一种再分布层的制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种再分布层的制备方法，其包括如下步骤：a、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体，所述晶圆器件体包括晶圆体以及位于所述晶圆体上的器件层；b、在上述器件层上沉积TiCu层，并在所述TiCu层上设置掩膜层；c、对上述掩膜层进行选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通掩膜层的刻蚀窗口；d、在上述刻蚀窗口内进行Cu电镀，以得到电镀Cu层；e、在上述电镀Cu层上设置保护层，所述保护层覆盖在电镀Cu层上；f、去除上述的掩膜层，以得到位于TiCu层上的电镀Cu层以及保护层；g、利用上述的电镀Cu层以及保护层对TiCu层进行刻蚀，以得到与器件层匹配连接的布线结构体。
【专利说明】
一种再分布层的制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种方法，尤其是一种再分布层的制备方法，属于半导体器件的技术领域。
【背景技术】
[0002]在RDL(重布线层)制备过程中，RDL表面的Cu层会被腐蚀，而Cu层被腐蚀后，会存在如下的问题:I)、在进行自动光学检测时，会将RDL表面的刻蚀痕迹误报为缺陷；2)、RDL表面被刻蚀，会导致整个晶圆上RDL的厚度一致性降低;3)、RDL表面被刻蚀，针对细线条的情况，会出现RDL线条丢失。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种再分布层的制备方法，其工艺步骤简单，能有效避免对Cu层表面的腐蚀，提高RDL厚度的一致性，避免细线条情况的线条丢失以及自动光学检测时的缺陷误报，安全可靠。
[0004]按照本发明提供的技术方案，一种再分布层的制备方法，所述再分布层制备方法包括如下步骤:
a、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体，所述晶圆器件体包括晶圆体以及位于所述晶圆体上的器件层；
b、在上述器件层上沉积TiCu层，并在所述TiCu层上设置掩膜层；
C、对上述掩膜层进行选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通掩膜层的刻蚀窗口；
d、在上述刻蚀窗口内进行Cu电镀，以得到电镀Cu层；
e、在上述电镀Cu层上设置保护层，所述保护层覆盖在电镀Cu层上；
f、去除上述的掩膜层，以得到位于TiCu层上的电镀Cu层以及保护层；
g、利用上述的电镀Cu层以及保护层对TiCu层进行刻蚀，以得到与器件层匹配连接的布线结构体。
[0005]所述晶圆体包括硅晶圆，所述掩膜层包括光刻胶层。
[0006]所述保护层为电镀在电镀Cu层上的Ni层。
[0007]本发明的优点:通过在电镀Cu层上电镀Ni层形成保护层，利用保护层的作用，能有效避免在TiCu层刻蚀时，对电镀Cu层表面的腐蚀，同时也能避免电镀Cu层的氧化，工艺步骤简单，提高RDL后晶圆厚度的一致性，避免细线条情况的线条丢失，且也有效避免自动光学检测时的缺陷误报，安全可靠。
【附图说明】
[0008]图1?图8为本发明的具体实施工艺步骤图，其中图1为本发明晶圆器件体的示意图。
[0009]图2为本发明得到TiCu层后的示意图。
[0010]图3为本发明得到掩膜层后的示意图。
[0011 ]图4为本发明得到刻蚀窗口后的示意图。
[0012]图5为本发明得到电镀Cu层后的示意图。
[0013]图6为本发明得到保护层后的示意图。
[0014]图7为本发明去除掩膜层后的示意图。
[0015]图8为本发明对TiCu层进彳丁刻蚀后的不意图。
[0016]附图标记说明:1-晶圆体、2-器件层、3-TiCu层、4-掩膜层、5-刻蚀窗口、6-电镀Cu层以及7-保护层。
【具体实施方式】
[0017]下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
[0018]如图1?图8所不:为了能有效避免对Cu层的腐蚀，提尚RDL厚度的一致性，避免细线条情况的线条丢失，本发明的再分布层制备方法包括如下步骤:
a、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体，所述晶圆器件体包括晶圆体I以及位于所述晶圆体I上的器件层2;
如图1所示，晶圆体I可以为硅晶圆，当然也可以为其他半导体材料晶圆，器件层2位于晶圆体I的正面，器件层2的具体结构以及制备工艺均可以根据需要进行选择，具体的过程为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
