薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。【【背景技术】】
[0002]传统的柔性显示器(Flexible Display) 一般都包括柔性基板，所述柔性基板一般较薄，无法直接在所述柔性基板上进行相应的制程，因此，传统的柔性显示器一般都需要固定在玻璃基板上来进行相应的制程。
[0003]在实践中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:
[0004]玻璃基板与柔性基板的热膨胀系数不同，因此在所述柔性基板的制作过程中会出现所述玻璃基板翘曲/弯曲的现象，这不利于所述柔性基板的制程的进行。
[0005]故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【
【发明内容】
】
[0006]本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法，其能有效降低(减缓)所述柔性基板的应力，避免所述柔性基板的应力过大。
[0007]为解决上述问题，本发明的技术方案如下:
[0008]—种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括:柔性基板；缓冲层，所述缓冲层设置在所述柔性基板上，所述缓冲层上设置有应力减缓部，所述应力减缓部用于减缓所述柔性基板的应力；显示器件层，所述显示器件层设置在所述缓冲层上。
[0009]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述应力减缓部包括至少一凹陷部和/或至少一凸起部；至少一所述凹陷部和/或至少一所述凸起部以一维阵列或二维阵列的形式排列。
[0010]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述应力减缓部包括至少一凹槽和/或至少一凸条；至少一所述凹槽和/或至少一所述凸条以一维阵列或二维阵列的形式排列。
[0011]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述应力减缓部是通过光罩制程和/或蚀刻制程来形成的；所述应力减缓部设置于所述缓冲层面向所述显示器件层的一面上。
[0012]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述应力减缓部是通过在所述柔性基板上涂布光阻材料，并对光阻材料进行图形化，以得到与待形成的应力减缓部的尺寸、形状、面积相对应的光阻块，然后再在所述光阻块和所述柔性基板上形成所述缓冲层所对应的材料层，最后再清除所述光阻块来形成的；所述应力减缓部设置于所述缓冲层背向所述显示器件层的一面上。
[0013]—种上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法，所述方法包括以下步骤:A、在所述柔性基板上设置所述缓冲层；B、在所述缓冲层上设置所述应力减缓部，其中，所述应力减缓部用于减缓所述柔性基板的应力；C、在所述缓冲层上设置所述显示器件层。
[0014]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述应力减缓部包括至少一凹陷部和/或至少一凸起部；至少一所述凹陷部和/或至少一所述凸起部以一维阵列或二维阵列的形式排列。
[0015]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述应力减缓部包括至少一凹槽和/或至少一凸条。
[0016]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤B包括:bl、对所述缓冲层实施光罩制程和/或蚀刻制程，以在所述缓冲层上形成所述应力减缓部；所述应力减缓部设置于所述缓冲层面向所述显示器件层的一面上。
[0017]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤B包括:b2、在所述柔性基板上涂布光阻材料山3、对光阻材料进行图形化，以得到与待形成的应力减缓部的尺寸、形状、面积相对应的光阻块；b4、在所述光阻块和所述柔性基板上形成所述缓冲层所对应的材料层山5、清除所述光阻块；所述应力减缓部设置于所述缓冲层背向所述显示器件层的一面上。
[0018]相对现有技术，本发明可以有效降低(减缓)所述柔性基板的应力，避免所述柔性基板的应力过大，从而有利于避免所述柔性基板或者为制作所述柔性基板所使用的玻璃基板翘曲/弯曲，进而有利于提高黄光对位制程的精准度。
[0019]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【【附图说明】】
[0020]图1为本发明的薄膜晶体管阵列面板的第一实施例的示意图；
[0021]图2为本发明的薄膜晶体管阵列面板的第二实施例的示意图；
[0022]图3为本发明的薄膜晶体管阵列面板的第三实施例的示意图；
[0023]图4至7为图1至3中的薄膜晶体管阵列面板中不同形式的缓冲层的上视图；
[0024]图8为本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法的流程图。
【【具体实施方式】】
[0025]本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
[0026]本发明的显不面板可以是TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显不面板)，AMOLED (Active Matrix Organic Light EmittingD1de，有机发光二机体显示面板)，有机发光照明面板等。
[0027]参考图1至图7，图1为本发明的薄膜晶体管阵列面板的第一实施例的示意图，图2为本发明的薄膜晶体管阵列面板的第二实施例的示意图，图3为本发明的薄膜晶体管阵列面板的第三实施例的示意图，图4至7为图1至3中的薄膜晶体管阵列面板中不同形式的缓冲层102的上视图。
[0028]本实施例的薄膜晶体管阵列面板包括柔性基板101、第一保护层104、缓冲层102和显示器件层103。
[0029]所述第一保护层104设置在所述柔性基板101上，所述缓冲层102设置在所述柔性基板101上，具体地，所述缓冲层102设置在所述第一保护层104上，所述缓冲层102上设置有应力减缓部，所述应力减缓部用于减缓所述柔性基板101的应力。
[0030]所述显示器件层103设置在所述缓冲层102上。所述显示器件层103包括第二保护层1031和显示单元部件层1032，所述第二保护层1031设置于所述缓冲层102上，所述显示单元部件层1032设置于所述第二保护层1031上。
[0031]所述应力减缓部包括至少一凹陷部402和/或至少一凸起部401。至少一所述凹陷部402和/或至少一所述凸起部401以一维阵列或二维阵列的形式排列，如图4所示。
[0032]或者，所述应力减缓部包括至少一凹槽1022和/或至少一凸条1021。至少一所述凹槽1022和/或至少一所述凸条1021以一维阵列或二维阵列的形式排列，如图5至7所不O
[0033]在上述实施例中，所述应力减缓部是通过光罩制程和/或蚀刻制程来形成的，此时，所述应力减缓部设置于所述缓冲层102面向所述显示器件层103的一面上。或者，所述应力减缓部是通过在所述柔性基板101上沉积底层保护层(即，所述第一保护层104)和缓冲层102 (例如，氮化硅、氧化硅等)，然后涂布光阻材料，并对光阻材料进行图形化，以得到与待形成的应力减缓部的尺寸、形状、面积相对应的光阻块，然后进行蚀刻制程，得到所述缓冲层102所对应的材料层(例如，氮化硅、氧化硅等)，最后再清除所述光阻块(即，对所述光阻块进行剥离(Strip))来形成，或使用Sputter Lift Off (溅镀剥离)方式，即不用经过蚀刻，只是将PI (Polyimide，聚酰亚胺)上先沉积第一层整面保护层(即，所述第一保护层104)所对应的材料层(例如，氮化硅、氧化硅等)，再在所述整面保护层(即，所述第一保护层104)上涂布光阻材料，并对光阻材料进行图形化，之后利用物理气相沉积方式形成第二层缓冲层102，再将光阻块去除，而完成应力缓冲部，此时，所述应力减缓部设置于所述缓冲层102背向所述显示器件层103的一面上。
[0034]所述第二保护层1031覆盖