专利名称：电子器件封装体用密封部件、电子器件封装体、以及电子器件封装体用密封部件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种电子器件封装体用密封部件、采用了该电子器件封装体用密封部件的电子器件封装体、以及该电子器件封装体用密封部件的制造方法，其中，该电子器件封装体用密封部件被用作为，电子器件元件的电极被面对面配置的第一密封部件和第二密封部件密封的电子器件封装体的第一密封部件。
背景技术：
电子器件封装体的内部空间实施气密密封，以防止该内部空间中装载的电子器件元件的电极的特性劣化。作为这种内部空间实施了气密密封的电子器件封装体，例如有晶·体谐振器等压电振动装置。作为这种电子器件封装体，存在由底座和盖这两个密封部件组成、且壳体为长方体构造的封装体。在这样的封装体的内部空间中，压电振动片等电子器件元件被接合保持在底座上。并且，通过底座与盖之间的接合，封装体内部空间的电子器件元件的电极被气密密封(例如，参照专利文献I)。在专利文献I中所示的晶体谐振器封装体(即，电子器件封装体)的底座上，设有贯穿该底座的基材的通孔。并且，底座的两个主面上设置的电极之间通过该通孔而电连接。上述在底座上开设的通孔中填充有导电构件，该导电构件与在底座的两个主面上设置的电极相连接，从而使两个主面上设置的电极之间导通，并保持了封装体的内部空间的气密性。在此，作为导电构件，专利文献I中公开了银浆以及嵌合于通孔的金属构件。然而，近年来，对压电振动装置等电子器件封装体要求小型化，随之，上述那样的底座等的密封部件上开设的通孔也趋向于微小化。但是，如专利文献I中公开的银浆那样的导电浆料一般具有较高的粘性，所以难于填充微小的通孔。另外，在将金属构件作为导电构件来填充微小的通孔的情况下，难于制造能与微小的通孔紧密接合的微小金属构件。为此，用导电浆料或金属构件来填充微小的通孔时，会发生填充不良的情况。由于这样的填充不良，通孔不能被完全封住，其结果，封装体的内部空间的气密性降低。专利文献I日本特开2002-124845号公报
发明内容
鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供一种作为电子器件封装体的密封部件使用则能使该电子器件封装体的内部具有充分的气密性的、电子器件封装体用密封部件。另外，本发明的另一个目的在于，提供一种能充分保持封装体内部的气密性的电子器件封装体。另外，本发明的目的还在于，提供一种电子器件封装体用密封部件的制造方法，所制造的电子器件封装体用密封部件作为电子器件封装体的密封部件使用则能使该电子器件封装体的内部具有充分的气密性。为了达到上述目的，本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件被用作为，用面对面配置的第一密封部件和第二密封部件对电子器件元件的电极进行气密密封的电子器件封装体的所述第一密封部件，其特征在于，该电子器件封装体用密封部件包括贯穿该电子器件封装体用密封部件的基材的通孔；在所述基材的、与所述第二密封部件相向的相向面上形成的内部电极；在所述基材的、与所述相向面相反的面上形成的外部电极；以及在所述通孔的内侧面上形成的、使所述内部电极与所述外部电极电连接的贯通电极，所述通孔的至少一侧的开口面被树脂材料密封。基于上述结构，通过沿着通孔的内侧面形成的贯通电极，内部电极与外部电极之间能实现电连接，且该通孔中的导通状态稳定。另外，通孔的至少一侧的开口面被树脂材料密封，所以能够使采用了该电子器件封装体用密封部件的电子器件封装体的内部具有充分的气密性。另外，本发明中所说的在该电子器件封装体用密封部件的基材上形成电极(内部电极、外部电极以及贯通电极)是指，除了在基材表面上直接形成电极之外，还包括在基材表面上隔着某种物质形成电极这样的广义概念。 另外，也可以是，本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件中，所述树脂材料具有感光性，所述通孔的至少一侧的开口面被配置于该开口面的所述树脂材料构成的树脂图样密封。基于上述结构，通孔的至少一侧的开口面能被配置在该开口面上的具有感光性的树脂材料构成的树脂图样切实地密封。这样的树脂图样例如可以采用使用具有感光性的树脂材料的光刻(Photolithography)法等来简单且高精度地形成，以使设置了该电子器件封装体用密封部件的电子器件封装体的内部具有充分的气密性。