从而有效降低器件的漏电流。
[0028]本发明实施例中，为了提高空穴注入和/或传输能力，所述有机电致发光二极管优选包括空穴传输层13和空穴注入层12中的至少一层；更优选为同时包括空穴传输层13和空穴注入层12。
[0029]作为本发明一个具体优选实施例，所述有机电致发光二极管1，包括从下往上依次层叠设置的阳极11、空穴注入层12、空穴传输层13、有机发光层14、铝碳化合物层16和阴极17，其中，所述阴极17为铝，所述铝碳化合物层16铝在真空热蒸镀条件下与吸附在所述有机发光层14表面的含-CH2CH20-基团的溶剂分子层反应形成，如图1所示。本发明实施例中，所述含-CH2CH20-基团的溶剂分子层仅以所述有机发光层14 (与所述阴极17临近的层结构)作为载体，吸附在所述有机发光层14的表面，所述含-CH2CH20-基团的溶剂本身与所述有机发光层14材料并不发生反应。
[0030]作为本发明另一个具体优选实施例，所述有机电致发光二极管1，包括从下往上依次层叠设置的阳极11、空穴注入层12、空穴传输层13、有机发光层14、电子传输层15、铝碳化合物层16和阴极17，其中，所述阴极17为铝，所述铝碳化合物层16由铝在真空热蒸镀条件下与吸附在所述电子传输层15表面的含-CH2CH20-基团的溶剂分子层反应形成，如图2所示。本发明实施例中，所述含-CH2CH20-基团的溶剂分子层仅以所述电子传输层15(与所述阴极17临近的层结构)作为载体，吸附在所述电子传输层15的表面，所述含-CH2CH20-基团的溶剂本身与所述电子传输层15材料并不发生反应。
[0031]具体的，本发明实施例所述阳极11可设置在衬底上，所述衬底为玻璃或柔性衬底。所述阳极11可选用本领域常规阳极材料，具体可为透明导电金属氧化物，包括但不限于 ITO、AZO、TCO、ΑΤΟ 或 FTO。
[0032]所述空穴注入层12的材料可选用聚合物或小分子空穴注入材料、金属氧化物中的至少一种，其中，所述金属氧化物包括但不限于氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬。
[0033]所述空穴传输层13的材料可选用本领域常规空穴传输材料，具体可选用聚合物或小分子空穴传输材料。
[0034]所述有机发光层14可以时聚合物发光薄膜，也可以采用小分子发光薄膜。所述有机发光层14的材料为由焚光材料、磷光材料、延迟态焚光材料或者多元小分子掺杂的有机发光材料。
[0035]所述电子传输层15的材料可米用本领域常规的电子传输材料。
[0036]本发明实施例中，所述铝碳化合物层16由铝在真空热蒸镀条件下与吸附在所述有机发光层14或所述电子传输层15表面的含-CH2CH20-基团的溶剂分子层反应形成。所述铝碳化合物层16的形成条件，在有机电致发光二极管1的制备工艺中，即为制备所述阴极17铝的常规蒸镀工艺条件。在所述真空热蒸镀环境中，所述-CH2CH20-基团能与所述阴极17金属铝原子发生反应，形成具有电子注入功能的铝碳化合物。本发明实施例所述含-CH2CH20-基团的溶剂只需要满足其含有所述-ch2ch2o-基团即可。
[0037]本发明实施例中，由于所述含-CH2CH20-基团的溶剂是通过在所述有机发光层14或所述电子传输层15表面形成溶剂分子层后与所述铝反应形成。因此，所述含_CH2CH20-基团的溶剂优选使用溶点低的有机溶剂，从而比较容易形成所述含-ch2ch2o-基团的溶剂蒸汽，进而在所述有机发光层14或所述电子传输层15表面形成所述溶剂分子层。所述作为优选实施例，所述含-CH2CH20-基团的溶剂结构为&-(012-012-0)「1?2，其中，η为1_5，R2分别独立为氢、烷基和苯基中的一种，其中，所述烷基包括取代烷基和未取代烷基，所述苯基包括取代苯基或未取代苯基。所述取代烷基或所述取代苯基可以是含任意取代基团的所述取代烷基或所述取代苯基，且所述取代基团的类型可以相同或不同，所述取代基团的数目可以为一个或多个。具体的，所述取代烷基包括但不限于二乙醚、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚。
