非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置制造方法
【专利摘要】本发明公开一种非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置，其中，该方法包括：在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于所述光传感器下方的接触层的图形，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与栅电极层同层设置且材料相同；进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形；在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使所述接触层、所述光传感器、所述源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。根据本发明的技术方案，能够简化非晶硅光电二极管基板的制造流程，提高制造效率，降低成本。
【专利说明】非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电二极管的制造工艺领域，尤其涉及一种非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置。
【背景技术】
[0002]目前，非晶硅光电二极管主要应用于X射线衍射(XRD，X-Ray Diffract1n)检测领域，如医院、机场、地铁等，具体可用于进行危险物品的检测等。图1是现有技术中非晶硅光电二极管基板的截面示意图，如图1所示，该非晶硅光电二极管主要由两部分构成，一部分是光电二极管结构的光传感器，该光电二极管结构的光传感器包括:n型非晶娃(n+a-Si)层10、非晶娃(a_Si)层ll>p型非晶娃(p+a-Si)层12和导电层13,光电二极管结构的光传感器主要用于接收光，并利用光伏效应产生电流；另一部分是薄膜晶体管，薄膜晶体管主要包括栅电极层14、半导体层(包括第一绝缘层15和非晶硅层16)、阻挡层17、源漏电极层18、PVXl过孔19、光罩层20、PVX2过孔21、ITO层22，薄膜晶体管的主要作用是开关和用于传递光传感器产生的电流信号。
[0003]现有技术中，非晶硅光电二极管基板的制造过程包括:
[0004]如图2所示，第一次掩膜工艺过程中，在玻璃基板23上形成栅电极层14。
[0005]如图3所示，第二次掩膜工艺过程中，在栅电极层14和玻璃基板23上形成半导体层，该半导体层包括第一绝缘层15和非晶硅层16，所述第一绝缘层15位于栅电极层14的上层，非晶娃层16位于第一绝缘层15的上层。
[0006]如图4所示，第三次掩膜工艺过程中，在半导体层上形成阻挡层17。
[0007]如图5所示，第四次掩膜工艺过程中，在阻挡层17和半导体层上形成源漏电极层18。
[0008]如图6所示，第五次掩膜工艺过程中，在源漏电极层18上形成光电二极管结构的光传感器，包括:n型非晶娃(n+a-Si)层10、非晶娃(a_Si)层ll、p型非晶娃(p+a-Si)层12和导电层13。
[0009]如图7所示，第六次掩膜工艺过程中，在光传感器、阻挡层17和源漏电极层18上形成PVXl过孔19。
[0010]如图8所示，第七次掩膜工艺过程中，在PVXl层19上层形成光罩层20。
[0011]如图9所示，以栅信号线为例，第八次掩膜工艺过程中，在PVXl过孔19上层形成PVX2 过孔 21。
[0012]如图10所示，以栅信号线为例，第九次掩膜工艺过程中，在PVX2过孔21上层形成ITO 层 22。
[0013]现有技术中，需要采用九次掩膜工艺才能完成整个非晶硅光电二极管基板的制造，因此现有的制造非晶硅光电二极管基板的工艺过程十分复杂，成本较高，效率较低。
【发明内容】
[0014]有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置，能够简化非晶硅光电二极管基板的制造流程，提高制造效率，降低成本。
[0015]为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的:
[0016]一种非晶硅光电二极管基板的制造方法，该方法包括:
[0017]进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于所述光传感器下方的接触层的图形，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与栅电极层同层设置且材料相同；
[0018]进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形；