另外，也可以是，本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件中，所述通孔的内部填充有树脂材料。基于上述结构，通孔能够被填充在该通孔中的树脂材料切实地密封，因而，能够确保采用了该电子器件封装体用密封部件的电子器件封装体的内部具有充分的气密性。另外，也可以是，本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件中，所述内部电极的至少一部分的表面被树脂材料覆盖。基于上述结构，内部电极的至少一部分的表面被树脂材料覆盖，所以在被树脂材料覆盖部分的内部电极的电极表面是由Cu等易氧化金属构成的情况下，能够防止电极表面的氧化。另外，也可以是，本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件中，所述外部电极的至少一部分的表面被树脂材料覆盖。基于上述结构，外部电极的至少一部分的表面被树脂材料覆盖，所以在被树脂材料覆盖部分的外部电极的电极表面是由Cu等易氧化金属构成的情况下，能够防止电极表面的氧化。另外，也可以是，本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件中，所述基材与所述内部电极之间、所述基材与所述外部电极之间、所述基材与所述贯通电极之间，分别设置有树脂材料。基于上述结构，该电子器件封装体用密封部件的基材与内部电极、外部电极、贯通电极之间分别设置有树脂材料，所以构成内部电极、外部电极、以及贯通电极的各个金属与该电子器件封装体用密封部件的基材之间不会发生反应，因而不会出现因与构成内部电极、外部电极、以及贯通电极的各个金属发生反应而导致该电子器件封装体用密封部件的基材劣化的情况。另外，也可以是，本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件中，在所述内部电极和所述外部电极的至少一方之上，隔着树脂材料形成有其它的电极。基于上述结构，在该电子器件封装体用密封部件的厚度方向上能够有多个布线图样(pattern)。另外，本发明所涉及的电子器件封装体是用面对面配置的第一密封部件和第二密封部件对电子器件元件的电极进行气密密封的电子器件封装体，其特征在于，所述第一密封部件是上述本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件。 基于上述结构，由于采用上述本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件作为第一密封部件，所以通过该电子器件封装体用密封部件，能够充分保持封装体内部的气密性。并且，在该电子器件封装体用密封部件上开设的通孔中，能确保稳定的导通状态。另外，本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件的制造方法用于制造一种电子器件封装体用密封部件，该电子器件封装体用密封部件被用作为，用面对面配置的第一密封部件和第二密封部件对电子器件元件的电极进行气密密封的电子器件封装体的所述第一密封部件，其特征在于，该制造方法包括通孔形成工序，形成贯穿该电子器件封装体用密封部件的基材的通孔；电极形成工序，形成内部电极、外部电极以及贯通电极，其中，所述内部电极位于所述基材的、与所述第二密封部件相向的相向面上，所述外部电极位于与所述相向面相反的面上，所述贯通电极沿所述通孔的内侧面配置；以及封孔工序，用树脂材料密封所述通孔的至少一侧的开口面。基于该制造方法，由于在电极形成工序中，形成沿着通孔的内侧面配置的贯通电极，所以通过该贯通电极，能够实现内部电极与外部电极之间的电连接，并且，能够制造通孔内部的导通状态稳定的电子器件封装体用密封部件。另外，由于有用树脂材料密封通孔的至少一侧的开口面的封孔工序，所以能够制造出在被用作电子器件封装体的第一密封部件时，能使电子器件封装体的内部具有充分的气密性的电子器件封装体用密封部件。另外，也可以是，在本发明所涉及的电子器件封装体用密封部件的制造方法中，所述封孔工序包括图样形成工序，用于利用使用具有感光性的所述树脂材料的光刻法，来进行用于密封所述通孔的至少一侧的开口面的树脂图样的图样形成。基于该制造方法，能够利用使用具有感光性的树脂材料的光刻法，简单且高精度地形成树脂图样，其结果，能够用树脂图样切实地密封通孔的至少一侧的开口面。发明的效果基于本发明的电子器件封装体用密封部件，能够提供一种在被用作为电子器件封装体的密封部件时，能使该电子器件封装体的内部具有充分的气密性的电子器件封装体用密封部件。另外，基于本发明的电子器件封装体，能够提供一种能充分确保封装体内部的气密性的电子器件封装体。另外，基于本发明的电子器件封装体用密封部件的制造方法，能够制造出一种被用作为电子器件封装体的密封部件时，能使该电子器件封装体的内部具有充分的气密性的
