1.一种用于保护被保护电路的ESD保护电路，其中，被保护电路耦接于第一节点和第二节点之间，ESD保护电路包括：
放电电路，用于在第一节点和第二节点之间提供电流通路以选择性地从第一节点向第二节点放电；以及
控制电路，在出现ESD事件时控制放电电路导通电流通路，且在被保护电路正常工作时控制放电电路关断电流通路。
2.如权利要求1所示的ESD保护电路，其中控制电路包括：
去能电路，具有输出端，其中，去能电路根据被保护电路的状态在输出端产生去能信号；以及
触发电路，耦接至去能电路以接收去能信号并根据去能信号产生触发信号以控制放电电路，其中，当去能信号指示被保护电路处于正常工作状态时，触发信号处于无效状态以控制放电电路关断电流通路。
3.如权利要求2所述的ESD保护电路，其中，去能电路还根据ESD事件是否出现来产生去能信号，当去能信号指示出现ESD事件时，触发信号处于有效状态以控制放电电路导通电流通路。
4.如权利要求2所述的ESD保护电路，其中，去能电路包括第一输入端和第二输入端，去能电路的第一输入端耦接至第一节点以接收第一节点处的信号，去能电路的第二输入端接收指示被保护电路状态的指示信号，去能电路将第一节点处的信号与指示信号进行比较并在输出端输出第一节点处的信号或者指示信号。
5.如权利要求4所述的ESD保护电路，其中，去能电路选择输出第一节点处的信号与指示信号两者中电压值较大的信号以作为去能信号。
6.如权利要求5所述的ESD保护电路，其中，当被保护电路处于正常工作时，指示信号为低电平状态以使得去能电路输出第一节点处的信号作为去能信号；当被保护电路处于正常工作时，指示信号为高电平状态以使得去能电路输出指示信号作为去能信号。
7.如权利要求5所述的ESD保护电路，其中，当被保护电路处于正常工作时，去能电路的第二输入端耦接至为被保护电路提供工作电压的供电信号；当被保护电路未处于正常工作时，去能电路的第二输入端浮置或接地。
8.如权利要求2所述的ESD保护电路，其中，去能电路包括：
第一晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其中，第一晶体管的第一端接收指示被保护电路状态的指示信号，第一晶体管的控制端耦接至第一节点以接收第一节点处的信号；以及
第二晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其中，第二晶体管的第一端耦接至第一节点以接收第一节点处的信号，第二晶体管的第二端耦接至第一晶体管的第二端且提供去能信号，第二晶体管的控制端耦接至第一晶体管的第一端。
9.如权利要求8所述的ESD保护电路，其中，第一晶体管和第二晶体管为P型晶体管。
10.如权利要求2所述的ESD保护电路，其中，去能电路包括：
第一二极管，具有阳极和阴极，其中，第一二极管的阳极耦接至第一节点以接收第一节点处的信号；以及
第二二极管，具有阳极和阴极，其中，第二二极管的阴极耦接至第一二极管的阴极且提供去能信号，第二二极管的阳极接收指示被保护电路状态的指示信号。
11.如权利要求2所述的ESD保护电路，其中，触发电路包括：
计时器，耦接于去能电路的输出端和第二节点之间，其中，计时器提供计时信号以设定放电电路导通时间以及ESD放电的时间；以及
缓冲器，耦接于去能电路的输出端和第二节点之间，其中，缓冲器还耦接至计时器的输出端以接收计时信号并基于计时信号产生触发信号。
12.如权利要求11所述的ESD保护电路，其中，
放电电路包括N型晶体管；
计时器包括：
电阻，具有第一端和第二端，其中，电阻的第一端耦接至去能电路的输出端；以及
电容，具有第一端和第二端，其中，电容的第一端耦接至电阻的第二端且电容的第二端耦接至第二节点；以及
缓冲器包括：
P型晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其中，P型晶体管的第一端耦接至去能电路的输出端，P型晶体管的控制端耦接至电阻的第二端；以及
N型晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其中，N型晶体管的第一端耦接至第二节点，N型晶体管的第二端耦接至P型晶体管的第二端且提供触发信号，N型晶体管的控制端耦接至电阻的第二端。
13.如权利要求11所述的ESD保护电路，其中，
放电电路包括P型晶体管；
计时器包括：
电阻，具有第一端和第二端，其中，电阻的第一端耦接至第二节点；以及
电容，具有第一端和第二端，其中，电容的第一端耦接至电阻的第二端且电容的第二端耦接至去能电路的输出端；以及
缓冲器包括：
P型晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其中，P型晶体管的第一端耦接至去能电路的输出端，P型晶体管的控制端耦接至电阻的第二端；以及
N型晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其中，N型晶体管的第一端耦接至第二节点，N型晶体管的第二端耦接至P型晶体管的第二端且提供触发信号，N型晶体管的控制端耦接至电阻的第二端。
14.如权利要求1所述的ESD保护电路，其中，第一节点为I/O焊盘且第二节点为接地焊盘。