[0019]在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使所述接触层、所述光传感器、所述源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。
[0020]进一步的，该方法还包括:
[0021]进行第四次构图工艺，在第三次构图工艺得到的基板上形成导电光罩层，所述光罩层覆盖所述第一过孔及位于所述源电极和所述漏电极之间的半导体层区域，并使所述接触层与所述源漏电极层中的源电极或漏电极相连通。
[0022]更进一步的，该方法还包括:
[0023]在第四次构图工艺得到的基板上形成第三绝缘层，进行第五次构图工艺，在第四次构图工艺得到的基板上形成至少使栅线部分区域暴露出来的第二过孔；
[0024]进行第六次构图工艺，在第五次构图工艺得到的基板上形成用于覆盖所述第二过孔区域的第一透明导电层的图形。
[0025]进一步的，所述进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管及位于所述光传感器下方的接触层的图形为:
[0026]在基板上依次形成所述栅电极层、半导体层、第二透明导电层和光刻胶；
[0027]对经过上述处理的基板进行曝光显影处理、刻蚀处理、灰化处理形成栅电极层、栅线接触层及光传感器。
[0028]更进一步的，所述对经过上述处理的基板进行构图曝光显影处理为:
[0029]对位于所述栅电极层、栅线及未被光传感器覆盖的接触层区域上方的光刻胶所述光刻胶部分曝光区域进行部分曝光，形成部分曝光区域；
[0030]对位于所述光传感器上方的光刻胶完全不曝光，形成完全不曝光区域；
[0031]对其他区域涂覆的光刻胶完全曝光，形成完全曝光区域。
[0032]更进一步的，所述对经过上述处理的所述基板进行刻蚀处理、灰化处理为:
[0033]对光电二极管结构的光传感器中第二透明导电层的刻蚀处理，将完全曝光区域的第二透明导电层刻蚀掉；
[0034]对光电二极管结构的光传感器中的半导体层进行刻蚀处理，将完全曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀掉；
[0035]对栅电极层进行刻蚀处理，将完全曝光区域的栅电极层刻蚀掉；
[0036]采用灰化工艺将部分曝光区域的光刻胶灰化掉；
[0037]对光电二极管结构的光传感器中第二透明导电层的刻蚀处理，将部分曝光区域的第二透明导电层刻蚀掉；
[0038]对光电二极管结构的光传感器中的半导体层进行刻蚀处理，将部分曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀掉；
[0039]将基板上剩余的光刻胶完全剥离掉。
[0040]一种非晶硅光电二极管基板，包括基板、设置在所述基板上的薄膜晶体管和光电二极管结构的光传感器，还包含有接触层，所述接触层位于所述光传感器的下方，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与所述薄膜晶体管中的栅电极层同层设置且材料相同。
[0041]进一步的，在所述光传感器与所述薄膜晶体管的上方覆盖有第二绝缘层，在所述第二绝缘层上设置有使所述接触层、所述光传感器、所述薄膜晶体管中的源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。
[0042]更进一步的，在所述第二绝缘层的上方设置有导电光罩层，所述光罩层覆盖所述第一过孔及位于所述薄膜晶体管中的源电极和所述漏电极之间的半导体层区域，并使所述接触层与所述薄膜晶体管中的源电极或漏电极相连通。
[0043]一种半导体装置，包括上述的非晶硅光电二极管基板。
[0044]本发明提供的非晶硅光电二极管基板的制造方法，进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于光传感器下方的接触层的图形，接触层未被光传感器完全覆盖，接触层与栅电极层同层设置且材料相同；进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形；在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使接触层、光传感器及源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。本发明在不影响产品品质的情况下，采用三次构图工艺完成非晶硅光电二极管基板的制造，因此能够简化非晶硅光电二极管基板的制造流程，提高制造效率，降低成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0045]图1是现有技术中非晶硅光电二极管基板的截面示意图；