电子器件封装体用密封部件。
图I是示出实施方式一所涉及的晶体谐振器的内部空间的示意剖视图。图2A是实施方式一所涉及的底座的示意俯视图。图2B是实施方式一所涉及的底座的示意剖视图。图2C是实施方式一所涉及的底座的示意仰视图。图3A是实施方式一所涉及的盖的示意剖视图。图3B是实施方式一所涉及的盖的示意仰视图。图4是实施方式一所涉及的水晶振动片的示意仰视图。图5A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序的一个工序的晶片的局部不意俯视图。
图5B是图5A所示的晶片的示意剖视图。图6A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图6B是图6A所示的晶片的示意剖视图。图7A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图7B是图7A所示的晶片的示意剖视图。图8A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图8B是图8A所示的晶片的示意剖视图。图9A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图9B是图9A所示的晶片的示意剖视图。图IOA是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图IOB是图IOA所示的晶片的示意剖视图。图IlA是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图IlB是图IlA所示的晶片的示意剖视图。图12A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图12B是图12A所示的晶片的示意剖视图。图13A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图13B是图13A所示的晶片的示意剖视图。图14A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图14B是图14A所示的晶片的示意剖视图。图15A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图15B是图15A所示的晶片的示意剖视图。图16A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图16B是图16A所示的晶片的示意剖视图。图17A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图17B是图17A所示的晶片的示意剖视图。图18A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图18B是图18A所示的晶片的示意剖视图。图19A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图19B是图19A所示的晶片的示意剖视图。图20A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图20B是图20A所示的晶片的示意剖视图。图21A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图21B是图21A所示的晶片的示意剖视图。图22A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图22B是图22k所示的晶片的示意剖视图。图23A是表不实施方式一所涉及的底座的制造工序中的一个工序的晶片的局部不意俯视图。图23B是图23A所示的晶片的示意剖视图。图24A是实施方式二所涉及的底座的示意俯视图。图24B是实施方式二所涉及的底座的示意剖视图。图24C是实施方式二所涉及的底座的示意仰视图。图25A是实施方式三所涉及的底座的示意俯视图。图25B是实施方式三所涉及的底座的示意剖视图。图25C是实施方式三所涉及的底座的示意仰视图。图26A是实施方式四所涉及的底座的示意俯视图。图26B是实施方式四所涉及的底座的示意剖视图。图26C是实施方式四所涉及的底座的示意仰视图。图27是示出实施方式五所涉及的晶体振荡器的内部空间的示意侧视图。
