的上表面与P引线电极31的上表面平齐设置。
[0025]继续如图1至图7所示，在沟槽3的表面、N电极孔4与N引线电极32之间所形成的间隙、N引线电极32的上表面、以及P引线电极31的表面采用溅射或喷涂工艺覆盖有一层便于相互绝缘的第一绝缘层16，并在第一绝缘层16上表面采用光刻和蚀刻技术开设有与N引线电极32上表面贯通的N型接触孔6，在第一绝缘层16上表面采用光刻和蚀刻技术还开设有与P引线电极31上表面贯通的P型接触孔5;其中，N焊盘26通过第一绝缘层16上设置的N型接触孔6与N引线电极32导电连接，P焊盘27通过第一绝缘层16上设置的P型接触孔5与P引线电极31导电连接，且P焊盘27与N焊盘26之间采用印刷和电镀技术相互绝缘。
[0026]该含有反射层的LED倒装芯片的制备方法，包括以下步骤:
[0027]步骤一，如图1所示，在蓝宝石衬底I上，通过金属有机化合物化学气相沉淀方法(简称MOCVD，全称Metal-organic Chemical Vapor Deposit1n)，在蓝宝石衬底I的上表面上生长外延层，所述外延层生长过程依次为:在蓝宝石衬底I表面生长N型氮化镓层11，在N型氮化镓层上生长发光层12，在发光层上生长P型氮化镓层13;
[0028]步骤二，如图2A、图2所示，采用蒸镀及光刻工艺，依次覆盖反射层15和阻挡层14，所述反射层15采用铝、银中一种材料或两者制成的合金材料，阻挡层14采用不吸光并且能够有效地阻止反射层15的金属材料迀移的材料制成，进而达到有效地提升LED的效率和亮度；
[0029]步骤三，如图3所示，通过对外延层采用ICP蚀刻工艺，在所述外延层形成沟槽3，所述沟槽3露出蓝宝石衬底I的表面，使蓝宝石衬底I上的外延层形成彼此相互绝缘独立的芯片，同时对芯片进行刻蚀，在所述芯片表面形成贯穿阻挡层14、反射层15、P型氮化镓层13、发光层12、直到停留在N型氮化镓层11表面上的N电极孔4，N电极孔4的数量为多个并且在芯片表面均匀分布(如图6A所示)；
[0030]步骤四，如图3所示，通过采用蒸镀及光刻工艺，在层叠的阻挡层14、反射层15与P型氮化镓层13表面形成台阶9;
[0031]步骤五，如图4所示，通过溅射或蒸镀工艺，在阻挡层14、反射层15外露表面形成具有布线图案的P引线电极31，同时在N电极孔4内采用溅射或蒸镀工艺形成圆柱形N引线电极32，所述N引线电极32与N型氮化镓层11电连接形成欧姆接触，所述P引线电极31与阻挡层14电连接，所述P引线电极31覆盖阻挡层14、反射层15四周侧壁面以及阻挡层14上表面，所述N引线电极32和P引线电极31均采用具有高反射性能的Cr、Al、N1、T1、Au、Pt中一种材料或其中至少两种以上的合金并且同时沉积形成，使得P引线电极31既可以做接触电极，又可以相对于反射层15起到阻挡层的作用，在不吸光同时实现对反射层15的保护作用，减少了 LED芯片生产的流程，降低了芯片制备成本；
[0032]步骤六，如图5所示，在芯片沟槽3的表面、N电极孔4与N引线电极32之间所形成的间隙、以及P引线电极31的表面，采用溅射或喷涂工艺覆盖有一层厚度为Ium?2.5um便于相互绝缘的第一绝缘层16，所述第一绝缘层16采用氮化铝、二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、布拉格反射层DBR(Ti02/Si02)、硅胶、树脂或丙烯酸之其一制成；
[0033]步骤七，如图6、图6A所示，采用光刻和蚀刻技术在第一绝缘层16表面打孔，在第一绝缘层16表面分别刻蚀出N型接触孔6与P型接触孔5，其中，N型接触孔6与N引线电极32表面相连通，P型接触孔5与P引线电极31表面相连通，且芯片表面均匀分布有多个N型接触孔6和多个P型接触孔5;
[0034]步骤八，如图7A、图7所示，在N引线电极32、P引线电极31的外露表面上、以及位于N引线电极32和P引线电极31彼此之间的第一绝缘层16的表面上，通过印刷和电镀技术制造相互绝缘的N焊盘26与P焊盘27，P焊盘27和N焊盘26均采用铝、镍、钛、铂金、金中一种材料制成且厚度均为0.5um?2um，所述P焊盘27与N焊盘26之间的间隔为等于或大于150um;其中，N焊盘26通过N型接触孔6与N引线电极32电连接接触，P焊盘27通过P型接触孔5与P引线电极31电连接接触，至此，完成整个LED倒装芯片的加工制造。
