专利名称：电子部件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种其端子通过电镀而较厚地形成的电子部件和制造该 电子部件的方法。
背景技术：
近年来，在便携式电话、收发机、数字照相机和其他便携式设备的 小型化方面有了快速的进展。响应于便携式设备的这种小型化，已经存 在对于各种电子部件的小型化的强烈需求，所述电子部件是这种设备(例
如，声表面波(SAW)设备和其他压电设备、集成电路(IC)设备、石 英振荡器、驱动器等)的构成部件。
已经开发了 WLCSP (晶片级芯片尺寸封装)作为满足这种需求的技 术。WLCSP是用于当SAW设备和IC在晶片状态下存在时密封所述SAW 设备和IC的最新的封装技术。
在WLCSP技术中，在晶片上提供了意图用于芯片的许多区域，其 中提供了一个或多个功能元件(例如，SAW设备)，并且还在这些区域 的各个区域中形成端子和布线。接下来，在晶片状态下用树脂等按原样 密封这些区域，最后将这些区域从晶片切割开以获得电子部件(日本专 利特开No. 2003-188669)。
在许多情况下，在WLCSP处理中，通过电镀而较厚地形成端子(曰 本专利特开No. 2003-188669)。为了执行电镀，提供了用作底层的电极， 并且将布线连接到这些电极以从外部电源提供电流。
在分割为芯片后，电镀中所使用的该布线对于电子部件而言是不需 要的。因此，在电镀后去除或切断这样的布线。
在WLCSP的开发之前，已经存在通过将厚金属层电镀在其上形成 有许多元件的晶片上、之后分割为分离的电子部件的形成的技术。例如，在TAB (带式自动键合)的半导体部件的制造中采用这样的技术(日本 专利特开No. S63-269549)。
通过电镀形成凸起(突起)，作为TAB的半导体部件上的结合端子。 图1A和1B是解释在TAB的半导体部件的制造方法中的凸起形成的工序 的图。图1A是解释在半导体基板6上形成用于电镀的衬垫2 (底层)和 布线4的状态的平面图。另一方面，图1B放大示出了在图1A中用折线 围绕的区域A。
为了形成凸起，首先在半导体基板6上形成绝缘膜(未示出)。
接下来，形成衬垫2以及共同连接到半导体基板6上的所有衬垫2 的布线4。这里，在划线上提供除了引线5以外的布线4的主要部分。
接下来，形成覆盖布线4的光刻胶膜(未示出)。
然后，利用布线4作为供电线，采用电镀法在衬垫2上形成凸起， 并且去除光刻胶膜。
此后，使用具有比布线4的宽度更宽的切割宽度8的切割锯来沿上 述划线切割布线4和半导体基板6，导致分割为各个半导体芯片。此时， 通过布线4而共同连接的各个凸起被电气分离。
根据参照图1A和1B解释的方法，与用切割锯对半导体芯片进行切 割同时地去除布线4 (即，供电线)。因此该方法可以被认为是不需要去 除供电线的专门工序的高效的电子部件制造方法。
然而，该方法存在这样的问题，如果切割锯(以下称为"切割机") 的切割位置稍有偏移，则不能确保在凸起之间(即，端子之间)的绝缘。
在一般的电子部件制造方法中，切割宽度8 (即，切割机的刀片宽 度)被设定为稍微宽于布线(即，供电线)的宽度(例如，对于40um 的供电线宽度，切割宽度为50um),以便使得能够从单个晶片(基板) 制造出尽可能多的电子部件。因此，即使切割机的切割位置与期望切割 区域仅稍有偏移，供电线也会保持未切割。
图2是解释切割区域14从期望切割区域稍微偏移的状态的概念图。
除了衬垫2之外，在由供电线10围绕的期望芯片区域12、 12'中还 形成功能元件(未示出)和从衬垫2延伸到功能元件的布线。然而，由于绘图的复杂性，在图2中省略了它们。
在图2中，也未示出期望切割区域。然而，期望切割区域是其宽度 比供电线IO稍微宽一些、另外在其中央包括供电线IO的区域。即，期 望切割区域基本与提供供电线10的区域一致。
在图2所示的示例中，位于左右边缘和上下侧的期望切割区域与由 切割机切割的切割区域14一致。因此在这些位置中，通过切割机的切割 完全去除供电线10。
另一方面，在位于中央的期望切割区域中，切割机切割区域14'稍微 向左侧偏移。结果，供电线10的未切割部分保留在从位于右侧的期望芯 片区域12，分离的芯片上。
