干刻装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种干刻装置，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的干刻装置中下部电极上的冷却气体通孔会影响基板上图形的成形效果的问题。本实用新型的干刻装置，用于在基板上刻蚀形成图形，所述干刻装置至少包括下部电极，所述下部电极开设有多个用于供冷却气体流通的冷却气体通孔，多个所述冷却气体通孔沿所述下部电极的边沿区域排列且仅排列为一圈。本实用新型的干刻装置中，冷却气体通孔不会影响基板上图形的成形效果，保证了基板上图形的成形效果。
【专利说明】
干刻装置
技术领域
[0001]本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种干刻装置。
【背景技术】
[0002]现有的干法刻蚀装置(以下简称干刻装置)，通常包括上部电极和下部电极，其中一个作为阳极，一个作为阴极。通过上部电极或下部电极向刻蚀腔室内通入反应气体，利用反应气体和通过施加电压生成的等离子体反应产生原子和原子团，原子和原子团与淀积在基板上的物质反应生成挥发性物质，从而进行刻蚀。
[0003]目前，干刻装置广泛使用的方式是上部电极接地，下部电极在反应过程中承载待刻蚀的基板。在反应过程中，通常还需要通过下部电极的冷却气体通孔向基板背面吹流冷却气体，防止基板在工艺过程中出现膜层灼伤的现象。图1为现有技术中的干刻装置中的下部电极的结构示意图，如图1所示，下部电极的整个电极面开设有多个供冷却气体流通的冷却气体通孔6，冷却气体通孔6成圈状地密密麻麻地分布着，以便对基板进行均匀地冷却。
[0004]发明人发现现有技术中的干刻装置至少存在如下问题:
[0005]由于供冷却气体流通的冷却气体通孔的存在，在基板进行刻蚀工艺的过程中，冷却气体通孔的周围将产生电磁波，电磁波配合离子溅射将形成电磁场，导致冷却气体通孔对应的区域的刻蚀速率与设定的刻蚀速率不一致，影响基板上图形的成形效果。
[0006]因此，设计一种能够避免因冷却气体通孔对应的区域的刻蚀速率不一致、影响基板上图形的成形效果的干刻装置，成为目前亟待解决的技术问题。
【实用新型内容】
[0007]本实用新型为了至少部分解决上述技术问题提供一种干刻装置，该干刻装置能够避免因冷却气体通孔对应的区域的刻蚀速率不一致、导致基板上图形的成形效果较差的问题。
[0008]解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是:提供一种干刻装置，用于在基板上刻蚀形成图形，所述干刻装置至少包括下部电极，其特征在于，所述下部电极开设有多个用于供冷却气体流通的冷却气体通孔，多个所述冷却气体通孔沿所述下部电极的边沿区域排列且仅排列为一圈。
[0009]优选的是，所述冷却气体通孔沿所述下部电极的边沿区域均匀、间隔分布。
[0010]优选的是，所述下部电极的水平截面为对称图形，所述下部电极在对称线的区域还开设有用于供冷却气体流通的冷却气体通孔。
[0011 ]优选的是，所述冷却气体通孔沿所述对称线均匀、间隔分布。
[0012]优选的是，所述对称线包括横向对称线和/或竖向对称线。
[0013]优选的是，所述冷却气体通孔分布的密度为每10厘米长度内分布至少5个。
[0014]优选的是，所述下部电极还开设有多个插孔，所述插孔用于供支撑柱伸出所述下部电极或缩回所述下部电极的内部，伸出所述下部电极的所述支撑柱用于支撑待刻蚀的基板。
[0015]优选的是，所述插孔仅分布在所述下部电极的边沿区域和对称线的区域。
[0016]优选的是，所述冷却气体为氦气。
[0017]优选的是，还包括上部电极，所述上部电极与所述下部电极正对设置，所述上部电极开设有供反应气体流通的反应气体通孔。
[0018]本实用新型的干刻装置中，通过调整下部电极供冷却气体流通的冷却气体通孔的分布状况，使得多个冷却气体通孔沿下部电极的边沿区域排列且仅排列为一圈，由于基板的边沿区域通常不形成有效图形，因此，冷却气体通孔对应的区域的刻蚀速率即使不一致也不会影响基板上图形的成形，从而保证基板上图形的成
[0019]形效果;相应的，还可以同时在基板对应着无需形成图形的中线
[0020]等区域形成冷却气体通孔。