[0035]以上所述实施例只是为本发明的较佳实施例，并非以此限制本发明的实施范围，除了具体实施例中列举的情况外;凡依本发明之形状、构造及原理所作的等效变化，均应涵盖于本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种含有反射层的LED倒装芯片，包括衬底、N焊盘和P焊盘，其特征在于: 所述衬底自下至上依次层状叠加的设置有N型层、发光层、P型层、反射层和阻挡层，N型层、发光层、P型层、反射层和阻挡层采用蚀刻工艺露出衬底的上表面形成一沟槽，纵横设置的沟槽将衬底上的N型层、发光层、P型层、反射层和阻挡层分割成彼此相互绝缘独立的多个芯片； 所述芯片表面形成贯穿阻挡层、反射层、P型层、发光层且与N型层连通的N电极孔； 所述芯片上层叠的阻挡层、反射层采用蒸镀及光刻工艺后与P型层上表面之间形成台阶，所述阻挡层和反射层外露表面采用溅射或蒸镀工艺形成具有布线图案的P引线电极，所述P引线电极与阻挡层导电连接，所述P引线电极覆盖阻挡层和反射层的四周侧壁面以及阻挡层的上表面； 所述N电极孔内采用溅射或蒸镀工艺形成与N型层导电连接的N引线电极； 所述N引线电极与P引线电极采用相同的材料同时沉积形成； 所述沟槽的表面、所述N电极孔与N引线电极之间所形成的间隙、N引线电极的上表面、以及P引线电极的表面采用溅射或喷涂工艺覆盖有一层便于相互绝缘的第一绝缘层，所述第一绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术开设有与N引线电极上表面贯通的N型接触孔，所述第一绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术还开设有与P引线电极上表面贯通的P型接触孔； 所述N焊盘通过第一绝缘层设置的N型接触孔与N引线电极导电连接，所述P焊盘通过第一绝缘层设置的P型接触孔与P引线电极导电连接，所述P焊盘与N焊盘之间采用印刷和电镀技术相互绝缘。2.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述N型层为N型氮化镓层，所述P型层为P型氮化镓层。3.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述芯片表面均勾分布有多个N电极孔。4.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述P焊盘与P引线电极之间的第一绝缘层上均匀分布有多个便于两者导电连接的P型接触孔。5.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述N引线电极为圆柱形状。6.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述N引线电极和P引线电极均采用Cr、Al、N1、T1、Au、Pt中一种材料或其中至少两种以上的合金制成。7.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述阻挡层采用T1、W、N1、Pt、Cr、Au中一种材料或其中至少两种以上的合金制成。
【专利摘要】本实用新型提供一种含有反射层的LED倒装芯片，包括衬底、N焊盘和P焊盘，所述衬底依次叠加有N型层、发光层、P型层、反射层和阻挡层，并蚀刻露出衬底上表面形成一沟槽；所述芯片表面形成贯穿阻挡层、反射层、P型层、发光层且与N型层连通的N电极孔；阻挡层和反射层外露表面形成P引线电极，N电极孔内形成与N型层导电连接的N引线电极，即N引线电极与P引线电极采用相同的材料同时沉积形成；并在N引线电极和P引线电极的表面及外围覆盖一层便于相互绝缘的第一绝缘层；N焊盘和P焊盘通过第一绝缘层上表面开设接触孔分别与N引线电极和P引线电极电连接。
【IPC分类】H01L33/10
【公开号】CN205319180
【申请号】CN201520734798
【发明人】蒋振宇, 陈顺利, 莫庆伟
【申请人】大连德豪光电科技有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年9月21日