有机电致发光二极管及其制备方法、显示装置的制造方法

文档序号:9580761阅读:462来源:国知局
有机电致发光二极管及其制备方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种有机电致发光二极管及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示面板朝着轻薄、低能耗、便携带的趋势发展,以有机电致发光二极管(0LED)为代表的新一代显示技术受到了越来越广泛的关注。相比于LCD显示技术,有机电致发光二极管具有轻薄、低功耗、低驱动电压、更良好的视角和对比度、以及更快的响应速度等优点。
[0003]有机电致发光二极管通常采用三明治结构,即有机发光层夹在阳极和阴极之间,当在阳极和阴极之间施加电压后,空穴和电子分别从阳极和阴极注入到有机发光层内,并在有机发光层内复合发光。为了提高有机电致发光二极管的性能,通过会在有机发光层与电极之间引入各种功能层,提高载流子的注入以及传输。目前常用的电子注入层为低功函数金属或碱金属化合物,通过真空蒸镀或溶液加工工艺制备。由于低功函数金属或碱金属化合物材料制备的电子注入层的厚度通常为几个纳米,因此,大面积制备电子注入层时,很难控制薄膜的均匀性,从而导致有机电致发光二极管器件的发光均匀性受到影响。此外,低功函数金属水氧敏感、极易氧化,而碱金属化合物通常也容易吸水潮解,因此,现有的电子注入层材料影响有机电致发光二极管器件的稳定性。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于提供一种有机电致发光二极管,旨在解决现有的电子注入层材料影响有机电致发光二极管器件的发光均匀性和稳定性的问题。
[0005]本发明的另一目的在于提供一种有机电致发光二极管的制备方法。
[0006]本发明的另一目的在于提供一种含有上述有机电致发光二极管的显示器件。
[0007]本发明是这样实现的,一种有机电致发光二极管,包括从下往上依次层叠设置的阳极、有机发光层、铝碳化合物层和阴极,其中,所述阴极为铝,所述铝碳化合物层由铝在真空热蒸镀条件下与吸附在所述有机发光层表面的含-ch2ch2o-基团的溶剂分子层反应形成。或
[0008]—种有机电致发光二极管,包括从下往上依次层叠设置的阳极、有机发光层、电子传输层、铝碳化合物层和阴极,其中,所述阴极为铝,所述铝碳化合物层由铝在真空热蒸镀条件下与吸附在所述电子传输层表面的含-ch2ch2o-基团的溶剂分子层反应形成。
[0009]以及,一种有机电致发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
[0010]提供一阳极,在所述阳极层上沉积有机发光层;
[0011]将所述有机发光层进行溶剂蒸汽处理,使所述有机发光层表面吸附一层溶剂分子,形成溶剂分子层,其中,所述溶剂为含-ch2ch2o-基团的溶剂;
[0012]在所述有机发光层吸附的所述溶剂分子层表面真空蒸镀阴极材料铝,使得所述有机发光层表面依次形成铝碳化合物层和阴极。或
[0013]—种有机电致发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
[0014]提供一阳极,在所述阳极层上沉积有机发光层,在所述有机发光层上沉积电子传输层;
[0015]将所述电子传输层进行溶剂蒸汽处理,使所述电子传输层表面吸附一层溶剂分子,形成溶剂分子层,其中,所述溶剂为含-ch2ch2o-基团的溶剂;
[0016]在所述电子传输层吸附的所述溶剂分子层表面真空蒸镀阴极材料铝,使得所述电子传输层表面依次形成铝碳化合物层和阴极。
[0017]以及,一种有机电致发光二极管显示装置,包括像素驱动层和有机电致发光二极管,其中,所述像素驱动层包括TFT,所述有机电致发光二极管为上述有机电致发光二极管,所述TFT的漏极与所述有机电致发光二极管的阳极相连。
[0018]本发明提供的有机电致发光二极管,所述有机发光层和所述阴极之间、或所述电子传输层和所述阴极之间含有铝碳化合物层,所述铝碳化合物层由铝在真空热蒸镀条件下与吸附在所述有机发光层或所述电子传输层表面的含-ch2ch2o-基团的溶剂分子层反应形成。由此得到的所述铝碳化合物层能实现金属阴极与所述有机发光层之间的有效电子注入,从而不需要增加额外的电子注入层,避免使用低功函数金属或碱金属化合物,进而避免了低功函数金属或碱金属化合物对有机电致发光二极管的发光均匀性和稳定性带来的不良影响。此外,本发明提供的有机电致发光二极管结构得到了简化,便于大面积器件的制备。
[0019]本发明提供的一种有机电致发光二极管的制备方法,通过对所述有机发光层或所述电子传输层进行含-ch2ch2o-基团的溶剂蒸汽处理,使所述有机发光层或所述电子传输层表面吸附一层溶剂分子,随后在直接真空蒸镀铝电极时,热蒸镀的铝会与表面吸附的所述溶剂分子反应,在有机/铝界面形成一层含铝碳化物即铝碳化合物层,所述铝碳化合物层能实现铝电极与有机发光层之间的有效电子注入,而不需要增加额外的电子注入层,避免使用低功函数金属或碱金属化合物;同时,本发明提供的有机电致发光二极管的制备方法简化了有机电致发光二极管的制作工艺,便利于大面积有机电致发光二极管器件的制备,且更利于实现大面积有机电致发光二极管器件的电子均匀注入。
[0020]本发明提供的有机电致发光二极管显示装置,含有上述有机电致发光二极管,通过所述铝碳化合物层能实现金属阴极与所述有机发光层之间的有效电子注入,不需要增加额外的电子注入层,避免使用低功函数金属或碱金属化合物,从而避免了低功函数金属或碱金属化合物对有机电致发光二极管的发光均匀性和稳定性带来的不良影响,提高了有机电致发光二极管显示装置的性能。此外,本发明提供的有机电致发光二极管显示装置结构得到了简化,便于大面积有机电致发光二极管显示装置的制备。
【附图说明】
[0021]图1是本发明实施例提供的在有机发光层表面形成有铝碳化合物层的有机电致发光二极管结构示意图;
[0022]图2是本发明实施例提供的在电子传输层表面形成有铝碳化合物层的有机电致发光二极管结构示意图;
[0023]图3是本发明实施例提供的在有机发光层表面形成有铝碳化合物层的有机电致发光二极管显示装置结构示意图;
[0024]图4是本发明实施例提供的图2是本发明实施例提供的在电子传输层表面形成有铝碳化合物层的有机电致发光二极管显示装置结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
[0026]结合图1-2,本发明实施例提供了一种有机电致发光二极管1,包括从下往上依次层叠设置的阳极11、有机发光层14、铝碳化合物层16和阴极17,其中,所述阴极17为铝,所述铝碳化合物层16由铝在真空热蒸镀条件下与吸附在所述有机发光层14表面的含-ch2ch2o-基团的溶剂分子层反应形成。本发明实施例中,所述真空热蒸镀条件为本领域常规的热蒸镀铝形成有机电致发光二极管阴极的真空热蒸镀条件。
[0027]由于含-CH2CH20-基团的溶剂与铝形成的所述铝碳化合物层16的膜厚很薄,因此直接在所述有机发光层14上形成所述铝碳化合物层16时,制备的有机电致发光二极管器件漏电流偏大。作为一个优选实施例,所述有机电致发光二极管包括电子传输层15,所述电子传输层15层叠设置在所述有机发光层14和所述铝碳化合物层16之间。所述电子传输层15的设置,将所述有机发光层14与较薄的所述铝碳化合物层16隔开,
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