图3是解释已经从期望芯片区域12'分离的芯片18的状态的平面图。
如图3所示，供电线16的未切割部分保持沿芯片18的左边缘延伸 (为了区分未切割的剩余供电线，通过折线示出芯片边缘；在其他附图 中也类似)。
设置在芯片18左侧的多个凸起20'中的每一个通过引线5连接到未 切割的剩余供电线16。因此，(设置在芯片18左侧的)凸起20，彼此电连 接。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种电子部件以及该电子部件的制造 方法，该电子部件具有通过电镀而很厚地形成的端子，其中即使当由切 割机切割的区域从期望切割区域偏移时，也不存在由于未切割的剩余供 电线而导致的端子之间的电连接。 (第一方面)
为了实现上述目的，本发明的第一方面的特征在于， 一种电子部件， 该电子部件包括基板；在所述基板上形成的功能元件；多个端子，所 述多个端子中的每一个包括连接到所述功能元件的第一端子电极和层叠 在所述第一端子电极上的第二端子电极；以及供电线，其一端电连接到 所述第一端子电极，而其另一端到达所述基板的边缘，其中所述供电线包括直接到达所述边缘的第一部分和从所述第一部分分叉然后到达所述 边缘的第二部分。
通过该方面，在基板的边缘没有剩余的未切割的供电线，使得端子 不会被未切割的剩余供电线电连接。 (第二方面)
本发明的第二方面的特征在于，在所述第一方面中，所述第一部分 垂直于所述边缘。
通过该方面，在切割之前，在基板上相对的第一端子电极可以经过 最短距离而连接。因此，可以减少供电线电阻。 (第三方面)
本发明的第三方面的特征在于，在所述第一方面中，所述第二部分 与所述边缘平行地延伸，然后弯曲。 (第四方面)
本发明的第四方面的特征在于，在所述第一方面中，所述第二端子 电极通过电镀而形成。
根据第四方面，不存在沿基板的边缘剩余的未切割供电线，使得可 以提高具有通过电镀而很厚地形成的端子的电子部件的产量。 (第五方面)
本发明的第五方面的特征在于，在所述第一方面中，所述功能元件 是具有叉指换能器的声表面波设备。 (第六方面)
本发明的第六方面的特征在于，在所述第五方面中，所述叉指换能 器、所述第一端子电极、以及所述供电线由同一金属层形成。 (第七方面)
本发明的第七方面的特征在于，在所述第六方面中，另一金属层沉 积在所述供电线上。 (第八方面)
本发明的第八方面的特征在于， 一种电子部件，该电子部件包括 基板；在所述基板上形成的功能元件；多个端子，所述多个端子中的每一个包括连接到所述功能元件的第一端子电极和层叠在所述第一端子电 极上的第二端子电极；以及供电线，其一端电连接到所述第一端子电极， 而其另一端到达所述基板的边缘，其中当具有相同结构的假定电子部件 设置在所述基板的外围，使得将所述供电线延伸跨越所述边缘的假定布 线与所述假定电子部件的假定供电线连接时，由所述供电线、假定布线 延伸部分、以及所述假定供电线的连接而得到的恢复的供电线从所述第 一端子电极之一开始，然后在独立的线段上横穿所述边缘和所述假定电 子部件之间的凹槽，到达所述假定电子部件的假定第一端子电极之一， 此后重复地在独立线段上横穿所述凹槽并到达所述假定第一端子电极之 一或所述第一端子电极之一，以从所述凹槽的一端到达另一端。
通过该方面，在基板的边缘不存在剩余的未切割的供电线，使得端 子不被电连接。
(第九方面)
本发明的第九方面的特征在于，在所述第八方面中，所述供电线在 从所述第一端子电极开始之后，在相同路径上返回并且然后分叉。 (第十方面)
本发明的第十方面的特征在于， 一种电子部件的制造方法，该制造 方法包括下述步骤形成多个第一端子电极和供电线，所述多个第一端 子电极沿其中要切割基板的第一期望切割区域的两侧设置，并且提供在 要成为电子部件的多个区域中，所述供电线从所述第一端子电极之一开 始，然后在独立线段上重复地横穿所述第一期望切割区域或与所述第一 期望切割区域交叉的第二期望切割区域，到达在通过横穿而到达的区域 中所提供的所述第一端子电极之一，以从所述期望切割区域的一端到达 另一端；通过从所述供电线提供的电流，在所述第一端子电极的顶部通 过龟镀来形成第二端子电极；以及在所述期望切割区域中切割所述基板。