图28A是实施方式五所涉及的底座的不意俯视图。图28B是实施方式五所涉及的底座的示意仰视图。图29A是实施方式TK所涉及的底座的不意俯视图。图29B是实施方式六所涉及的底座的示意剖视图。图29C是实施方式六所涉及的底座的示意仰视图。<附图标记说明>
I晶体谐振器
1I内部空间
2水晶振动片 2 I 基板
2 2,23 主面24短边的中间部分
2 6振动部
27接合部
3I、3 2 激发电极
33 , 3 4 端电极
35 , 3 6 引出电极4底座(作为第一密封部件的电子器件封装体用密封部件)
4 I底部
4 11、4 12 基座部 4 2主面(相向面)
4 3主面
4 4壁部
4 5 , 4 5 A第I接合层 4 5 1、4 5 3 溅射薄膜 4 5 2、4 5 4 镀膜 4 6腔部 4 6 1底面
4 7 , 4 8 雉堞墙
47A、47B、48A、4 8 B 雉堞墙
49通孔
49 I内侧面
49 2、4 9 3 开口面
51,52 电极垫
5 3 , 5 4 外部端电极
53 A、53 B、54 A、5 4 B 外部端电极
55内部电极
5 6外部电极
5 6 I 溅射薄膜
56 2 镀膜
56 3 第二镀膜
57贯通电极
58树脂图样
59树脂材料
6盖(第二密封部件)
6I第二接合层611M ο 膜
6I 2Au膜
7I接合材料
711An / S η膜
712Au膜
8晶片
81、8 2 主面
9I保护层9 2金属层9 3电镀层
9 4正光阻层
9 5树脂层
1O晶体振荡器(电子器件封装体)
2OIC芯片(电子器件元件)
4O I基座部
5O I第一布线图样
50 2第二布线图样
5O 3第三布线图样 9 0 6、9 O 7 导电凸点
L I短边方向上的边L 2、L 3 长边方向上的边
具体实施例方式以下，结合附图，对本发明的实施方式一至六进行说明。在以下所示的实施方式一至四、及六中，示出将本发明的电子器件封装体用作压电振动装置即晶体谐振器的封装体，并采用压电振动片即AT截面晶体振动片作为电子器件元件的情况。另外，在实施方式五中，示出将本发明的电子器件封装体用作压电振动装置即晶体振荡器的封装体，并采用压电振动片即AT截面晶体振动片、及IC芯片作为电子器件元件的情况。〈实施方式一〉图I是示出实施方式一所涉及的晶体谐振器的内部空间的示意剖视图。另外，图2Α 图2C是表示实施方式一所涉及的底座的概要结构的示意图。其中，图2Α是示意俯视图；图2Β是表示沿图2Α中的虚线切断底座之后的断面状态的示意剖视图；图2C是示意仰视图。另外，图3Α及图3Β是表示实施方式一所涉及的盖的概要结构的示意图。其中，图3A是不意首I]视图；图3B是不意仰视图。另外，图4是实施方式一所涉及的水晶振动片的不意仰视图。如图I所示，在实施方式一所涉及的晶体谐振器I中，设置有水晶振动片2(本发明所说的电子器件元件)、底座4(本发明所说的作为第一密封部件的电子器件封装体用密封部件)、及盖6 (本发明所说的第二密封部件)，其中，水晶振动片2由AT截面晶体构成；底座4用于保持该水晶振动片2，并对水晶振动片2进行气密密封；盖6用于对相向于底座4配置并由底座4保持的水晶振动片2的激发电极31、32(本发明所说的电子器件元件的电极)进行气密密封。在晶体谐振器I中，底座4与盖6构成封装体(本发明所说的电子器件封装体)，底座4与盖6通过Au与Sn的合金所构成的接合材料71而接合在一起,并形成被气密密封的内部空间11。该内部空间11中，水晶振动片2采用使用金凸点等导电凸点(未图示)的FCB法(Flip Chip Bonding，倒装芯片安装)，通过超声波接合而机电性地接合在底座4上。另外，底座4与水晶振动片2之间也可以通过导电性树脂接合材料而接合在一起。 下面，对该晶体谐振器I的各构成进行说明。底座4由硼硅酸盐玻璃等玻璃材料构成。如图I及图2A 图2C所示那样，底座4被形成为由底部41和壁部44构成的箱状体，壁部44沿着底座4的一主面42的外周从底部41向上方延出。底座4是通过用光刻法对长方体实心板进行蚀刻而成形的。底座4的壁部44的顶面是与盖6接合的接合面，该接合面上设置有用于与盖6接合的第I接合层45。如图2B所示那样，第I接合层45由在溅射薄膜451上形成了镀膜452的多层叠层结构构成。