发光器件封装的制作方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2014年8月5日在韩国提交的第10-2014-0100524号韩国专利申请 的优先权，其通过引用整体并入本文，视同将其全文描述于此。
技术领域
[0003] 实施例设及一种发光器件封装，更具体地，设及一种将从光源发出的均匀的光通 量向外传送的发光器件封装。
【背景技术】
[0004] 由于具有诸如容易控制的宽带隙能量之类的许多优点，诸如GaN和AlGaN之类的 III-V族化合物半导体被广泛地用于光电子学和电子学。 阳〇化]特别地，由于器件材料和薄膜生长技术的发展，使用III-V族或II-VI族化合物半 导体的发光器件，例如发光二极管或激光二极管，能够发射诸如红、绿和蓝等各种颜色的可 见光和紫外光。运些发光器件通过使用巧光物质或颜色合成还能够W高的发光效率发射白 光，并且与诸如巧光灯和白识灯之类的传统光源相比具有低功耗、半永久寿命、快速响应速 度、安全和环境友好等诸多优点。
[0006] 因此，发光器件的应用领域扩展到了光通信装置的发送模块、用来取代作为液晶 显示器化CD)设备背光的冷阴极巧光灯（CCFL)的发光二极管背光、用来取代巧光灯或白识 灯的白光发光二极管照明装置、车辆头灯W及交通灯。
[0007] 在发光器件中，包括非渗杂半导体层（未渗杂GaN层）、第一导电半导体层（n型 GaN层）、有源层（MQW层）和第二导电半导体层（P型GaN层）的发光结构可W形成在例如 由蓝宝石形成的衬底上，第一电极和第二电极可W分别布置在第一导电半导体层和第二导 电半导体层上。
[0008] 发光器件被配置为发射具有通过有源层的组成材料的固有能带确定的能量的光， 在有源层中通过第一导电半导体层注入的电子和通过第二导电半导体层注入的空穴彼此 相遇。从有源层发射的光可W基于有源层的组成材料的组分而变化，并且例如可W是蓝光、 紫外线0JV)光、深UV光或各种其他波长范围的光。
[0009] 从发光器件发射的第一波长范围内的光可W激发巧光体（phosphor)，并且第二波 长范围内的光可W从巧光体发出。巧光体可W被包括在包围发光器件的模制部件中，或者 可W W巧光膜的形式被布置。
[0010] 图1是示出发光器件封装的剖视图，W及图2是示出图1所示的发光器件的俯视 图。 W11] 发光器件封装100包括：具有腔体的本体110、安装到本体110的第一引线框121 和第二引线框122、安装到本体110且电连接至第一引线框121和第二引线框122的发光器 件130、W及形成在腔体中的模制部件160。
[0012] 发光器件130可W直接电连接至第一引线框121，而位于发光器件130上的第一电 极焊盘140可W经由布线150接合到第二引线框122。模制部件160可W包括巧光体165。
[0013] 在腔体的侧面作为反射面R的本体110的一部分可W配置倾斜面。当发光器件 130被布置在腔体底面的中屯、时，腔体的反射面R可W具有左右对称的形状。
[0014] 然而，传统的发光器件存在W下问题。
[0015] 由于至少一个第一电极焊盘140被布置在发光器件130的顶部上，因而布置有第 一电极焊盘140的区域的光通量可能减少，因为从发光器件130的内部发射的光通过第一 电极焊盘140被反射。
[0016] 也就是说，参见图2中的（a)和化）图，在设置有焊盘140的右侧区域的光通量可 能小于左侧区域的光通量。由于微处理技术的发展导致腔体结构的尺寸减小，因此，根据发 光器件130上的第一电极焊盘140的布置方式，从发光器件封装100发出的光通量可能显 现出不均匀分布。更具体地，由于从发光器件130的右侧区域的顶部发出的光通量小，因 此，反射面R的反射可能导致较小的光通量向左侧传播到发光器件封装100的外部。
【发明内容】
[0017] 实施例提供一种能够发出均匀的光通量的发光器件封装。