[0046]图2是现有技术中第一次掩膜工艺过程后玻璃基板的截面示意图；
[0047]图3是现有技术中第二次掩膜工艺过程后玻璃基板的截面示意图；
[0048]图4是现有技术中第三次掩膜工艺过程后玻璃基板的截面示意图；
[0049]图5是现有技术中第四次掩膜工艺过程后玻璃基板的截面示意图；
[0050]图6是现有技术中第五次掩膜工艺过程后玻璃基板的截面示意图；
[0051]图7是现有技术中第六次掩膜工艺过程后玻璃基板的截面示意图；
[0052]图8是现有技术中第七次掩膜工艺过程后玻璃基板的截面示意图；
[0053]图9是现有技术中以栅信号线为例的第八次掩膜工艺过程后玻璃基板的截面示意图；
[0054]图10是现有技术中以栅信号线为例的第九次掩膜工艺过程后玻璃基板的截面示意图；
[0055]图11是本发明实现非晶硅光电二极管基板的制造方法的流程示意图；
[0056]图12是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后玻璃基板的平面示意图；
[0057]图13是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后玻璃基板的截面示意图；
[0058]图14是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后经过导电层刻蚀的玻璃基板的截面示意图；
[0059]图15是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后经过半导体层刻蚀的玻璃基板的截面示意图；
[0060]图16是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后经过栅电极刻蚀的玻璃基板的截面示意图；
[0061]图17是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后经过光刻胶灰化的玻璃基板的截面示意图；
[0062]图18是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后再次经过导电层刻蚀的玻璃基板的截面示意图；
[0063]图19是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后再次经过半导体层刻蚀的玻璃基板的截面示意图；
[0064]图20是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后经过光刻胶剥离的玻璃基板的截面示意图；
[0065]图21是本发明第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后经过光刻胶剥离的玻璃基板的平面不意图；
[0066]图22是本发明第二次掩膜工艺中形成源漏电极层的玻璃基板的平面示意图；
[0067]图23和图24是本发明第二次掩膜工艺中形成源漏电极层的玻璃基板的截面示意图；
[0068]图25是本发明第三次掩膜工艺中形成PVXl过孔的玻璃基板的平面示意图；
[0069]图26和图27是本发明第三次掩膜工艺中形成PVXl过孔的玻璃基板的截面示意图；
[0070]图28是本发明第四次掩膜工艺中形成光罩层的玻璃基板的平面示意图；
[0071]图29是本发明第四次掩膜工艺中形成光罩层的玻璃基板的截面示意图；
[0072]图30是本发明第五次掩膜工艺中形成PVX2过孔的玻璃基板的平面示意图；
[0073]图31是本发明第五次掩膜工艺中形成PVX2过孔的玻璃基板的截面示意图；
[0074]图32是本发明第六次掩膜工艺中形成ITO层的玻璃基板的截面示意图。
[0075]附图标记说明:
[0076]10:n型非晶硅层11:非晶硅层
[0077]12:p型非晶硅层13:导电层
[0078]14:栅电极层15:第一绝缘层
[0079]16:非晶硅层17:阻挡层
[0080]18:源漏电极层 19:PVX1过孔
[0081]20:光罩层21:PVX2 过孔
[0082] 22:1T0层23:玻璃基板
[0083]24:光刻胶
【具体实施方式】
[0084]本发明的基本思想是:进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于光传感器下方的接触层的图形，接触层未被光传感器完全覆盖，接触层与栅电极层同层设置且材料相同；进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形；在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使接触层、光传感器及源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。