通过该方面，端子不会由于未切割的剩余供电线而电连接。 (第十一方面)
本发明的第十一方面的特征在于，在所述第十方面中，在形成供电 线的步骤中，在期望切割区域的中心通过金属层形成切割线，并且在切割基板的步骤中，切割线用作切割基板的标记。在形成所述供电线的工 序中，在所述期望切割区域的中央利用金属层来形成切割线，并且在切 割所述基板的工序中，利用所述切割线作为标记来切割所述基板。
通过该方面，在切割基板的工序中，使得容易识别用于切割的区域 (期望切割区域)，从而提高了电子部件生产率。 (第十二方面)
本发明的第十二方面的特征在于，在所述第十一方面中，沿多个区 域没有中断地形成所述切割线。
通过该方面，在切割基板的工序中，可以防止基板碎屑。 (第十三方面)
本发明的第十三方面的特征在于，在所述第十一方面中，沿所述切 割线的侧面形成多个突起。
通过该方面，在切割基板的工序中，使得容易识别切割线。 (第十四方面)
本发明的第十四方面的特征在于，在所述第十方面中，所述供电线 包括第一部分和第二部分，所述第一部分连接直接相对地设置的一对第 一端子电极并且横穿所述第一期望切割区域，在所述一对第一端子电极 之间夹有所述第一期望切割区域，所述第二部分从所述第一部分分叉， 连接呈对角线地设置的一对第一端子电极，并且横穿所述第一期望切割 区域，在所述一对第一端子电极之间夹有所述第一期望切割区域。 (第十五方面)
本发明的第十五方面的特征在于，在所述第十四方面中，所述第一 部分是直线。
通过该方面，相对的第一端子电极可经过最短距离而连接，使得供 电线被缩短，并且减少了其电阻值。 (第十六方面)
本发明的第十六方面的特征在于，在所述第十四方面中，所述第二 部分具有曲柄形状。
通过本发明的电子部件或电子部件的制造方法，不是在期望切割区域内部形成供电线10，而是使其横穿期望切割区域。因此即使由切割机 切割的区域从期望切割区域偏移，在端子电极之间也不存在由于沿基板 的边缘剩余的未切割供电线而导致的电连接。
艮P，通过该方面的电子部件或电子部件的制造方法，即使当基板切 割位置偏移时，在电子部件端子之间也不存在由于剩余的未切割供电线 而导致的电连接。
图1A和1B是解释在TAB的半导体部件的制造方法中的凸起形成 的工序的图2是解释根据相关发明的切割区域从期望切割区域稍微偏移的状 态的概念图3是解释已经从期望芯片区域分离的芯片的状态的平面图； 图4是根据第一实施方式的通过覆盖压电基板的主表面的树脂层看 见的声表面波设备的平面图5是示出根据第一实施方式的声表面波设备的制造过程的流程
图6是解释根据第一实施方式的声表面波设备的制造过程的第一工 序截面图7是解释根据第一实施方式的声表面波设备的制造过程的第二工 序截面图8是解释根据第一实施方式的声表面波设备的制造过程的第三工 序截面图9是解释根据第一实施方式的声表面波设备的制造过程的第四工 序截面图10是解释根据第一实施方式的声表面波设备的制造过程的第五 工序截面图11是解释根据第一实施方式在压电基板上形成供电线等的状态的 平面图；图12是由图11中的折线围绕的部分的放大图13是由图12中的折线围绕的部分的第一放大图14是由图12中的折线围绕的部分的第二放大图15是通过树脂层看见的切割后的压电基板的平面图16是用于解释根据第一实施方式的上述过程制造的声表面波设
备的构造的特性的平面图17是解释要成为电子部件的区域的外围上所形成的切割线的平
面图(第二实施方式)；
图18是由图17中的折线围绕的区域的放大图19解释了用交叉线段横穿期望切割区域的供电线的示例；
图20解释了在供电线用交叉线段横穿期望切割区域的情况下切开
的电子部件的状态；
图21示出了第一实施方式的第一修改示例；以及 图22示出了第二实施方式的第二修改示例。
具体实施例方式
现在将描述本发明的实施方式。本发明的保护范围覆盖权利要求及 其等同物中所限定的发明，但不限于上述实施方式。 (第一实施方式)
该实施方式涉及具有供电线的声表面波设备和制造该部件的方法， 所述供电线分叉并且其一端到达基板的边缘。
图4是通过覆盖压电基板24的主表面的树脂层看见的该实施方式的 声表面波设备22的平面图。如图4所示，在该实施方式的声表面波设备 22中，集成了滤色器、反射器、以及其他声表面波元件26。而且，该实 施方式的声表面波设备22使用WLCSP封装。
