1.一种半导体器件，其特征在于包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
电容器，其中所述电容器、所述第一晶体管和所述第二晶体管以串联方式电耦接；
第一控制电路，所述第一控制电路耦接至所述第一晶体管的控制端子并且被配置为在第一时间周期期间保持所述第一晶体管处于非导电状态；以及
第二控制电路，所述第二控制电路耦接至所述第二晶体管的控制端子并且被配置为在所述第一时间周期期间开关所述第二晶体管。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二控制器被配置为在所述第一时间周期期间使所述第二晶体管的开关频率提升。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一控制电路和所述第二控制电路被配置为在所述第一时间周期之后的第二时间周期期间基于振荡器信号来分别开关所述第一晶体管和所述第二晶体管。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二控制器被配置为使所述第二晶体管的开关频率在所述第一时间周期期间以第一变化率并在所述第二时间周期期间以第二变化率提升。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二变化率低于所述第一变化率。
6.一种半导体器件，其特征在于包括：
输入电压电路节点；
接地电压电路节点；
第一电容器；
第一晶体管；
第二晶体管，其中所述第一电容器、所述第一晶体管和所述第二晶体管以串联方式电耦接在所述输入电压电路节点与所述接地电压电路节点之间，且在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间具有第一电路节点；
包括初级绕组的变压器，其中所述初级绕组与所述第一电容器和所述第一晶体管以并联方式电耦接；
第一控制电路，所述第一控制电路耦接至所述第一晶体管的控制端子并且被配置为在第一时间周期期间保持所述第一晶体管处于非导电状态；
第二控制电路，所述第二控制电路耦接至所述第二晶体管的控制端子并且被配置为在所述第一时间周期期间开关所述第二晶体管；
第二电路节点，所述第二电路节点包括耦接至所述第二控制电路的电压输入的工作电压电势；
二极管，所述二极管包括耦接至所述第二电路节点的所述二极管的阳极以及在第三电路节点处耦接至所述第一控制电路的电压输入的所述二极管的阴极；以及
第二电容器，所述第二电容器耦接在所述第一电路节点与所述第三电路节点之间。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中第二控制器被配置为在所述第一时间周期期间使所述第二晶体管的开关频率提升。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一控制电路和所述第二控制电路被配置为在所述第一时间周期之后的第二时间周期期间基于振荡器信号来分别开关所述第一晶体管和所述第二晶体管。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二控制器被配置为使所述第二晶体管的开关频率在所述第一时间周期期间以第一变化率并在所述第二时间周期期间以第二变化率提升。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第二变化率低于所述第一变化率。