线L相对应的正性或负性的掩膜进行曝光并显影，将抗蚀剂膜R从分割 预定线L上去除。在抗蚀剂膜覆盖步骤之后，如图2所示，在晶片W的正面WS上，分割预定 线L露出，除分割预定线L外的区域（即器件D)被抗蚀剂膜R覆盖。然后，进入等离子蚀 刻步骤。
[0038] 等离子蚀刻步骤是对已被实施了抗蚀剂膜覆盖步骤后的晶片W实施等离子蚀刻 的步骤。在等离子蚀刻步骤中，例如，穿过图3所示的等离子蚀刻装置20的壳体21的开口 22将晶片W收纳于壳体21内。然后，隔着保护部件G将晶片W的背面WR抽吸并保持在与 高频电源23连接的下部电极24的抽吸保持部件25上，然后利用口 26封闭开口 22。接下 来，从制冷剂供给构件32开始使制冷剂在下部电极24内的冷却通道33内循环，使气体排 出构件27动作，对壳体21内的气氛通过排气口 28进行真空排气，从气体供给构件29通过 上部电极30的喷出口 31在壳体21内朝向晶片W的正面WS喷射蚀刻气体。并且，此时，将 壳体21内维持为规定的压力。然后，在喷射有蚀刻气体的状态下，从高频电源23对下部电 极24和上部电极30施加高频电力。由此，在下部电极24和上部电极30之间产生等离子 体放电，对晶片W的正面WS的分割预定线L进行蚀刻，如图4所示，在晶片W的正面WS上 形成沿分割预定线L的达到完工厚度T(如图8所示）的槽S。
[0039] 并且，根据晶片W的材质来适当选择在等离子蚀刻步骤中使用的蚀刻气体。例如， 在晶片W的材质为娃的情况下，使用SFe (六氣化硫）、NFs ( S氣化氮）、XeF2 (二氣化氣）等 作为蚀刻气体。
[0040] 在实施方式中，晶片W由娃构成。在等离子蚀刻步骤中，将壳体21内的压力维持在 25Pa(表压），将高频电源23的电力频率设为13. 56MHz，使氮气作为制冷剂从制冷剂供给构 件32开始W 2000化（表压）在冷却通道33内循环，由此将下部电极24的溫度设为10°C。
[0041] 在等离子蚀刻步骤中，交替地反复执行蚀刻步骤和保护膜堆积步骤，在所述蚀刻 步骤中，W400sccm(Standard cc/min:标准毫升/分）的流量供给SFV作为蚀刻气体，并对 上部电极30施加2500W的高频电力，对下部电极24施加150W的高频电力，在所述保护膜 堆积步骤中，W 400sccm的流量供给CaFs(八氣环下烧）作为蚀刻气体，对上部电极30施加 2500W的高频电力，对下部电极24施加50W的高频电力。在等离子蚀刻步骤中，交替地反复 执行蚀刻步骤和保护膜堆积（沉积）步骤，利用所谓的BOSCH工艺对晶片W的正面WS的分 割预定线L进行蚀刻，沿着分割预定线L形成宽度固定的槽S。
[0042] 在执行所谓的BOSCH工艺的等离子蚀刻步骤中，一边反复执行蚀刻步骤和保护膜 堆积步骤一边进行等离子蚀刻步骤。在等离子蚀刻步骤中，在蚀刻步骤时分割预定线L被 高速蚀刻，在保护膜堆积步骤时，使作为保护膜的碳氣化合物膜堆积在被蚀刻而露出的槽S 的内表面上，因此，能够W较高的宽高比（aspect ratio)高速地对晶片W进行蚀刻。
[0043] 运样，在等离子蚀刻步骤中，利用所谓的BOSCH工艺在分割预定线L处形成比晶片 W的完工厚度T深且宽度固定的槽S。在执行BOSCH工艺的等离子蚀刻步骤中，由于在保护 膜堆积步骤中使保护膜形成在槽S的内表面上，因此，