合喷嘴100的排出口可形成为圆形或正方形形态，但是与如图6所示的基板处理装置9’中一样，混合喷嘴100’的露出口可形成为宽度方向y上较长的狭缝形态。换句话说，由此，排出口形成为狭缝形态时，混合喷嘴100’的往返移动120d路径变得更窄，或也可不进行往返移动。
[0060]并且，各个区域Sl、S2、S3的直径Dl、D2、D3虽然可进行各种确定，但相比截面扩大区域S32的开始地点，截面固定区域S1的直径D1可以以大约三倍至五倍的程度更大地形成，并且截面减小区域S2的截面变化率相比截面扩大区域S32的截面变化率形成为1.5倍至五倍。并且优选地，截面扩大区域S32的长度相比截面减小区域S2的长度形成为两倍以上。由此，在截面扩大区域S32的截面变化率保持较低，从而在截面减小区域S2加快的流速的减小几乎没有实现，与此同时可排出均质地混合有液体92与气体91的混合流体93。
[0061]例如，清洗直径为300mm左右的晶元的基板处理装置中所使用的混合喷嘴100，在截面固定区域的直径D1可形成为3mm至10mm，而在排出口的直径D3可形成为1mm至4mm。
[0062]由此，根据本实用新型的一个实施例的混合喷嘴100，所喷射的混合流体的气体及液体的均质度得以提高，并且在截面扩大区域S32内以膨胀且温度低的状态得以喷射，将残留于基板W的异物进行更有效地去除，并同时防止重新附着，从而可提高清洗及漂洗等的处理效率。
[0063]并且，如图9所示，由混合喷嘴100所排出的喷射体99中均质地分布有微细的干冰固体粒子95X，由此喷射体99中干冰固体粒子95X相比气体91具有更高的惯性力并得以喷射，因此可穿透基板W上侧的边界层66，并到达基板W的表面。
[0064]换句话说，由混合喷嘴100所喷射的喷射体99中气体91无法穿透基板W上侧的边界层66，而漫延至周围91a，并同时将基板W的较大异物与液滴向外侧推出，但是由混合喷嘴100所喷射的喷射体99中微细的干冰固体粒子95X穿透基板W上侧的边界层66，并到达较低紧贴于基板W的异物88，从而将异物88从基板表面分离。
[0065]并且，微细干冰粒子95X向混合喷嘴100的排出口 90的外侧排出，并同时随着暴露于大气中的常温而温度上升，从图9的固体状态Pr2气化为气体状态Pr2。由此，到达基板W表面的干冰粒子95X由于惯性力而将异物88从基板表面分离，并且由于气化所致的突然膨胀力而将异物88从基板表面分离。由此，可在更短的时间内，对执行了化学机械研磨工艺的基板W的表面上所固着的各种污泥进行干净地去除。
[0066]具备如此构成的混合喷嘴100的基板处理装置9因为能够有效地去除固着于基板W的污泥，所以不仅不经过引起划痕(scratch)等的刷子清洗工艺，或者使得刷子清洗工艺时间缩短，而且可减少用于去除粘附于基板W的表面的异物的化学制品(chemical)的量。
[0067]如此所构成的基板处理装置9在研磨设备5和清洗设备6之间可使用为预备清洗装置(斜线)PC，所述研磨设备5具有如图10所示的化学机械研磨盘P，所述清洗设备6用于进行了化学机械研磨工艺的基板的清洗，预备清洗装置PC用于预备清洗基板W。由此，位于载体头(CH，Carrier Head)的下侧的基板W在研磨盘P上经历化学机械研磨工艺后，通过操作装置(handler) Η使得基板W移送至清洗设备6之前，通过基板处理装置9执行基板W的预备清洗工艺，由此在清洗设备6中刷子清洗模块中，可对清洗工艺中由从基板W脱离的异物所引起的基板W表面划痕等损伤进行最小化。
[0068]此外，如上构成的基板处理装置9适用于构成清洗设备6的多个清洗模块C1、C2、C3中的某一个，从而可执行基板W的清洗工艺。例如，多个清洗模块C1、C2、C3中第一清洗模块C1具备刷子清洗装置，从而接触清洗在预备清洗装置PC中去除了较大的异物88的基板W。并且，第二清洗模块C2中适用所述基板处理装置9，从而可确实地去除在刷子清洗工艺之后残留于基板W的表面的边界层66下方的微细异物88。最后，第三清洗模块C3执行漂洗及干燥工艺。
