专利名称：一种压电陶瓷陷波器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电子器件。具体说，是用于吸收电信号的压电陶瓷陷波器。
背景技术：
目前，电子行业所用的压电陶瓷陷波器，其电极区为圆形，且电极区与引出区间呈上、下排列。由于电极区为圆形且电极区与引出区间呈上、下排列，使得空白区面积较大。空白区面积一大，就会增大单个芯片的面积。芯片面积一大，所用原材料就多，生产成本就高。又由于这种陷波器的多个芯片间是呈整齐状叠摞在一起，它们正、反面的引出区、尤其是中间芯片上的引出区，仅有边沿一点外露部分与引出脚相焊接。焊接工艺复杂，手工难以焊接，生产效率不高。要想提高工效，就需配备一整套现代化焊接设备，投资多，成本高。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种压电陶瓷陷波器。该陷波器，生产成本底、生产效率高。
为实现上述目的，本实用新型采取以下技术解决方案本实用新型的压电陶瓷陷波器，包括外包封，外包封内有压电陶瓷芯片。其特点是压电陶瓷芯片的正、反面中间分别有空白区和引出区，其中正面的空白区两边有电极区，该两电极区的外边有引出区。反面的引出区外边有电极区，该两电极区的外边为空白区。正、反面的引出区上均焊接有引出脚。所说的空白区、电极区和引出区均为矩形。
压电陶瓷芯片正、反面的电极区相对应，而压电陶瓷芯片正面的引出区与其反面的空白区亦相对应。
当需使用多个芯片比如制作三吸收陷波器时，就需使用三个压电陶瓷芯片。该三个压电陶瓷芯片呈阶梯状叠摞在一起，它们正面对应处的引出区外露部分和反面对应处的引出区外露部分分别与一引出脚焊接在一起。
采用上述方案，具有以下优点由于压电陶瓷芯片的正、反面中间分别有空白区和引出区，其中正面的空白区两边有电极区，该两电极区的外边有引出区。反面的引出区外边有电极区，该两电极区的外边为空白区。正、反面的引出区上均焊接有引出脚。所说的空白区、电极区和引出区均为矩形。使得空白区占用面积较小，从而缩小了单个芯片的面积。芯片面积一小，所用原材料就少，可大大降低生产成本。
又由于芯片正反面的电极区相对应，正面的引出区与其反面的空白区亦相对应，且多个芯片又是呈阶梯状叠摞在一起。使得它们的引出区外露部分较多，易与引出脚相焊接，焊接工艺简单，可提高生产效率。不需现代化焊接设备，利用手工即可完成焊接，投资少、成本低。
图1是本实用新型的压电陶瓷陷波器局部剖视示意图；图2是图1的A-A剖视示意图；图3单个压电陶瓷芯片正面示意图；图4图3的后视示意图；图5是三吸收陷波器的三个压电陶瓷芯片叠摞状态示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的压电陶瓷陷波器包括外包封2，该外包封内有压电陶瓷芯片4。压电陶瓷芯片4与外包封2间有用于形成振动腔3的间隙，其正反面中间分别有空白区7和引出区5，该空白区和引出区相对应。正面的空白区7两边和反面的引出区5两边均有电极区6，且正反面的电极区6两边有引出区5，而反面的电极区6两边则为空白区7，正面的两引出区5与反面的两空白区7亦对应。正面的两引出区5和反面的一引出区5均与一引出脚1相焊接。所说的引出脚1从外包封2的同侧伸出。
所说的引出区5、电极区6既可是长方形，也可是正方形，它们均是通过真空镀膜方式镀上的一层银膜。
根据需要，采用一个压电陶瓷芯片4，可制成一吸收陷波器。采用两个压电陶瓷芯片4，可制成二吸收陷波器。将三个上述压电陶瓷芯片4呈阶梯状叠摞在一起，并在它们正面对应处的引出区5外露部分和反面对应处的引出区5外露部分分别与一引出脚1焊接在一起，可制成三吸收陷波器。
权利要求1.一种压电陶瓷陷波器，包括外包封(2)，外包封(2)内有压电陶瓷芯片(4)；其特征在于压电陶瓷芯片(4)的正、反面中间分别有空白区(7)和引出区(5)，其中正面的空白区(7)两边有电极区(6)，该两电极区的外边有引出区(5)；反面的引出区(5)外边有电极区(6)，该两电极区的外边为空白区(7)；正、反面的引出区(5)上均焊接有引出脚(1)；所说的空白区(7)、电极区(6)和引出区(5)均为矩形；
2.根据权利要求1所述的压电陶瓷陷波器，其特征在于压电陶瓷芯片(4)正、反面的电极区(6)相对应，而压电陶瓷芯片(4)正面的引出区(5)与其反面的空白区(7)亦相对应。
3.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷陷波器，其特征在于所说的压电陶瓷芯片(4)可为若干个，该若干个压电陶瓷芯片呈阶梯状叠摞在一起，它们正面对应处的引出区(5)外露部分和反面对应处的引出区(5)外露部分分别与一引出脚(1)焊接在一起。
专利摘要本实用新型公开一种用于吸收电信号的压电陶瓷陷波器。它包括外包封，外包封内有压电陶瓷芯片。其特点是压电陶瓷芯片的正、反面中间分别有空白区和引出区，其中正面的空白区两边有电极区，该两电极区的外边有引出区。反面的引出区外边有电极区，该两电极区的外边为空白区。正、反面的引出区上均焊接有引出脚。所说的空白区、电极区和引出区均为矩形。本实用新型的压电陶瓷陷波器，生产成本低、生产效率高。
文档编号H03H9/54GK2569447SQ0222030
公开日2003年8月27日 申请日期2002年4月27日 优先权日2002年4月27日
发明者吴勤莲, 黄欲晓 申请人:蒋荣豪