oSe2、WS2、WSe2或SnS2。源电极114和漏电极115设置于第一绝缘层113上方，且间隔设置于半导体有源层112两侧并分别与半导体有源层112接触，在半导体有源层112、源电极114和漏电极115的上方还覆盖设置有第二绝缘层116，在第二绝缘层116上方设置有第二栅极117，第二栅极117的位置与半导体有源层112的位置相对应。
[0076]请进一步参看图7，本实施例的TFT阵列基板的制作方法包括:
[0077]S21:提供一硬性基板100。
[0078]S22:提供一柔性基板101。
[0079]S23:在柔性基板101上形成第一绝缘层113。
[0080]S24:提供一衬底基板。[0081 ] S25:在衬底基板上形成类石墨稀结构的二维层状半导体材料。
[0082]S26:将二维层状半导体材料转印到第一绝缘层113的指定位置上。
[0083]S27:对二维层状半导体材料进行氢化处理，以形成半导体有源层112。
[0084]S28:通过掩膜工艺在第一绝缘层113上进一步形成源电极114及漏电极115。
[0085]S29:在源电极114、漏电极115及半导体有源层112上方设置第二绝缘层116。
[0086]S30:在第二绝缘层116上方形成第二栅极117。
[0087]其中，本实施例的TFT阵列基板与上述实施例的阵列基板的制作工艺上的差别在于，为保证柔性显示阵列基板中器件稳定性和良好接触，本实施例的TFT阵列基板先在柔性基板101上形成第一绝缘层113，然后在衬底基板上形成的类石墨烯结构的二维层状半导体材料转印到第一绝缘层113的预设的指定位置上，进一步对类石墨烯结构的二维层状半导体材料进行氢化处理形成半导体有源层112，然后通过掩膜工艺在第一绝缘层113上形成源电极114及漏电极115，即在半导体有源层112两侧形成源电极114及漏电极115，源电极114及漏电极115通过半导体有源层112间隔设置，且源电极114及漏电极115分别与半导体有源层112接触。然后再在半导体有源层112、源电极114及漏电极115上方覆盖设置第二绝缘层116及第二栅极117，第二栅极117设置于第二绝缘层116上方且与半导体有源层112的位置对应。
[0088]综上所述，区域别于现有技术，本发明的TFT阵列基板通过采用类石墨烯结构的二维层状半导体材料作为半导体有源层，从而使得TFT阵列基板具有非常高的迀移率及机械性能，抗挠性优异，并且大大缩减了基板的厚度。
[0089]需要强调的是，本发明的TFT阵列基板可用于LCD(liquid crystal display)、0LED(organic light-emitting d1de)、EPD(electrophoresis display)、EWP(electrowetting display)等。并且，TFT可为像素单元内的TFT，也可以为GOA电路的TFT。
[0090]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括: 提供一硬性基板； 提供一柔性基板，所述柔性基板设置于所述硬性基板上； 在所述柔性基板上形成第一绝缘层，其中在所述第一绝缘层上方预设指定位置； 提供一衬底基板； 在所述衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料，其中所述类石墨烯结构的二维层状半导体材料为MoS2、MoSe2、WS2、WSe2或SnS2; 将所述二维层状半导体材料转印到所述指定位置上； 对所述二维层状半导体材料进行氢化处理，以形成半导体有源层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述二维层状材料具体为MoS2，所述在所述衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料的步骤具体包括: 在所述衬底基板上形成Mo图形，所述Mo图形的位置与所述指定位置相对应； 采用MoO3和S材料在600°C至800°C的温度之间进行化学气相沉积，以在所述Mo图形上形成二维层状的MoS2。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述二维层状MoS2中同一层Mo原子形成的平面与所述柔性基板平行。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，单层所述二维层状MoS2的厚度为0.62nm至0.72nm。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述提供一柔性基板的步骤之后，且在所述柔性基板上形成第一绝缘层的步骤之前，所述制作方法还包括: 在所述柔性基板上形成第一栅极，其中所述第一绝缘层覆盖所述第一栅极并延伸到所述柔性基板上，且所述第一栅极的位置与所述指定位置相对应。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述对所述二维层状半导体材料进行氢化处理，以形成所述半导体有源层的步骤之后，所述方法还包括: 通过掩膜工艺在所述第一绝缘层上进一步形成源电极及漏电极，其中，所述源电极及漏电极通过所述半导体有源层间隔设置，并且，所述源电极及所述漏电极分别与所述半导体有源层接触。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述对所述二维层状半导体材料进行氢化处理，以形成所述半导体有源层的步骤之后，所述方法还包括: 通过掩膜工艺在所述第一绝缘层上进一步形成源电极及漏电极，所述源电极及漏电极通过所述半导体有源层间隔设置，并且，所述源电极及所述漏电极分别与所述半导体有源层接触； 在所述源电极、所述漏电极及所述半导体有源层上方设置第二绝缘层； 在所述第二绝缘层上方形成第二栅极，其中所述第二栅极的位置与所述半导体有源层位置对应。8.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括: 一硬性基板； 一柔性基板，所述柔性基板设置于所述硬性基板上； 第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述柔性基板上； 半导体有源层，所述半导体有源层设置于所述第一绝缘层上方预设的指定位置上，且所述半导体有源层为类石墨烯结构的二维层状半导体材料，其中所述类石墨烯结构的二维层状半导体材料为MoS2、MoSe2、WS2、WSe2或SnS2。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括: 第一栅极，所述第一栅极设置于所述柔性基板与所述第一绝缘层之间，且所述第一栅极与所述半导体有源层位置对应； 源电极及漏电极，所述源电极及漏电极通过所述半导体有源层间隔设置于所述第一绝缘层上，并且所述源电极及所述漏电极分别与所述半导体有源层接触。10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括: 源电极及漏电极，所述源电极及漏电极通过所述半导体有源层间隔设置于所述第一绝缘层上，并且所述源电极及所述漏电极分别与所述半导体有源层接触； 第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖设置于所述半导体有源层、所述源电极及所述漏电极上； 第二栅极，所述第二栅极设置于所述第二绝缘层上，且所述第二栅极的位置与所述半导体有源层位置对应。
【专利摘要】本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，通过在衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料，并将该类石墨烯结构的二维层状半导体材料通过转印的方式转印到柔性基板指定的位置上以用作阵列基板的半导体有源层，因此本发明的TFT阵列基板的半导体有源层采用类石墨烯结构的二维层状半导体材料，使得阵列基板具有非常高的迁移率及机械性能，抗挠性优异，并且大大缩减了基板的厚度。
【IPC分类】H01L21/77, H01L27/12
【公开号】CN105514121
【申请号】CN201610051645
【发明人】梁博
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2016年1月26日