技术总结
本实用新型涉及半导体器件。所述半导体器件包括：第一晶体管；第二晶体管；电容器，其中所述电容器、所述第一晶体管和所述第二晶体管以串联方式电耦接；第一控制电路，所述第一控制电路耦接至所述第一晶体管的控制端子并且被配置为在第一时间周期期间保持所述第一晶体管处于非导电状态；以及第二控制电路，所述第二控制电路耦接至所述第二晶体管的控制端子并且被配置为在所述第一时间周期期间开关所述第二晶体管。本实用新型解决的一个技术问题是降低过热。本实用新型实现的一个技术效果是提供一种改进的半导体器件。
技术研发人员：B·W·麦考伊;A·K·哈利
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201720272388
技术研发日：2017.03.21
技术公布日：2017.12.01