[0038]本发明实施例中，所述阴极7材料只能为铝。使用铝作为阴极材料，一方面可以满足阴极金属原子与本发明实施例特定的有机溶剂在所述发光层14或所述电子传输层15表面发生发应形成均匀的所述铝碳化合物16的要求；另一方面，进一步的，采用铝作为阴极，在热蒸镀过程中与本发明实施例特定的有机溶剂反应得到的铝碳化合物，具有较好的电子注入能力，能够在不使用低功函数金属或碱金属化合物作为电子注入材料的条件下，使得所述阴极17处的电子通过这层所述铝碳化合物层16便利地注入到所述发光层14内，从而实现电子的有效注入。
[0039]本发明实施例提供的有机电致发光二极管，所述有机发光层和所述阴极之间、或所述电子传输层和所述阴极之间含有铝碳化合物层，所述铝碳化合物层由铝在真空热蒸镀条件下与吸附在所述有机发光层或所述电子传输层表面的含-ch2ch2o-基团的溶剂分子层反应形成。由此得到的所述铝碳化合物层能实现金属阴极与所述有机发光层之间的有效电子注入，从而不需要增加额外的电子注入层，避免使用低功函数金属或碱金属化合物，进而避免了低功函数金属或碱金属化合物对有机电致发光二极管的发光均匀性和稳定性带来的不良影响。此外，本发明提供的有机电致发光二极管结构得到了简化，便于大面积器件的制备。
[0040]本发明实施例提供的有机电致发光二极管可以通过下述方法制备获得。
[0041]相应的，本发明实施例提供了一种有机电致发光二极管的制备方法，包括以下步骤:
[0042]SO1.提供一阳极，在所述阳极层上沉积有机发光层；
[0043]S02.将所述有机发光层进行溶剂蒸汽处理，使所述有机发光层表面吸附一层溶剂分子，形成溶剂分子层，其中，所述溶剂为含-ch2ch2o-基团的溶剂；
[0044]S03.在所述有机发光层吸附的所述溶剂分子层表面真空蒸镀阴极材料铝，使得所述有机发光层表面依次形成铝碳化合物层和阴极。
[0045]通过上述方法获得的有机电致发光二极管为直接在所述有机发光层制备所述铝碳化合物层得到的有机电致发光二极管。
[0046]本发明实施例还提供了一种在所述电子传输层上制备所述铝碳化合物层得到有机电致发光二极管的方法。具体的，一种有机电致发光二极管的制备方法，包括以下步骤:
[0047]Q01.提供一阳极，在所述阳极层上沉积有机发光层，在所述有机发光层上沉积电子传输层；
[0048]Q02.将所述电子传输层进行溶剂蒸汽处理，使所述电子传输层表面吸附一层溶剂分子，形成溶剂分子层，其中，所述溶剂为含-ch2ch2o-基团的溶剂；
[0049]Q03.在所述电子传输层吸附的所述溶剂分子层表面真空蒸镀阴极材料铝，使得所述电子传输层表面依次形成铝碳化合物层和阴极。
[0050]作为优选实施例，上述步骤S01或Q01中，还包括在所述阳极和所述有机发光层之间制备空穴注入层、空穴传输层中的至少一层；更有选为在所述阳极上依次制备空穴注入层、空穴传输层，然后在所述空穴传输层上制备所述有机发光层。
[0051]具体的，所述阳极可以在衬底上沉积制备。所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述有机发光层的制备可采用本领域常规制备方法实现，作为优选实施例，所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述有机发光层均可采用溶液加工或者真空蒸镀制备。
[0052]上述步骤S02或Q02中，将