[0019]b、在上述器件层2上沉积TiCu层3，并在所述TiCu层3上设置掩膜层4;
如图2和图3所示，可以采用本技术常用的工艺条件在器件层2上沉积TiCu层3，掩膜层4可以为光刻胶层，当掩膜层4为光刻胶层时，将光刻胶涂覆在TiCu层3，具体工艺过程为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
[0020]c、对上述掩膜层4进行选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通掩膜层4的刻蚀窗口 5; 如图4所示，当掩膜层4采用光刻胶时，对掩膜层4进行选择性地掩蔽和光刻，得到刻蚀窗口 5，所述刻蚀窗口 5贯通掩膜层4，以使得对应的TiCu层3裸露，具体得到刻蚀窗口 5的工艺过程为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
[0021]d、在上述刻蚀窗口 5内进行Cu电镀，以得到电镀Cu层6;
如图5所示，所述电镀Cu层6位于刻蚀窗口 5内，电镀Cu层6与裸露的TiCu层3表面直接接触，具体电镀得到电镀Cu层6的工艺条件以及工艺过程为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
[0022]e、在上述电镀Cu层6上设置保护层7，所述保护层7覆盖在电镀Cu层6上；
如图6所示，所述保护层7可以为Ni层，所述Ni层可以通过电镀的方式设置在电镀Cu层6上，具体在电镀Cu层6上电镀Ni层的工艺条件及过程均为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。一般地，电镀Cu层6以及保护层7的高度不大于刻蚀窗口 5的深度。
[0023]f、去除上述的掩膜层4，以得到位于TiCu层3上的电镀Cu层6以及保护层7;
如图7所示，采用本技术领域常规的工艺步骤能去除掩膜层4，在去除掩膜层4后，电镀Cu层6以及保护层7均支撑在TiCu层3上。
[0024]g、利用上述的电镀Cu层6以及保护层7对TiCu层3进行刻蚀，以得到与器件层2匹配连接的布线结构体。
[0025]如图8所示，在对TiCu层3进行刻蚀时，支撑电镀Cu层6以及保护层7区域的TiCu层3由于遮挡保留，其余区域的TiCu层3被去除，同时，利用Ni层的保护层7的作用，避免对电镀Cu层6的刻蚀，也能避免电镀Cu层6的氧化;保护层7的存在也不会影响整个再分布层的功能与使用。
[0026]本发明通过在电镀Cu层6上电镀Ni层形成保护层7，利用保护层7的作用，能有效避免在TiCu层刻蚀时，对电镀Cu层6表面的腐蚀，同时也能避免电镀Cu层6的氧化，工艺步骤简单，提高刻蚀后RDL厚度的一致性，避免细线条情况的线条丢失，且也有效避免自动光学检测时的缺陷误报，安全可靠。
【主权项】
1.一种再分布层的制备方法，其特征是，所述再分布层制备方法包括如下步骤: (a)、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体，所述晶圆器件体包括晶圆体(I)以及位于所述晶圆体(I)上的器件层(2); (b)、在上述器件层(2)上沉积TiCu层(3)，并在所述TiCu层(3)上设置掩膜层(4); (C)、对上述掩膜层(4)进行选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通掩膜层(4)的刻蚀窗口(5)； (d)、在上述刻蚀窗口(5)内进行Cu电镀，以得到电镀Cu层(6); (e)、在上述电镀Cu层(6)上设置保护层(7)，所述保护层(7)覆盖在电镀Cu层(6)上； (f)、去除上述的掩膜层(4)，以得到位于TiCu层(3)上的电镀Cu层(6)以及保护层(7); (g)、利用上述的电镀Cu层(6)以及保护层(7)对TiCu层(3)进行刻蚀，以得到与器件层(2)匹配连接的布线结构体。2.根据权利要求1所述的再分布层的制备方法，其特征是:所述晶圆体(I)包括硅晶圆，所述掩膜层(4)包括光刻胶层。3.根据权利要求1所述的再分布层的制备方法，其特征是:所述保护层(7)为电镀在电镀Cu层(6)上的Ni层。
【文档编号】H01L21/768GK105914181SQ201610388814
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年6月3日
【发明人】耿菲, 孙鹏, 徐健
【申请人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司