溅射薄膜451是通过在用溅射法溅射形成的、Mo构成的Mo膜上，用溅射法溅射形成Au构成的Au膜而得到的。另外，镀膜452是通过在溅射薄膜451上施镀形成Au构成的Au膜而得到的。在底座4上形成有，由底部41和壁部44围成的腔部46。该腔部46被形成为，如图I所示那样，俯视时呈矩形，腔部46的壁面呈锥形。但在实施方式一中，腔部46被形成为俯视时呈长方形。另外，两个基座部411、412在腔部46的短边方向上相对应地设置在腔部46的底面461上。这两个基座部411、412被设置为，分别与腔部46的底面461的短边方向上的边LI相接，并与邻接该短边方向上的边LI的、底面461的长边方向上的边L2、L3相接。另外，在底座4的、俯视时呈长方形的壳体的背面(另一主面43)上，形成有两个雉堞墙(castellati0n)47、48(参照图I、图2B及图2C)。雉堞墙47被形成于壳体侧面，并且是沿着另一主面43的短边方向上的一个侧边的整体及与该一侧边相邻的另一主面43的长边方向上的两个侧边的一部分而形成。雉堞墙48被形成于壳体侧面，并且是沿着另一主面43的短边方向上的另一侧边的整体及与该另一侧边相邻的另一主面43的长边方向上的两个侧边的一部分而形成的。另外，在实施方式一中，两个雉堞墙47、48被形成为，壁面相对于底座4的另一主面43而倾斜。另外，如图I及图2A 图2C所示那样，在底座4上形成有贯穿底座4的基材的通孔49。该通孔49的内侧面491被形成为，相对于底座4的一主面42以及另一主面43而倾斜的维形。通孔49的直径在底座4的另一主面43侧的端部为最大；在底座4的一主面42侧的端部为最小。
另外，在底座4的基材上形成有分别与水晶振动片2的激发电极31、32进行机电接合的一对电极垫51、52 ;与外部部件、外部器件电连接的外部端电极53、54 ;以及使电极垫51与外部端电极53及电极垫52与外部端电极54电连接的布线图样(图示省略)。通过这些电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样而构成底座4的电极55、56、57。电极垫51、52形成在基座部411、412的表面；外部端电极53、54形成在雉堞墙47、48上。布线图样被形成为，经由通孔49的内侧面491，从底座4的一主面42的电极垫51、52延伸至另一主面43的外部端电极53、54。另外，在底座4的基材上形成的电极55、56、57中，将底座4的基材的一主面42 (通孔49的开口面492除外)上形成的电极55称为内部电极(以下，在有必要与其它的电极56、57区別时，记载为内部电极55);将底座4的基材的另一主面43 (通孔49的开口面493除外)上形成的电极56称为外部电极(以下，在有必要与其它的电极55、57区別时，记载为外部电极56);将被形成为从通孔49的内侧面491延伸至通孔49的开口面492、493的电极57称为贯通电极(以下，在有必要与其它的电极55、56区别时，记载为贯通电极57)。换言之，在本实施方式一中，贯通电极57被形成在通孔49的内侧面491的整体、以及贯通 孔49的开口面492和493的周边部。包括电极垫51、52在内的内部电极55、包括外部端电极53、54在内的外部电极56、以及贯通电极57由与第I接合层45相同的材料构成，并与第I接合层45同时被形成。另外，在底座4的一主面42上的腔部46的底面461的一半以上部分的区域，全都配置有树脂图样58 (树脂材料)，通过树脂图样58，位于底座4的一主面42侧的开口面 492被密封，并且，除电极垫51、52之外的内部电极55的一部分表面被树脂覆盖。在此，作为构成树脂图样58的树脂材料，可以采用任何与构成底座4的材料(例如，玻璃材料)之间有良好的附着性的树脂材料，可以适当使用苯环丁烯(BCB)、聚苯并恶唑、环氧树脂、聚酰亚胺、或氟系树脂构成的树脂材料。另外，在实施方式一中，用光刻法将树脂图样58形成在腔部46的底面461上，作为构成树脂图样58的树脂材料，可以采用具有感光性的树脂材料。另外，本发明所说的具有感光性的树脂材料是指，除了由具有感光性的树脂构成的树脂材料之外，还包括含有光增敏剂和树脂的感光性树脂组合物这样的广义概念。如图I、图3A及图3B所示，盖6由硼硅酸盐玻璃等玻璃材料构成，并被形成为长方体实心板。在该盖6上，沿着内面的外周形成有第二接合层61。如图3A所示，盖6的第二接合层61是由在形成了由Mo构成的Mo膜611上形成由Au构成的Au膜612而得到的多层叠层结构构成的。Mo膜611是通过溅射法而溅射形成的。