阵列基板、显示面板以及显示装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板以及显示装置，所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层之间设置有扩散阻挡层，所述金属层的构成材料包括金属材料，所述绝缘层的构成材料包括绝缘材料或者半导体材料，所述扩散阻挡层的构成材料包括金属氧化物、金属氮化物以及金属氮氧化物之中的至少一种。本实用新型提供的技术方案在金属层与绝缘层之间设置扩散阻挡层，避免了金属层与绝缘层直接接触，从而有效阻止了金属层之中的金属元素的氧化。
【专利说明】
阵列基板、显示面板以及显示装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
【背景技术】
[0002]现有的构图工艺由于材料简单使得层积工艺得到极大简化，因此能够简化显示基板的制备过程，从而节约了时间和成本。然而，由于现有的构图工艺之中的金属层与绝缘层紧密接触，导致金属层之中的金属元素容易被氧化。
【实用新型内容】
[0003]为解决上述问题，本实用新型提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置，用于解决现有技术之中的金属层与绝缘层紧密接触，导致金属层之中的金属元素容易被氧化的问题。
[0004]为此，本实用新型提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层之间设置有扩散阻挡层，所述金属层的构成材料包括金属材料，所述绝缘层的构成材料包括绝缘材料或者半导体材料，所述扩散阻挡层的构成材料包括金属氧化物、金属氮化物以及金属氮氧化物之中的至少一种。
[0005]可选的，所述金属层的构成材料包括铜、钼、铝以及钛之中的至少一种，所述绝缘层的构成材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝以及氧化钛之中的至少一种。
[0006]可选的，所述扩散阻挡层的构成材料包括氧化铜、氮化铜以及氮氧化铜之中的至少一种，所述金属层的构成材料包括铜，所述绝缘层的构成材料包括氧化硅。
[0007]可选的，所述金属层包括栅极，所述绝缘层包括衬底基板和/或栅绝缘层。
[0008]可选的，所述扩散阻挡层的厚度范围包括1nm至200nmo
[0009]可选的，所述扩散阻挡层的厚度为50nm。
[0010]可选的，所述金属层包括源极，所述绝缘层包括有源层和/或钝化层。
[0011]可选的，设置在所述源极与所述钝化层之间的扩散阻挡层的厚度范围包括1nm至200nm，设置在所述源极与所述有源层之间的扩散阻挡层的厚度范围包括Onm至10nm0
[0012]可选的，设置在所述源极与所述钝化层之间的扩散阻挡层的厚度为50nm，设置在所述源极与所述有源层之间的扩散阻挡层的厚度为10nm。
[0013]可选的，所述金属层包括漏极，所述绝缘层包括有源层和/或钝化层。
[0014]可选的，设置在所述漏极与所述钝化层之间的扩散阻挡层的厚度范围包括1nm至200nm，设置在所述漏极与所述有源层之间的扩散阻挡层的厚度范围包括Onm至10nm0
[0015]可选的，设置在所述漏极与所述钝化层之间的扩散阻挡层的厚度为50nm，设置在所述漏极与所述有源层之间的扩散阻挡层的厚度为10nm。
[0016]本实用新型还提供一种显示面板，包括上述任一所述的阵列基板。
[0017]本实用新型还提供一种显示装置，包括上述任一所述的显示面板。
[0018]本实用新型具有下述有益效果:
[0019]本实用新型提供的阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层之间设置有扩散阻挡层，所述金属层的构成材料包括金属材料，所述绝缘层的构成材料包括绝缘材料或者半导体材料，所述扩散阻挡层的构成材料包括金属氧化物、金属氮化物以及金属氮氧化物之中的至少一种。本实用新型提供的技术方案在金属层与绝缘层之间设置扩散阻挡层，避免了金属层与绝缘层直接接触，从而有效阻止了金属层之中的金属元素的氧化。
【附图说明】
[0020]图1为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的阵列基板、显示面板以及显示装置进行详细描述。
[0022]实施例一
[0023]本实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层之间设置有扩散阻挡层，所述金属层的构成材料包括金属材料，所述绝缘层的构成材料包括绝缘材料或者半导体材料，所述扩散阻挡层的构成材料包括金属氧化物、金属氮化物以及金属氮氧化物之中的至少一种。本实施例提供的技术方案在金属层与绝缘层之间设置扩散阻挡层，避免了金属层与绝缘层直接接触，从而有效阻止了金属层之中的金属元素的氧化。