以下，利用制造过程的描述来解释该实施方式的声表面波设备22的 构造。
(1)制造过程
图5是示出该实施方式的声表面波设备22的制造过程的流程图。图6到图10是基于图4中沿线A-A'的截面解释该实施方式的声表面波设备 22的制造过程的工序截面图。 (步骤S1)
首先，如图6A所示，制备LiTa03压电基板24。 (步骤S2)
接下来，如图6B所示，使用铝或铝合金以在压电基板24上同时形 成叉指换能器(以下称为"IDT") 26、连接到IDT 26的第一端子电极30、 宽度为40um的供电线29、以及宽度为10ym的切割线32。铝或铝合 金的厚度例如是从100nm到400nm。
为了形成IDT26、第一端子电极30、以及供电线29,首先通过磁控 溅射或其他手段在压电基板24上形成A1膜或A1合金膜。然后，使用光 刻技术以对IDT26、第一端子电极30、以及供电线29进行构图。
图11是解释已经在压电基板24上形成供电线29等的状态的平面图。 图12是由图11的折线围绕的部分31的放大图。图13是由图12的折线 围绕的部分33的进一步放大图。
以下参照图11到图13详细解释在该步骤中形成的电极和布线的结构。
如图11和图12 (特别是图12)所示，在该步骤中，在沿宽度为 50 ii m的期望切割区域34、 34'的两侧设置的多个区域36中形成IDT 26 (见图4)和多个第一端子电极30，其中在所述期望切割区域34、 34， 中要对压电基板24进行切割。
艮P，在该步骤中，形成了在形成有电子部件(声表面波设备)的多 个区域36中提供的、设置在要切割基板(压电基板24)的期望切割区域 34的两侧上的多个第一端子电极30。
并且，如图11和图13 (特别是图13)所示，在该步骤中，从一个 第一端子电极30 (例如，端子A)开始形成供电线29，然后用独立的线 段(例如，线段a)横穿第一期望切割区域34或第二期望切割区域34'， 然后到达在通过横穿而到达的区域中提供的另一第一端子电极30(例如， 端子A，)，并且重复该模式以形成从第一期望切割区域34的一端(例如，上端)延伸到另一端(例如，下端)的供电线29。这里，第二期望切割 区域与第一期望切割区域交叉。
"一个第一端子电极30"、"独立的线段"和"另一第一端子电极30" 的其他示例是端子B、线段b和端子B'。
在图13中，端子A和A'、端子B和B'、以及线段a和b分别由白 色圆圈、白色双环和白线表示。供电线29的宽度例如为40um。
为了更详细地解释，如图11和图14 (特别是图14)所示，在该步 骤中形成的供电线29具有第一部分42，其横穿第一期望切割区域34以 连接一对第一端子电极40，所述一对第一端子电极40在期望切割区域 34的任一侧上直接相对地设置。此外，供电线29具有第二部分46，其 从第一部分42分叉，横穿期望切割区域34以连接一对第一端子电极44， 所述一对第一端子电极44在期望切割区域34的任一侧上呈对角线地设 置。
为了更详细地解释，在该步骤中形成的供电线29中，供电线29的 第一部分42是如图14所示的直线。另一方面，供电线29的第二部分46 具有曲柄形状。
供电线29的第一部分42是直线，因此相对的第一端子电极可以经 过最短距离进行连接。因此，降低了供电线电阻，并且减少了不均匀的 电镀点。
在该步骤中，如上所述，宽度为10y m的切割线32被形成为在宽 度为50um的期望切割区域34的中心的金属层(见图12和图13)。为 了更详细地解释，在该实施方式中，切割线32沿多个区域36 (其中形成 有电子部件)没有中断地形成。
这些切割线32指示在下述压电基板的切割工序中由切割机进行切 割的位置。然而，切割线32的形成不是必不可少的，而可以省略。 (步骤S3)
接下来，利用溅射在其上已经形成有IDT 26等的压电基板24上沉 积Si。2膜48 (见图6C)。 (步骤S4)接下来，使用光刻法和蚀刻来去除沉积在供电线29和第一端子电极 30上的SiO2膜(图7A)。 (步骤S5)