[0085]下面通过附图及具体实施例对本发明再做进一步的详细说明。
[0086]本文所述构图工艺可以具体为掩膜工艺，所述基板可以具体为玻璃基板，半导体层可以具体包括:非晶硅层、η型非晶硅层、和/或P型非晶硅层。透明导电层可以具体为ITO层，第一过孔可以为PVXl过孔，第二过孔可以为PVX2过孔。
[0087]本发明提供一种非晶硅光电二极管基板的制造方法，图11是本发明实现非晶硅光电二极管基板的制造方法的流程示意图，如图11所示，该方法包括以下步骤:
[0088]步骤101，进行第一次掩膜工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于光传感器下方的接触层的图形；
[0089]这里，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与栅电极层同层设置且材料相同。
[0090]这里，进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管及位于光传感器下方的接触层的图形为:在基板上依次形成栅电极层、半导体层、第二透明导电层和光刻胶；对经过处理的基板进行曝光显影处理、刻蚀处理、灰化处理形成栅电极层、栅线接触层及光传感器。
[0091]这里，对经过上述处理的基板进行构图曝光显影处理为:对位于栅电极层、栅线及未被光传感器覆盖的接触层区域上方的光刻胶所述光刻胶部分曝光区域进行部分曝光，形成部分曝光区域；对位于光传感器上方的光刻胶完全不曝光，形成完全不曝光区域；对其他区域涂覆的光刻胶完全曝光，形成完全曝光区域。
[0092]这里，对经过上述处理的所述基板进行刻蚀处理、灰化处理为:对光电二极管结构的光传感器中第二透明导电层的刻蚀处理，将完全曝光区域的第二透明导电层刻蚀掉；对光电二极管结构的光传感器中的半导体层进行刻蚀处理，将完全曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀掉；对栅电极层进行刻蚀处理，将完全曝光区域的栅电极层刻蚀掉；米用灰化工艺将部分曝光区域的光刻胶灰化掉；对光电二极管结构的光传感器中第二透明导电层的刻蚀处理，将部分曝光区域的第二透明导电层刻蚀掉；对光电二极管结构的光传感器中的半导体层进行刻蚀处理，将部分曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀掉；将基板上剩余的光刻胶完全剥离掉。
[0093]具体的，首先，在玻璃基板23上采用磁控溅射的方法沉积栅电极层14，再采用增强型化学气相沉积法(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n)依次沉积 n型非晶硅层10、非晶硅层ll、p型非晶硅层12和导电层13 ;其中，栅电极层14的材料可以为铝钕合金(AlNd)、或铝(Al)、或铜(Cu)、钥(Mo)、钥钨(MoW)合金、或铬(Cr)的单层膜，也可以为(AlNd)、铝(Al)、铜(Cu)、钥(Mo)、钥钨(MoW)合金、铬(Cr)的任意组合所构成的复合膜；所述导电层13为透明导电薄膜，可以利用ΙΤ0、ΙΖ0等材料；然后，利用涂覆机在沉积的导电层13上涂覆一层光刻胶24 ；
[0094]对经过上述处理的玻璃基板23进行掩膜曝光显影处理，图12为第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后玻璃基板的平面示意图，如图12所示，其中，在形成栅电极层14和发光二极管结构的光传感器的过孔连接区域，涂覆的光刻胶24的曝光工艺采用半掩膜技术，即在形成栅电极层14和发光二极管结构的光传感器的过孔连接区域，为光刻胶24的部分曝光区域；发光二极管结构的光传感器的非过孔连接区域，涂覆的光刻胶24是完全不曝光，形成完全不曝光区域；其他区域涂覆的光刻胶24需要完全曝光，形成完全曝光区域；
[0095]图13为第一次掩膜工艺中掩膜曝光显影处理后玻璃基板的截面示意图，对玻璃基板23进行过掩膜曝光显影处理后，还需要对图13所示的玻璃基板23进行如下处理:首先，进行光电二极管结构的光传感器中导电层13的刻蚀处理，一般采用湿法刻蚀方式进行该导电层13的刻蚀，将完全曝光区域的导电层13刻蚀掉，得到图14所示的玻璃基板23 ;然后，对图14所示的玻璃基板23上的光电二极管结构的光传感器中的半导体层(包括η型非晶硅层10、非晶硅层11、ρ型非晶硅层12)进行刻蚀处理，这里采用干法刻蚀方式进行半导体层的刻蚀，将完全曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀完毕，得到图15所示的玻璃基板23 ;然后，对图15所示的玻璃基板23上的栅电极层14进行刻蚀处理，这里采用湿法刻蚀方式进行该栅电极层14的刻蚀，将完全曝光区域的栅电极层14刻蚀掉，得到图16所示的玻璃基板23 ;然后，采用灰化工艺对图16所示的玻璃基板23上的部分曝光区域的光刻胶24灰化掉，得到如图17所示的玻璃基板23 ;然后，再次进行光电二极管结构的光传感器中导电层13的刻蚀处理，一般采用湿法刻蚀方式进行该导电层13的刻蚀，将部分曝光区域的导电层13刻蚀掉，得到图18所示的玻璃基板23 ;然后，对图18所示的玻璃基板23上的光电二极管结构的光传感器中的半导体层(包括η型非晶硅层10、非晶硅层11、P型非晶硅层12)进行刻蚀处理，这里采用干法刻蚀方式进行半导体层的刻蚀，将部分曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀完毕，得到图19所示的玻璃基板23 ;最后，对图19所示的玻璃基板23进行剥离工艺，将剩余的光刻胶24完全剥离掉，得到如图20和图21所示的玻璃基板23。
[0096]步骤102，进行第二次掩膜工艺，在第一次掩膜工艺得到的玻璃基板上依次形成第一绝缘层、半导体层(包括η型非晶硅层10、非晶硅层11、ρ型非晶硅层12)和源漏电极层的图形；
[0097]具体的，在步骤101得到的玻璃基板23上，继续进行第二次掩膜工艺，在玻璃基板23上，采用增强型化学气相沉积法依次沉积第一绝缘层15、非晶硅层16、η型非晶硅层10，采用磁控溅射法沉积源漏电极层18 ；
[0098]对经过上述处理的玻璃基板上涂覆光刻胶，曝光显影后形成源漏电极图形的光刻胶，采用湿法刻蚀后形成源漏电极再进行干法刻蚀，对薄膜晶体管沟道的η型非晶硅进行刻蚀，剥离光刻胶最后得到如图22、图23和图24所示的第一绝缘层15、非晶硅层16、η型非晶硅层10和源漏电极层18。
[0099]步骤103，进行第三次掩膜工艺，在第二次掩膜工艺得到的玻璃基板上形成使接触层、光传感器、源漏电极层部分区域暴露出来的PVXI过孔；
[0100]具体的，在步骤102得到的玻璃基板23上，采用等离子增强型化学气相沉积法沉积PVXl薄膜，继续进行第三次掩膜工艺，在玻璃基板23的源极、光电二极管结构的光传感器的过孔连接区域和光电二极管区域上涂覆光刻胶，曝光显影后形成PVXl过孔图形的光刻胶，采用干法刻蚀工艺形成PVXl过孔19，剥离光刻胶后得到如图25、图26和图27所示的玻璃基板23。
[0101]步骤104，进行第四次掩膜工艺，在第三次掩膜工艺得到的玻璃基板上形成导电光罩层;
[0102]这里，光罩层覆盖PVXl过孔19及位于源电极和漏电极之间的半导体层区域，并使接触层与源漏电极层中的源电极或漏电极相连通；
[0103]具体的，在步骤103得到的玻璃基板23上，继续进行第四次掩膜工艺，在玻璃基板23上采用磁控溅射的方法沉积一层金属薄膜，对沉积金属薄膜后的玻璃基板23涂覆光刻胶，曝光显影后形成光罩图形的光刻胶，采用湿法刻蚀和剥离光刻胶后，在玻璃基板上形成光罩层20，得到如图28?图29所示的玻璃基板23。
[0104]步骤105，在第四次构图工艺得到的基板上形成第三绝缘层，进行第五次掩膜工艺，在第四次掩膜工艺得到的玻璃基板上形成至少使栅线部分区域暴露出来的PVX2过孔；
[0105]具体的，在步骤104得到的玻璃基板上，采用等离子增强型化学气相沉积法沉积PVX2薄膜，继续进行第五次掩膜工艺，在玻璃基板23的周边信号引导区域上涂覆光刻胶，曝光显影后形成PVXl过孔图形的光刻胶采用干法刻蚀工艺形成PVX2过孔21，剥离光刻胶后得到如图30和图31所示的玻璃基板23。
[0106]步骤106，进行第六次掩膜工艺，在第五次掩膜工艺得到的玻璃基板上形成用于覆盖PVX2过孔区域的第一透明导电层的图形；
[0107]具体的，在步骤105得到的玻璃基板23上，采用磁控溅射的方法沉积ITO薄膜，继续进行第六次掩膜工艺，在玻璃基板23上沉积一层ITO层22，然后对玻璃基板23进行掩膜曝光显影处理，得到如图32所示玻璃基板23 ;如此，在玻璃基板的PVX2过孔21上形成ITO层22，以保护PVXl过孔19和PVX2过孔21处的金属不被腐蚀。
[0108]本发明还提供了一种非晶硅光电二极管基板，包括基板、设置在基板上的薄膜晶体管和光电二极管结构的光传感器，非晶娃光电二极管基板还包含有接触层，接触层位于所述光传感器的下方，接触层未被光传感器完全覆盖，接触层与薄膜晶体管中的栅电极层同层设置且材料相同。
[0109]这里，在光传感器与薄膜晶体管的上方覆盖有第二绝缘层，在第二绝缘层上设置有使接触层、光传感器、薄膜晶体管中的源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。
[0110]这里，在第二绝缘层的上方设置有导电光罩层，光罩层覆盖第一过孔及位于薄膜晶体管中的源电极和漏电极之间的半导体层区域，并使接触层与薄膜晶体管中的源电极或漏电极相连通。
[0111]本发明还提供了一种半导体装置，该半导体包括上文所述任一项的非晶硅光电二极管基板。