[0024]在全铜全氧化硅工艺之中，所有的金属层都采用铜，所有的绝缘层都采用氧化硅。这种工艺由于材料简单使得层积工艺得到极大的简化，因此能够简化显示基板的制备过程，节约了时间和成本。然而，由于金属层与绝缘层直接接触，因此如何阻止铜的氧化就成为这种工艺实现的难点和关键技术。为此，本实施例提供的金属层的构成材料包括铜、钼、铝以及钛之中的至少一种，所述绝缘层的构成材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝以及氧化钛之中的至少一种。优选的，所述扩散阻挡层的构成材料包括氧化铜、氮化铜以及氮氧化铜之中的至少一种，所述金属层的构成材料包括铜，所述绝缘层的构成材料包括氧化硅。因此，本实施例采用氧化铜、氮化铜以及氮氧化铜之中的至少一种形成扩散阻挡层，将所述扩散阻挡层设置在铜层与氧化硅层之间，从而有效阻止全铜全氧化硅工艺之中铜的氧化，有效阻止铜的氧化是全铜全氧化硅工艺得以实现的关键技术。
[0025]图1为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图。如图1所示，所述金属层包括栅极209，所述绝缘层包括衬底基板201和/或栅绝缘层203。所述衬底基板201与所述栅极209之间设置有扩散阻挡层208，所述栅极209与所述栅绝缘层203之间设置有扩散阻挡层210。可选的，所述扩散阻挡层的厚度范围包括1nm至200nm。优选的，所述扩散阻挡层的厚度为50nm。本实施例提供的技术方案在所述衬底基板201与所述栅极209之间设置有扩散阻挡层208，而且在所述栅极209与所述栅绝缘层203之间设置有扩散阻挡层210，避免了金属层与绝缘层直接接触，从而有效阻止了金属层之中的金属元素的氧化。
[0026]参见图1，所述金属层包括源极206，所述绝缘层包括有源层204和/或钝化层202。所述有源层204与所述源极206之间设置有扩散阻挡层205，所述源极206与所述钝化层202之间设置有扩散阻挡层207。可选的，设置在所述源极206与所述钝化层202之间的扩散阻挡层207的厚度范围包括1nm至200nm，设置在所述源极206与所述有源层204之间的扩散阻挡层205的厚度范围包括Onm至lOOnm。优选的，设置在所述源极206与所述钝化层202之间的扩散阻挡层207的厚度为50nm，设置在所述源极206与所述有源层204之间的扩散阻挡层205的厚度为10nm。因此，设置在所述源极206与所述有源层204之间的扩散阻挡层205的厚度相对来说比较薄，从而能够避免对所述源极206与所述有源层204之间的导通造成影响。本实施例提供的技术方案在所述有源层204与所述源极206之间设置有扩散阻挡层205，而且所述源极206与所述钝化层202之间设置有扩散阻挡层207，避免了金属层与绝缘层直接接触，从而有效阻止了金属层之中的金属元素的氧化。
[0027]参见图1，所述金属层包括漏极212，所述绝缘层包括有源层204和/或钝化层202。所述有源层204与所述漏极212之间设置有扩散阻挡层211，所述漏极212与所述钝化层202之间设置有扩散阻挡层213。可选的，设置在所述漏极212与所述钝化层202之间的扩散阻挡层213的厚度范围包括1nm至200nm，设置在所述漏极212与所述有源层204之间的扩散阻挡层211的厚度范围包括Onm至lOOnm。优选的，设置在所述漏极212与所述钝化层202之间的扩散阻挡层213的厚度为50nm，设置在所述漏极212与所述有源层204之间的扩散阻挡层211的厚度为10nm。因此，设置在所述漏极212与所述有源层204之间的扩散阻挡层211的厚度相对来说比较薄，从而能够避免对所述漏极212与所述有源层204之间的导通造成影响。本实施例提供的技术方案在所述有源层204与所述漏极212之间设置有扩散阻挡层211，而且所述漏极212与所述钝化层202之间设置有扩散阻挡层213，避免了金属层与绝缘层直接接触，从而有效阻止了金属层之中的金属元素的氧化。
[0028]本实施例中，所述钝化层202之上设置有平坦化层215，所述平坦化层215之上设置有像素电极214，所述像素电极214通过过孔与所述漏极212连接。
[0029]本实施例提供的阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层之间设置有扩散阻挡层，所述金属层的构成材料包括金属材料，所述绝缘层的构成材料包括绝缘材料或者半导体材料，所述扩散阻挡层的构成材料包括金属氧化物、金属氮化物以及金属氮氧化物之中的至少一种。本实施例提供的技术方案在金属层与绝缘层之间设置扩散阻挡层，避免了金属层与绝缘层直接接触，从而有效阻止了金属层之中的金属元素的氧化。
[0030]实施例二
[0031]本实施例提供一种显示面板，包括实施例一提供的阵列基板，具体内容可参照实施例一的描述，此处不再赘述。