接下来，使用掀离法和蒸发沉积法来在步骤S4中露出的供电线29 和第一端子电极30上形成厚度为200 nm的Ti膜50和厚度为150nm的 Au膜52。
通过在Au膜52和Al膜54之间插入Ti膜50， Au膜52很好地粘 接到底层，即，Al膜54 (或A1合金膜)(图7B)。通过沉积低电阻Au 膜，使得整体地结合了 Au膜52和Ti膜50的供电线的电阻值很小。 (步骤S6)
接下来，将感光环氧树脂或聚酰亚胺树脂涂敷到其上已经在供电线 29上层叠了 Ti膜50和Au膜52的压电基板24上，然后执行加热和固化。 接下来，在IDT26、第一端子电极30、以及期望切割区域34的区 域以外的区域中用紫外线照射固化的环氧层或聚酰亚胺层56。
然后，对环氧层或聚酰亚胺层56进行显影，并且去除在IDT26、第 一端子电极30、以及期望切割区域34上形成的环氧层或聚酰亚胺层56 (见图7C)。 (步骤S7)
接下来，将第一感光树脂片58施加到其中露出了IDT26、第一端子 电极30、以及期望切割区域34的环氧层或聚酰亚胺层56上。
接下来，在第一端子电极30和期望切割区域34的区域以外的区域 中用紫外线照射第一感光树脂片58。
然后，对第一感光树脂片58进行显影，并且去除在第一端子电极 30和期望切割区域34上的第一感光树脂片58。
并且，将第二树脂片59施加到其中露出了第一端子电极30和期望 切割区域34的第一树脂片58上，然后通过与对第一树脂片58执行的工 序类似的过程露出第一端子电极30 (见图8A)。 (步骤S8)
接下来，通过从供电线29提供的电流，利用电镀来在第一电极30上形成厚的第二端子电极60 (见图8B)。
使这些第二端子电极60和第一端子电极30 —体化以成为声表面波 设备22的端子。 (步骤S9)
接下来，在第二端子电极60上安装焊球62 (见图9A)。 (步骤SIO)
接下来，利用切割线32作为标记，使用切割机64来在期望切割区 域34中切割压电基板24 (见图9B)。
通过上述工序，完成了具有如图10所示的截面结构和如图4所示的 平面结构的声表面波设备22。
然后，在其上在与焊球62相对应的位置提供电极的表面安装板上设 置声表面波设备22，使得表面安装板的电极与焊球62—致。接下来，利 用回流(reflow)工序来将焊球62与电极连接，使得声表面波设备22安 装在表面安装板上。
所安装的声表面波设备22与安装板交换电信号，g卩，执行通信，其 中端子66用作信号输入顺出端口 。 (原理)
图15是切割后的压电基板的平面图。右侧切割区域14'从期望切割 区域34向右侧偏移。根据该实施方式而形成的供电线29与图2所示的 相关技术的供电线10的不同之处在于其被形成以便横穿期望切割区域 34，而不是保留在期望切割区域34、 34'内(见图13)。因此，即使由切 割机切割的区域14、 14'从期望切割区域34、 34'偏移，如图15所示，也 不会通过未切割的剩余供电线29而将第一端子电极30连接在一起。
艮卩，通过该实施方式的电子部件的制造方法，即使当基板切割位置 (切割区域)偏移时，也不存在由于未切割的剩余供电线导致的端子的 电连接。
图15是通过树脂层(环氧膜或聚酰亚胺膜56、第一和第二感光树 脂片58和59)看见的、切割后的压电基板的状态的平面图。
在该实施方式中，如图12等所示，切割线32经过期望切割区域34、34，的中心。然而，切割线32不用做供电线，因此可以使其基本上窄于期 望切割区域34、 34'。
例如，在该实施方式中，期望切割区域34、 34'的宽度(切割机刀片 宽度)是50um，而另一方面，切割线32的宽度是10ym。因此即使切 割区域14从期望切割区域34、 34'稍微偏移，也不存在剩余的未切割的 切割线32。
应当加上，在该实施方式中的供电线29的宽度是40um，但是该宽
度不能轻易地减少。
如果供电线29太窄，则电阻值增加。如果使用这样的供电线执行电 镀，则趋于出现不均匀的电镀点。结果，通过电镀形成的第二端子电极 60的厚度不恒定。应当避免这种不均匀的电镀点的出现，因此限制供电 线29的宽度可以减少的程度，以便消除未切割的剩余供电线29。
如果减少供电线29的宽度，则可通过更厚地形成供电线29来减少 电阻值。然而，在该实施方式中，供电线29与IDT 26同时形成，导致 难以很厚地形成供电线29。