[0018] 在一个实施例中，发光器件封装包括：第一引线框和第二引线框；发光器件，电连 接至所述第一引线框和所述第二引线框中的每个引线框，所述发光器件具有不对称地形成 在其顶面上的第一电极焊盘；W及反射构件，布置为围绕所述发光器件W反射从所述发光 器件发射的光，其中所述反射构件被配置使得布置有所述第一电极焊盘的第一区的反射面 的倾斜度的标准偏差大于与所述第一区相对的第二区的反射面的倾斜度的标准偏差。
[0019] 在另一个实施例中，发光器件封装包括：第一引线框和第二引线框；发光器件，电 连接至所述第一引线框和所述第二引线框中的每一个引线框，所述发光器件具有不对称地 形成在其顶面上的第一电极焊盘；W及反射构件，布置为围绕所述发光器件W反射从所述 发光器件发射的光，其中，在所述反射构件的发光区内，从对应于所述发光器件的中屯、区的 点到布置有所述第一电极焊盘的第一区的反射面的距离大于从对应于所述发光器件的中 屯、区的点到与所述第一区相对的第二区的反射面的距离。
[0020] 所述反射构件可W被配置使得与所述第一区和所述第二区相交的第=区和第四 区的反射面的倾斜度的标准偏差相同。
[0021] 所述反射构件可W被配置使得所述第一区的反射面的倾斜度的标准偏差大于所 述第二区的反射面的倾斜度的标准偏差并且等于或小于所述第二区的反射面的倾斜度的 标准偏差的7倍。
[0022] 所述反射构件还可W包括与所述第一区和所述第二区相交的第=区和第四区，并 且在所述反射构件的发光区内，从对应于所述发光器件的中屯、区的点到所述第=区的反射 面的距离可W大于从对应于所述发光器件的中屯、区的点到所述第四区的反射面的距离。
[0023] 在所述反射构件的发光区内，从对应于所述发光器件的中屯、区的点到所述第二区 的反射面的距离在从对应于所述发光器件的中屯、区的点到所述第一区的反射面的距离的 93%到99%的范围内。从所述发光器件发射并被引导至第一区的光的一部分可W被第一电 极焊盘反射。
[0024] 从所述发光器件发出并被引导至邻近所述第一区的反射面的光通量可能小于从 所述发光器件发出并被引导至邻近第二区的反射面的光通量。
[00巧]所述第一电极焊盘包括侣（Al)、铁（Ti)、铭（化）、儀（Ni)、铜（化）和金（Au)中的 至少一种。
[00%] 所述第一引线框和第二引线框被布置在本体上，所述本体具有腔体，第一区的反 射面和第二区的反射面形成所述腔体的侧壁。
[0027] 在另一个实施例中，照明装置包括上述的封装。
[0028] 采用本申请的上述技术方案，从发光器件封装发射出去的光可W显现出均匀分 布。
【附图说明】
[0029] 将参照W下附图详细描述布置和实施例，在附图中相同的附图标记表示相同的元 件，附图中：
[0030] 图1是示出发光器件封装的剖视图；
[0031] 图2是示出图1所示的发光器件的俯视图；
[0032] 图3是示出发光器件封装的一个实施例的剖视图；
[0033] 图4A是示出图3所示的发光器件的剖视图；
[0034] 图4B是示出图3所示的发光器件的平面图；
[0035] 图5是示出图3所示的发光器件的反射面的视图；
[0036] 图6是示出相对于第一方向的图5中的反射面的剖视图；
[0037] 图7是示出相对于第二方向的图5中的反射面的剖视图；
[0038] 图8A到图8C是示出根据表1的实施例的从具有反射面结构的发光器件封装发出 的光通量的测量结果的视图；
[0039] 图9A到图9C是示出根据表2的实施例的从具有反射面结构的发光器件封装发出 的光通量的测量结果的视图； W40] 图IOA到图IOC是示出根据表3的实施例的从具有反射面结构的发光器件封装发 出的光通量的测量结果的视图；W及
[0041] 图IlA到图Iic是示出根据表4的比较实施例的从具有反射面结构的发光器件封 装发出的光通量的测量结果的视图。
【具体实