【附图说明】
[0021]图1为现有技术干刻装置中的下部电极的结构示意图；
[0022]图2为本实用新型的实施例1的干刻装置的局部剖示图；
[0023]图3为图2中下部电极的结构示意图；
[0024]图4为实施例2的干刻装置中下部电极的结构示意图。
[0025]其中，附图标记为:
[0026]1、上部电极;2、下部电极;3、插孔;4、支撑柱;5、基板;6、冷却气体通孔。
【具体实施方式】
[0027]为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述。
[0028]实施例1:
[0029]本实施例提供一种干刻装置，用于在基板上刻蚀形成图形，该干刻装置包括下部电极，下部电极开设有多个用于供冷却气体流通的冷却气体通孔，多个冷却气体通孔沿下部电极的边沿区域排列且仅排列为一圈。
[0030]图2为本实施例的干刻装置的局部剖视图，图3为图2中下部电极的结构示意图，如图2、图3所不，干刻装置包括正对设置的上部电极I和下部电极2。其中的下部电极2开设有多个用于供冷却气体流通的冷却气体通孔6。具体的，冷却气体通孔6沿下部电极2的边沿区域排列且仅排列为一圈，并且冷却气体通孔6沿边沿区域均匀、间隔分布。这里所说的边沿区域是指下部电极2最外环的、对应着不形成基板图形的区域。
[0031]相比现有的下部电极，本实施例的下部电极2仅在边沿区域开设用于供冷却气体流通的冷却气体通孔6，而未在下部电极2的其他区域开设冷却气体通孔6。也就是说，下部电极对应基板上可能形成图形的中间区域均未开设冷却气体通孔6，而仅在对应基板上确定未形成图形的区域开设冷却气体通孔6，因此能确切避免冷却气体通孔对刻蚀造成的影响。
[0032]为了保证对基板的冷却效果，相比现有的下部电极，本实施例的下部电极2增大了冷却气体通孔6分布的密度。例如，现有的下部电极中通常每20厘米长度内分布5个冷却气体通孔，本实施例的下部电极2每10厘米长度内分布至少5个冷却气体通孔6，这样，虽然本实施例的下部电极冷却气体通孔6的分布区域减小，但是鉴于其增大的密度，保证了足够的冷却气体通入量，因此保证了相当的冷却效果。
[0033]优选的是，这里通过冷却气体通孔6的冷却气体为氦气，能够提供较好的冷却效果O
[0034]从图2、图3可见，下部电极2上还开设有多个插孔3，插孔3内设置有支撑柱4。支撑柱4可从下部电极2上开设的多个插孔3伸出下部电极2或缩回下部电极2的内部，伸出下部电极2的支撑柱4用于支撑待刻蚀的基板5。这里的插孔3可以分布在下部电极2的边沿区域和对称线的区域，插孔3还用于供冷却气体流通以冷却待刻蚀的基板5。相应的，在支撑柱4插入插孔3时，冷却气体依然能够穿过插孔3，从而实现插孔3与冷却气体通孔6共同用于流通冷却气体、以对基板5进行冷却，提高冷却效果。
[0035]此外，为实现向干刻装置内部通入反应气体，本实施例的干刻装置的上部电极I开设有供反应气体流通的反应气体通孔。
[0036]本实施例的干刻装置中，下部电极仅在边沿区域开设用于供冷却气体流通的冷却气体通孔，而边沿区域在对应的基板的区域无需刻蚀形成图形，这样，避免了冷却气体通孔对应的区域可能造成的刻蚀速率不一致而影响基板上图形的成形效果；同时，相比现有的下部电极，本实施例中的下部电极上冷却气体通孔的分布密度增大，能够保证对基板的冷却效果。
[0037]实施例2:
[0038]本实施例提供一种干刻装置，其与实施例1不同的是:本实施例中干刻装置的下部电极在边沿区域开设冷却气体通孔的基础上，还在对称线的区域开设有冷却气体通孔。
[0039]如图4所示，下部电极2的水平截面为对称图形，下部电极2在沿对称线的区域还开设有用于供冷却气体流通的冷却气体通孔6，并且，冷却气体通孔6沿对称线均匀、间隔分布。
[0040]这里的对称线包括横向对称线和/或竖向对称线。在具体运用过程中，开设沿下部电极2的横向对称线分布冷却气体通孔6、还是沿下部电极2的竖向对称线分布冷却气体通孔6，主要根据基板5的图形分布而定。基本原则在于，基板5的对称线所在的位置通常不形成图形，在下部电极2上对应基板5的对称线的位置开设冷却气体通孔6，不会影响基板5上图形的成形效果，保证了基板5上图形的成形效果。