这是因为声表面波元件的工作频率越高，则必须使IDT26形成得越 薄。例如，在使其中心频率高的当前声表面波元件中，即使宽度为40u m的供电线29也薄到足够出现不均匀的电镀点的程度。
因此，在该实施方式中，还在供电线29上形成其他金属膜(Ti膜 50和Au膜52)以降低电阻(见步骤S5)。
然而，在该实施方式中，形成供电线29以便横穿期望切割区域，使 得不需要使供电线29的宽度比期望切割区域的宽度小。因此供电线29 的宽度可以例如拓宽到80ix m，以降低供电线29的电阻值并使得较不可 能出现不均匀的电镀点。
如果由例如Au的低电阻金属形成供电线29，则即使当供电线薄并 且窄时，也可以使电阻降低。然而，如在上述声表面波设备的制造方法 中，通常供电线与功能元件电极(例如，IDT26)同时形成以简化制造 工序。因此将供电线的材料限制为与在功能元件的电极中使用的材料相 同的材料(例如，Al)。因此，不能使用低电阻金属形成供电线29来降
1低电阻。
切割线32并非仅被提供来指示切割机切割的位置，而且还便于压电
基板24的切割。切割线32对于防止切割期间压电基板24的碎屑 (chipping)也是有效的。
如果布线横跨切割机切割压电基板的路径，则当切割布线时，与切 割区域14邻接的压电基板24破碎并且变为小片。这样的碎屑可能破坏 接近于切割区域14而形成的构件，例如第一和第二端子电极30、 60。
然而，在该实施方式中，切割线32穿过期望切割区域34、 34'，使 得切割机连续切割金属膜。结果，几乎不出现碎屑。因此不再需要在切 割区域的两侧提供缓冲区域，以便避免由于碎屑导致的不利效果。因此 可以使得电子部件更小，并且小到可以由单个基板制造出更多电子部件 的程度。
(构造)
最后，解释根据上述过程制造的声表面波设备22的构造的特征。 如图4所示，根据该实施方式制造的电子部件(声表面波设备22)
包括基板(压电基板24)、以及在基板24上形成的功能元件(声表面波
元件26)。
电子部件22包括多个端子66，所述多个端子66具有连接到功能元 件的第一端子电极30和层叠在第一端子电极30上的第二端子电极60。
此外，电子部件22包括供电线29，其一端电连接到第一端子电极 30，而其另一端连接到基板24的边缘68。
并且，供电线29具有直接到达边缘68的第一部分70、以及从第一 部分70分叉然后到达边缘68的第二部分72。
这里，第一部分70可以垂直于边缘66或可以是对角线的。并且， 如图4所示，第二部分72可以与边缘66平行地延伸然后弯曲。
具有上述构造的电子部件22可通过上述制造方法来制造，使得即使 在制造工序期间压电基板的切割位置偏移，也不存在由于未切割的剩余 供电线导致的端子66之间的电连接。
另一方面，还可以按照如下来解释根据上述过程制造的声表面波设备22的构造的特征。
图16是用于从不同角度解释根据上述过程制造的声表面波设备22
的构造的特征的平面图。
中间绘出的图示出了根据上述过程制造的声表面波设备22。在该声 表面波设备22的外围绘出的图是具有与声表面波设备22的结构相同的 结构的假定的声表面波设备74。在图16中，省略了功能元件26，使得
附图不会变得过于复杂。
如图4所示，根据该实施方式制造的电子部件(声表面波设备22) 具有基板(压电基板24)、以及在基板上形成的功能元件(声表面波元件 26)。
根据该实施方式制造的电子部件22具有多个端子66，所述多个端 子66具有连接到功能元件的第一端子电极30和层叠在第一端子电极30 上的第二端子电极60。
此外，根据该实施方式制造的电子部件22包括供电线29，其一端 电连接到第一端子电极30，并且其另一端连接到基板的边缘68。
接下来，如图16所示，对于电子部件22，假设了这样的情况，其 中假定电子部件(假定声表面波设备74)设置在基板(即，电子部件22) 的外围，使得从供电线29经过边缘68延伸的假定布线75与由具有与电 子部件22相同结构的假定电子部件(假定的声表面波设备74)所包括的 假定供电线76连接。