[0069]就如上构成的本实用新型而言，形成为截面减小区域S2与截面扩大区域S32串联排列的文丘里管(venturi)构造，从而可引导气体流动为高速，并且将通过分岔通道P2以液体状态供给的干冰粒子95X保持微细离子状态的同时均匀地混合于引导为高速的气体，由此可取得如下有利效果:将基板W的表面冲击最小化的同时有效地去除存在于边界层下方的异物。
[0070]以上对本实用新型的优选实施例进行了举例说明，但是本实用新型的权利范围并非限定于如上所述的特定实施例，并且能够被在本实用新型所属的技术领域内具有通常知识的人员在本实用新型的实用新型登记权利要求范围所记载的范畴内进行适当地变更。
[0071]标号说明
[0072]9:基板处理装置100:混合喷嘴
[0073]P1:气体供给通道P2:分岔通道
[0074]P3:排出通道S1:截面固定区域
[0075]S2:截面减小区域S31:第二截面固定区域
[0076]S32:截面扩大区域W:基板
【主权项】
1.一种混合喷嘴，其特征在于， 包括:气体供给通道，其包括截面减小区域和排出区域，所述截面减小区域沿着气体的流动方向而截面逐渐减小，所述排出区域从所述截面减小区域延长至排出口 ； 分岔通道，其与所述气体供给通道在第一位置连通并供给干冰， 从而在所述截面减小区域加速的气体流动与固体状态的干冰共同通过所述排出口得以排出。2.根据权利要求1所述的混合喷嘴，其特征在于， 向所述分岔通道供给的干冰为液体状态的二氧化碳。3.根据权利要求2所述的混合喷嘴，其特征在于， 向所述分贫通道供给的干冰保持在40bar至60bar的压力并供给。4.根据权利要求1所述的混合喷嘴，其特征在于， 所述气体供给通道的中心轴为直线。5.根据权利要求1所述的混合喷嘴，其特征在于， 所述分岔通道的中心轴对所述气体供给通道的中心轴配置为锐角。6.根据权利要求1所述的混合喷嘴，其特征在于， 相比所述气体供给通道，所述分岔通道以更小的截面形成。7.根据权利要求1所述的混合喷嘴，其特征在于， 所述排出口形成为狭缝形态。8.根据权利要求1所述的混合喷嘴，其特征在于， 所述气体包括氮气和惰性气体中的某一种以上。9.根据权利要求1至权利要求8中任意一项所述的混合喷嘴，其特征在于， 所述第一位置位于所述截面减小区域的尾流侧，并是沿着流动方向截面为固定的区域。10.根据权利要求9所述的混合喷嘴，其特征在于， 所述截面减小区域与所述截面扩大区域连续配置。11.根据权利要求9所述的混合喷嘴，其特征在于， 与所述排出口邻接的所述排出区域形成为沿着流动方向截面扩大的截面扩大区域。12.—种基板处理装置，其特征在于，包括: 搁置台，其用于搁置基板； 权利要求1至权利要求9中任意一项所述的混合喷嘴，其向所述基板表面混合并排出固体状态的干冰和气体。13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理装置在化学机械研磨工艺进行后，投入刷子清洗工艺之前配置。
【专利摘要】本实用新型涉及基板处理装置及用于其的混合喷嘴，提供一种基板处理装置及用于其的混合喷嘴，其包括：气体供给通道，其包括截面减小区域和排出区域，所述截面减小区域沿着气体的流动方向而截面逐渐减小，所述排出区域从所述截面减小区域延长至排出口；分岔通道(diverged？passage)，其与所述气体供给通道在第一位置连通(connected)并供给干冰，从而在所述截面减小区域加速的气体流动与固体状态的干冰共同通过所述排出口得以排出，由此，在不损伤基板的表面的同时，可有效去除较低地固着于表面的边界层下方的异物。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN205069600
【申请号】CN201520636869
【发明人】尹哲男
【申请人】K.C.科技股份有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年8月21日