[0041]这是由于，在刻蚀过程中，为了提高制备效率，通常在同一构图工艺中形成多个具有独立显示功能的子板的同一层图形。例如，在一块包括多个子板图形的基板5中，如果各子板规律分布(例如子板为方形、多个子板呈矩形分布)且相邻子板之间未形成图形的区域对应着基板5横向的中线区域，则沿下部电极2的横向对称线开设冷却气体通孔6;如果相邻子板之间未形成图形的区域对应着基板5竖向的中线区域，则沿下部电极2的竖向对称线开设冷却气体通孔6;如果相邻子板之间未形成图形的区域对应着基板5的横向中线和竖向中线均是其对称线，则沿下部电极2的横向对称线和竖向对称线均开设冷却气体通孔6。
[0042]为了提高对基板的冷却效果，位于对称线区域的冷却气体通孔6分布的密度为:每10厘米长度内分布至少5个。
[0043]容易理解的是，下部电极2除边沿区域分布的冷却气体通孔6，在其内部分布的冷却气体通孔6可以形成为多条平行于横向中线的横向直线或多条平行于纵向中线的纵向直线，并不限定为中线，只要冷却气体通孔6对应基板上的区域无需刻蚀形成图形即可。在实际应用过程中可根据待刻蚀的基板选用不同的下部电极来对应，以期获得较好的刻蚀效果和冷却效果。
[0044]同样，本实施例中下部电极2还开设有多个插孔3，插孔3分布在下部电极2的边沿区域和对称线的区域。例如，在某一尺寸的下部电极中，可以开设16个插孔3，其中在下部电极2的边沿区域分布12个，在下部电极2的对称线区域分布4个。这样，不仅能够简化下部电极2的结构，还保证了对基板5的支撑效果。
[0045]本实施例的干刻装置中，下部电极仅在边沿区域和对称线的区域开设用于供冷却气体流通的冷却气体通孔，并且，冷却气体通孔在对应基板的区域无需刻蚀形成图形，这样，冷却气体通孔对应的区域的刻蚀速率不一致不会影响基板上图形的成形效果，保证了基板上图形的成形效果；同时，相比现有的下部电极，本实施例中的下部电极上冷却气体通孔的分布密度增大，能够保证对基板的冷却效果。
[0046]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种干刻装置，用于在基板上刻蚀形成图形，所述干刻装置至少包括下部电极，其特征在于，所述下部电极开设有多个用于供冷却气体流通的冷却气体通孔，多个所述冷却气体通孔沿所述下部电极的边沿区域排列且仅排列为一圈。2.根据权利要求1所述的干刻装置，其特征在于，所述冷却气体通孔沿所述下部电极的边沿区域均匀、间隔分布。3.根据权利要求1所述的干刻装置，其特征在于，所述下部电极的水平截面为对称图形，所述下部电极在对称线的区域还开设有用于供冷却气体流通的冷却气体通孔。4.根据权利要求3所述的干刻装置，其特征在于，所述冷却气体通孔沿所述对称线均勾、间隔分布。5.根据权利要求3所述的干刻装置，其特征在于，所述对称线包括横向对称线和/或竖向对称线。6.根据权利要求3所述的干刻装置，其特征在于，所述冷却气体通孔分布的密度为每10厘米长度内分布至少5个。7.根据权利要求1所述的干刻装置，其特征在于，所述下部电极还开设有多个插孔，所述插孔用于供支撑柱伸出所述下部电极或缩回所述下部电极的内部，伸出所述下部电极的所述支撑柱用于支撑待刻蚀的基板。8.根据权利要求7所述的干刻装置，其特征在于，所述插孔仅分布在所述下部电极的边沿区域和对称线的区域。9.根据权利要求1-8任一所述的干刻装置，其特征在于，所述冷却气体为氦气。10.根据权利要求1-8任一所述的干刻装置，其特征在于，还包括上部电极，所述上部电极与所述下部电极正对设置，所述上部电极开设有供反应气体流通的反应气体通孔。
【文档编号】H01L21/67GK205680662SQ201620475931
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年5月23日 公开号201620475931.1, CN 201620475931, CN 205680662 U, CN 205680662U, CN-U-205680662, CN201620475931, CN201620475931.1, CN205680662 U, CN205680662U
【发明人】李淳东, 李知勋, 陈兵
【申请人】鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司, 京东方科技集团股份有限公司