在该情况下，在根据该实施方式制造的电子部件22中，通过执行恢 复以连接供电线29、假定布线延伸部分75和假定供电线76而得到的恢 复的供电线78从第一端子电极A之一开始，然后用线段横穿基板边缘 68和假定电子部件(假定声表面波设备74)之间的凹槽80，以到达假定 电子部件(假定声表面波设备74)的假定第一端子电极B之一 (假定第 一端子电极)，并且用独立的线段横穿凹槽80以到达另一第一端子电极 C，此后重复横穿凹槽并到达假定第一端子电极之一或第一端子电极之 一，从而从凹槽80的一个边缘(上侧)开始而到达另一边缘侧(下侧)。
这样的电子部件事实上是根据上述过程(步骤SI到SIO)制造的电子部件，因此即使在制造工序中基板切割位置偏移，也不存在由于未切 割的剩余供电线而导致的端子66之间的电连接。 (第二实施方式)
该实施方式涉及电子部件的制造方法，其中在切割线的侧面上提供 突起。
除了在切割线的侧面上形成多个突起82之外，根据该实施方式的电 子部件的制造方法与第一实施方式的制造方法基本相同。
图17是解释在要成为电子部件的区域36的外围上形成的切割线32 的平面图。图18是图17中的折线围绕的区域A的放大图。
在该实施方式中，如图18所示，形成了侧面具有突起的切割线。因 此当切割基板以切割出电子部件时，切割线可以容易地与供电线29区分， 因此提高了生产率。
该实施方式的切割线32与第一实施方式的切割线的不同之处在于， 其不形成为直线，以便避免期望切割区域34、 34'的交叉点(见图17和 图18)。这是为了在期望切割区域34、 34'的交叉点处形成紫外线曝光的 对准标记。(比较性示例)
在根据第一实施方式的电子部件的制造方法中，如图13所示，在其 上形成有功能元件的基板上提供作为独立的线段a、 b的横穿期望切割区 域34、 34，的供电线29。
然而，也可构思用例如作为与其他线段交叉的线段的非独立线段来 横穿期望切割区域34、 34'的供电线。
图19解释了用交叉线段来横穿期望切割区域34、 34'的供电线的示例。
供电线88具有以之字形图案连接第一端子电极30、 30'的供电干线 84、以及与供电干线84呈对角线交叉的供电支线86。供电干线84以之 字形图案连接第一端子电极30、 30'，使得第一端子电极30、 30'的一半 保持未连接。
供电支线86用于连接还未被连接的第一端子电极30、 30，。没有使用这样的供电线的电子部件的示例，但是有用于电子部件安装的板的制
造的应用示例(日本专利特开No. 2006-245494)。
然而，当使用这样的供电线时，即使切割区域14从原始切割位置稍 微偏移，供电线29也不断开，并且第一端子电极30、 30'保持电连接状 态。
例如，在图19所示的示例中，中心切割区域14'从原始切割位置(切 割区域)向左偏移。图20是在此情况下切开的电子部件的平面图。如图 20所示，右侧的供电线88被正确地断开。然而，左侧的供电线88'未断 开。
为此，在左侧设置的第一端子电极30即使在切割后也通过供电线
88'保持电连接。
这是因为供电线88作为交叉线段横穿期望切割区域90。 另一方面，在上述实施方式中，供电线29作为独立的线段横穿期望
切割区域34、 34'，使得即使切割区域从原始位置偏移，也断开供电线。
因此，第一端子电极30未通过供电线电连接。 (修改示例)
图21和图22示出了第一实施方式的修改示例。
在第一实施方式的电子部件制造方法中，如图14所示，供电线29 被形成为具有以在第一期望切割区域34的任一侧上直接相对地设置的第 一端子电极40的直线对进行连接的第一部分42、以及从第一部分42分 叉的曲柄形第二部分46。
然而，在本发明中形成的供电线的形状不限于这种形状，并且第二 部分46'可以是对角线地横穿切割区域14的直线，如图21中所示。
此外，在图14中，第二部分46在中途从第一部分42分叉，但是也 可以直接从第一端子电极30分叉，如图22中所示。
此外，在第一和第二实施方式中，基板是压电基板，并且声表面波 元件被形成为功能元件。然而，基板和功能元件不限于此，并且在半导 体基板上可形成例如存储器或其它半导体部件。
权利要求