[0032]本实施例提供的显示面板之中，所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层之间设置有扩散阻挡层，所述金属层的构成材料包括金属材料，所述绝缘层的构成材料包括绝缘材料或者半导体材料，所述扩散阻挡层的构成材料包括金属氧化物、金属氮化物以及金属氮氧化物之中的至少一种。本实施例提供的技术方案在金属层与绝缘层之间设置扩散阻挡层，避免了金属层与绝缘层直接接触，从而有效阻止了金属层之中的金属元素的氧化。
[0033]实施例三
[0034]本实施例提供一种显示装置，包括实施例二提供的显示面板，具体内容可参照实施例二的描述，此处不再赘述。
[0035]本实施例提供的显示装置之中，所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层之间设置有扩散阻挡层，所述金属层的构成材料包括金属材料，所述绝缘层的构成材料包括绝缘材料或者半导体材料，所述扩散阻挡层的构成材料包括金属氧化物、金属氮化物以及金属氮氧化物之中的至少一种。本实施例提供的技术方案在金属层与绝缘层之间设置扩散阻挡层，避免了金属层与绝缘层直接接触，从而有效阻止了金属层之中的金属元素的氧化。
[0036]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层之间设置有扩散阻挡层，所述金属层的构成材料包括金属材料，所述绝缘层的构成材料包括绝缘材料或者半导体材料，所述扩散阻挡层的构成材料包括金属氧化物、金属氮化物以及金属氮氧化物之中的至少一种。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的构成材料包括铜、钼、铝以及钛之中的至少一种，所述绝缘层的构成材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝以及氧化钛之中的至少一种。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述扩散阻挡层的构成材料包括氧化铜、氮化铜以及氮氧化铜之中的至少一种，所述金属层的构成材料包括铜，所述绝缘层的构成材料包括氧化硅。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层包括栅极，所述绝缘层包括衬底基板和/或栅绝缘层。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度范围包括1nm至200nm。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度为50nm。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层包括源极，所述绝缘层包括有源层和/或钝化层。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，设置在所述源极与所述钝化层之间的扩散阻挡层的厚度范围包括1nm至200nm，设置在所述源极与所述有源层之间的扩散阻挡层的厚度范围包括Onm至I OOnm。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，设置在所述源极与所述钝化层之间的扩散阻挡层的厚度为50nm，设置在所述源极与所述有源层之间的扩散阻挡层的厚度为1nm010.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层包括漏极，所述绝缘层包括有源层和/或钝化层。11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，设置在所述漏极与所述钝化层之间的扩散阻挡层的厚度范围包括1nm至200nm，设置在所述漏极与所述有源层之间的扩散阻挡层的厚度范围包括Onm至I OOnm ο12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，设置在所述漏极与所述钝化层之间的扩散阻挡层的厚度为50nm，设置在所述漏极与所述有源层之间的扩散阻挡层的厚度为1nm013.—种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至12任一所述的阵列基板。14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的显示面板。
【文档编号】H01L27/12GK205428928SQ201620213418
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年3月18日
【发明人】谢蒂旎, 张晓晋
【申请人】京东方科技集团股份有限公司