[0112]以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种非晶硅光电二极管基板的制造方法，其特征在于，该方法包括: 进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于所述光传感器下方的接触层的图形，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与栅电极层同层设置且材料相同； 进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形； 在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使所述接触层、所述光传感器、所述源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括: 进行第四次构图工艺，在第三次构图工艺得到的基板上形成导电光罩层，所述光罩层覆盖所述第一过孔及位于所述源电极和所述漏电极之间的半导体层区域，并使所述接触层与所述源漏电极层中的源电极或漏电极相连通。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该方法还包括: 在第四次构图工艺得到的基板上形成第三绝缘层，进行第五次构图工艺，在第四次构图工艺得到的基板上形成至少使栅线部分区域暴露出来的第二过孔； 进行第六次构图工艺，在第五次构图工艺得到的基板上形成用于覆盖所述第二过孔区域的第一透明导电层的 图形。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管及位于所述光传感器下方的接触层的图形为: 在基板上依次形成所述栅电极层、半导体层、第二透明导电层和光刻胶； 对经过上述处理的基板进行曝光显影处理、刻蚀处理、灰化处理形成栅电极层、栅线接触层及光传感器。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对经过上述处理的基板进行构图曝光显影处理为: 对位于所述栅电极层、栅线及未被光传感器覆盖的接触层区域上方的光刻胶所述光刻胶部分曝光区域进行部分曝光，形成部分曝光区域； 对位于所述光传感器上方的光刻胶完全不曝光，形成完全不曝光区域； 对其他区域涂覆的光刻胶完全曝光，形成完全曝光区域。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对经过上述处理的所述基板进行刻蚀处理、灰化处理为: 对光电二极管结构的光传感器中第二透明导电层的刻蚀处理，将完全曝光区域的第二透明导电层刻蚀掉； 对光电二极管结构的光传感器中的半导体层进行刻蚀处理，将完全曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀掉； 对栅电极层进行刻蚀处理，将完全曝光区域的栅电极层刻蚀掉； 采用灰化工艺将部分曝光区域的光刻胶灰化掉； 对光电二极管结构的光传感器中第二透明导电层的刻蚀处理，将部分曝光区域的第二透明导电层刻蚀掉； 对光电二极管结构的光传感器中的半导体层进行刻蚀处理，将部分曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀掉； 将基板上剩余的光刻胶完全剥离掉。
7.一种非晶硅光电二极管基板，包括基板、设置在所述基板上的薄膜晶体管和光电二极管结构的光传感器，其特征在于，还包含有接触层，所述接触层位于所述光传感器的下方，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与所述薄膜晶体管中的栅电极层同层设置且材料相同。
8.根据权利要求7所述的非晶硅光电二极管基板，其特征在于，在所述光传感器与所述薄膜晶体管的上方覆盖有第二绝缘层，在所述第二绝缘层上设置有使所述接触层、所述光传感器、所述薄膜晶体管中的源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。
9.根据权利要求8所述的非晶硅光电二极管基板，其特征在于，在所述第二绝缘层的上方设置有导电光罩层，所述光罩层覆盖所述第一过孔及位于所述薄膜晶体管中的源电极和所述漏电极之间的半导体层区域，并使所述接触层与所述薄膜晶体管中的源电极或漏电极相连通。
10.一种半导体装置，其特征在于，包括如权利要求7至9任一项所述的非晶硅光电二极管基板。
【文档编号】H01L21/77GK104078421SQ201310110174
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年3月29日 优先权日:2013年3月29日
【发明者】谢振宇, 陈旭, 徐少颖 申请人:北京京东方光电科技有限公司