1. 一种电子部件，该电子部件包括基板；在所述基板上形成的功能元件；多个端子，所述多个端子中的每一个包括连接到所述功能元件的第一端子电极和层叠在所述第一端子电极上的第二端子电极；以及供电线，其一端电连接到所述第一端子电极，而其另一端到达所述基板的边缘，其中所述供电线包括直接到达所述边缘的第一部分和从所述第一部分分叉然后到达所述边缘的第二部分。
2. 根据权利要求1所述的电子部件边缘。
3. 根据权利要求1所述的电子部件平行地延伸，然后弯曲。
4. 根据权利要求1所述的电子部件镀而形成。
5. 根据权利要求l所述的电子部件换能器的声表面波设备。
6. 根据权利要求5所述的电子部件一端子电极、以及所述供电线由同一金J
7. 根据权利要求6所述的电子部件电线上。
8. —种电子部件，该电子部件包括基板；在所述基板上形成的功能元件；多个端子，所述多个端子中的每一个包括连接到所述功能元件的第一端子电极和层叠在所述第一端子电极上的第二端子电极；以及供电线，其一端电连接到所述第一端子电极，而其另一端到达所述，其中所述第一部分垂直于所述，其中所述第二部分与所述边缘，其中所述第二端子电极通过电，其中所述功能元件是包括叉指，其中所述叉指换能器、所述第,层形成。，其中另一金属层沉积在所述供基板的边缘，其中当具有相同结构的假定电子部件设置在所述基板的外围，使得将所述供电线延伸跨越所述边缘的假定布线与所述假定电子部件的假定供电线连接时，由所述供电线、假定布线延伸部分、以及所述假定供电线的连接而得到的恢复的供电线从所述第一端子电极之一开始，然后在独立的线段上横穿所述边缘和所述假定电子部件之间的凹槽，到达所述假定电子部件的假定第一端子电极之一，此后重复地在独立线段上横穿所述凹槽并到达所述假定第一端子电极之一或所述第一端子电极之一，以从所述凹槽的一端到达另一端。
9. 根据权利要求8所述的电子部件，其中所述供电线在从所述第一端子电极开始之后，在相同路径上返回并且然后分叉。
10. —种电子部件的制造方法，该制造方法包括下述步骤形成多个第一端子电极和供电线，所述多个第一端子电极沿其中要切割基板的第一期望切割区域的两侧设置，并且提供在要成为电子部件的多个区域中，所述供电线从所述第一端子电极之一开始，然后在独立线段上重复地横穿所述第一期望切割区域或与所述第一期望切割区域交叉的第二期望切割区域，到达在通过横穿而到达的区域中所提供的所述第一端子电极之一，以从所述期望切割区域的一端到达另一端；通过从所述供电线提供的电流，在所述第一端子电极的顶部通过电镀来形成第二端子电极；以及在所述期望切割区域中切割所述基板。
11. 根据权利要求10所述的电子部件的制造方法，其中在形成所述供电线的步骤中，在所述期望切割区域的中央利用金属层来形成切割线，并且在切割所述基板的步骤中，所述切割线用作切割所述基板的标记。
12. 根据权利要求ll所述的电子部件的制造方法，其中沿多个区域没有中断地形成所述切割线。
13. 根据权利要求ll所述的电子部件的制造方法，其中沿所述切割线的侧面形成多个突起。
14. 根据权利要求10所述的电子部件的制造方法，其中所述供电线包括第一部分和第二部分，所述第一部分连接直接相对地设置的一对第一端子电极并且横穿所述第一期望切割区域，在所述一对第一端子电极之间夹有所述第一期望切割区域，所述第二部分从所述第一部分分叉，连接呈对角线地设置的一对第一端子电极，并且横穿所述第一期望切割区域，在所述一对第一端子电极之间夹有所述第一期望切割区域。
15. 根据权利要求14所述的电子部件的制造方法，其中所述第一部分是直线。
16. 根据权利要求14所述的电子部件的制造方法，其中所述第二部分具有曲柄形状。
全文摘要
电子部件及其制造方法。一种电子部件，该电子部件包括基板；在所述基板上形成的功能元件；多个端子，其包括连接到所述功能元件的第一端子电极和层叠在所述第一端子电极上的第二端子电极；以及供电线，其一端电连接到所述第一端子电极，而其另一端到达所述基板的边缘，其中所述供电线包括直接到达所述边缘的第一部分和从所述第一部分分叉然后到达所述边缘的第二部分。
文档编号H03H3/08GK101521493SQ20091011853
公开日2009年9月2日 申请日期2009年2月26日 优先权日2008年2月26日
发明者先滩薰, 兼田泰文, 山下高志, 森谷亮, 相川俊一, 近藤良宪 申请人:富士通媒体部品株式会社