一种新型压接式二极管压接结构的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种新型压接式二极管压接结构。该发明中涉及的二极管为压接式二极管。压接式二极管里面封装的二极管芯片是和压接面分离的，在使用过程中，必须先对二极管施加一定的压接力，使上下压接面和二极管芯片充分接触，才能使压接式二极管正常工作。但在3000V及其以上电压等级的大功率IGBT吸收回路中，模块式二极管的管芯为两个二极管芯片串联的结构，使用时必须用电阻进行均压，这样就增加了吸收回路的复杂程度。该发明主要针对3000V及以上电压等级的大功率IGBT吸收回路而专门设计的新型压接式二极管压接结构。
【专利说明】
一种新型压接式二极管压接结构
技术领域
[0001 ]该发明可用在3000V及其以上电压等级的大功率IGBT吸收回路中。具体涉及一种新型压接式二极管压接结构。
【背景技术】
[0002]随着柔性直流输电，风力发电、太阳能发电，中高压变频器等技术的发展，3000V以上电压等级的IGBT运用范围越来越广;其配套的产品也随之产生，并越来越成熟，但在IGBT吸收回路中，却一直没有专用的吸收二极管出现。
[0003]在3000V以上电压等级的模块式二极管中，为了提高电压等级，其结构一般为两个二极管芯片串联，使用时必须用电阻进行均压，这样就增加了吸收回路的复杂程度。
[0004]压接式二极管单管耐压值高，其散热方式为双面散热，正常工作时散热要求比较高。但是在大功率IGBT应用领域，一般情况下IGBT开关频率都比较低，对于吸收二极管的散热性要求不高，因此可以利用压接式二极管来设计新型的大功率IGBT专用吸收二极管。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种新型压接式二极管压接结构，该发明是针对3000V及以上电压等级的大功率IGBT吸收回路而专门设计的新型压接式二极管压接结构。
[0006]为达到上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0007]—种新型压接式二极管压接结构，包括盖板和缘壳壳体，其特征在于:所述绝缘壳体通过紧固螺钉与盖板进行连接；
[0008]所述绝缘壳体为中心位置含有空洞的长方体，空洞处嵌入有导电铜柱，导电铜柱为圆柱形，圆柱形导电铜柱的顶部高度大于绝缘壳体的高度，圆柱形导电铜柱的底部设置凸缘，凸缘(的上表面连接碟形弹簧的下表面，碟形弹簧的上表面连接垫圈，垫圈的上端与绝缘壳体的空洞内壁接触;圆柱形导电铜柱的底部表面通过定位销连接压接式二极管；
[0009]所述绝缘壳体的上表面设置安装孔。
[0010]进一步地，所述垫圈和碟形弹簧为围绕导电铜柱的环形结构。
[0011]进一步地，所述定位销的连接点位于圆柱形导电铜柱的底部表面的中心位置。
[0012]进一步地，所述安装孔的数量为至少4个。
[0013]有益效果:
[0014]本发明将所需的压接力传递给了压接式二极管，并将压接力储存在碟型弹簧中。
【附图说明】
[0015]图1为本发明的主视图；
[0016]图2为本发明的仰视图；
[0017]图3为本发明的剖面结构图。
[0018]结合图1?图2，本发明的具体附图标记如下:1、导电铜柱;2、绝缘壳体;3、垫圈;4、碟型弹簧;5、盖板;6、压接式二极管;7、紧固螺钉;8、定位销;9、安装孔;10、凸缘。
【具体实施方式】
[0019]下面结合图1?图2对本发明作进一步详细描述:
[0020]—种新型压接式二极管压接结构，主要由导电铜柱、绝缘壳体、垫圈、碟型弹簧，压接式二极管、盖板组成；四个紧固螺钉将绝缘壳体和盖板固定在一起，此时压接式二极管并没有受到压接力的作用。
[0021]当通过安装孔把整体结构固定在散热器上的时候，安装孔里面的螺栓会产生向下的压力，并把二极管逐渐的向下压缩，把螺栓一直拧到盖板与散热器台面接触的时候。此时已经将所需的压接力传递给了压接式二极管，并将压接力储存在碟型弹簧中。
[0022]此时碟型弹簧储存的压接力可以对压接式二极管产生持续的反向压力，并保证在以后的使用过程中，压接式二极管的上下压接面可以有足够的压力，保证压接式二极管的压接效果。
[0023]在安装后的结构中，绝缘壳体上面承受的压力通过垫圈均匀的传递给了碟型弹簧，也使得碟型弹簧反向压力释放的也更加均匀，更加保证了压接式二极管的压接效果。
[0024]定位销的作用是将压接式二极管和导电铜柱的中心定位在一起，防止压接过程中发生偏移。
【主权项】
1.一种新型压接式二极管压接结构，包括盖板(5)和缘壳壳体(2)，其特征在于:所述绝缘壳体(2)通过紧固螺钉(7)与盖板(5)进行连接； 所述绝缘壳体为中心位置含有空洞的长方体，空洞处嵌入有导电铜柱(I)，导电铜柱(I)为圆柱形，圆柱形导电铜柱(I)的顶部高度大于绝缘壳体(2)的高度，圆柱形导电铜柱(I)的底部设置凸缘(10)，凸缘(10)的上表面连接碟形弹簧(4)的下表面，碟形弹簧(4)的上表面连接垫圈(3)，垫圈(3)的上端与绝缘壳体(2)的空洞内壁接触；圆柱形导电铜柱(I)的底部表面通过定位销(8)连接压接式二极管(6); 所述绝缘壳体(2)的上表面设置安装孔(9)。2.根据权利要求1所述的一种新型压接式二极管压接结构，其特征在于，所述垫圈(3)和碟形弹簧(4)为围绕导电铜柱(I)的环形结构。3.根据权利要求1所述的一种新型压接式二极管压接结构，其特征在于，所述定位销(8)的连接点位于圆柱形导电铜柱(I)的底部表面的中心位置。4.根据权利要求1所述的一种新型压接式二极管压接结构，其特征在于，所述安装孔(9)的数量为至少4个。
【文档编号】H01L23/10GK105914186SQ201610475118
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年6月24日
【发明人】吴企尧, 李鹏, 张朝山, 杜济园
【申请人】西安开天电力电子技术有限公司