Au膜612是通过溅射法而溅射形成的。另外，在盖6的第二接合层61上，在与底座4接合之前，如图3A及图3B所示那样叠层着接合材料71。接合材料71由在第二接合层61上叠层的Au/Sn膜711、和在八11/511膜711上叠层而形成的Au膜712构成。在此，Au/Sn膜711由在第二接合层61上叠层并施镀而形成的Au膜、和在该Au膜上施镀而形成的Sn膜构成。Au膜712由在Au/Sn膜711上叠层并施镀而形成的Au触击电镀膜i、和在Au触击电镀膜上叠层并施镀而形成的Au镀膜构成。在这样的接合材料71中,Au/Sn膜711通过加热而融化成为AuSn合金膜。另外，也可以通过在盖6的第二接合层61上镀AuSn合金来构成接合材料71。水晶振动片2由AT截面晶体片的基板21构成，其外形如图I及图4所示那样，是两主面22、23被形成为大致矩形的长方体实心板。该水晶振动片2上设置有构成振动区域的振动部26、以及与底座4的电极垫51、52相接合的接合部27。振动部26与接合部27形成为一体而构成基板21。另外，在接合部27中，基板21的俯视图中的短边的中间部分24被切出。该水晶振动片2上形成有进行激发的一对激发电极31、32 ;与底座4的电极垫51、52机电接合的一对端电极33、34 ;将一对激发电极31、32引到一对端电极33、34的引出电极35、36。一对激发电极31、32通过引出电极35、36引接而分别与一对端电极33、34电连接。一对激发电极31、32背对背地形成在基板21的两个主面22、23即振动部26的中央(俯视图的中央)。这一对激发电极31、32例如由从基板21侧开始按Cr、Au的顺序叠层而形成的Cr-Au膜构成。 一对端电极33、34形成在接合部27的另一主面23上。一对端电极33、34中的一个端电极33被形成在,基板21的长边方向上的一侧边的一端部附近；另一端电极34被形成在，基板21的长边方向上的另一侧边的一端部附近。这一对端电极33、34例如与激发电极31、32 —样，由从基板21侧开始按Cr、Au的顺序叠层而形成的Cr-Au膜构成。另外,一对端电极33、34如图4所示那样，具有由上层和下层组成的二层结构，上层由Au构成；下层由Cr-Au构成。下层的主面(俯视时的面)的面积比上层的主面(俯视时的面)的面积大。引出电极35、36被形成在振动部26和接合部27上，即，从振动部26跨越到接合部27，且相互非对应地被形成在基板21的两个主面22、23上。该引出电极35、36例如与激发电极31、32 —样，由从基板21侧开始按Cr、Au的顺序叠层而形成的Cr-Au膜构成。在由上述结构构成的晶体谐振器I中，如图I所示那样，底座4与水晶振动片2之间通过导电凸点(未图示)，利用FCB法实现了机电上的超声波接合。通过该接合，水晶振动片2的激发电极31、32经由引出电极35、36、端电极33、34以及导电凸点而与底座4的电极垫51、52机电接合，从而在底座4上装载水晶振动片2。然后，在装载了水晶振动片2的底座4上，用FCB法暂时将盖6接合，其后，通过在氮气氛围下加热，接合材料71、第I接合层45及第二接合层61融化，使得底座4的第I接合层45通过接合材料71而与盖6的第二接合层61接合，从而制造出将水晶振动片2气密密封的晶体谐振器I。作为导电凸点，可采用为非流动性构件的电镀凸点(plating bump)。下面，结合图5A 图23B，对该晶体谐振器I及底座4的制造方法进行说明。其中，在图5A 图23B的各图中，附图的图号中含有A的图(以下，称为A图)是底座4的制造工序中的一个工序中的晶片的局部示意俯视图，附图的图号中含有B的图是表示将A图所示的晶片沿A图中的虚线切断后的断面的状态的示意剖视图。首先，对形成多个底座4的玻璃材料所构成的晶片8的两个主面进行清洗(参照图5A及图5B)。晶片8的清洗完毕之后，如图6A及图6B所示那样，在其两个主面81、82上形成保护层91。具体而言，在晶片8的两个主面81、82上用溅射法溅射形成由Mo构成的Mo层之后，在Mo层上用溅射法溅射形成Au层，从而形成由Mo层和Au层构成的保护层91。在晶片8的两个主面81、82上形成了保护层91之后，如图7A及图7B所示那样，用旋涂法在保护层91上涂布光阻剂(resist)，以形成正光阻层94。然后，在保护层91上形成了正光阻层94之后，对形成图2A 图2C所示的底座4的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的正光阻层94进行曝光及显影。接着，对通过曝光及显影而露出的、形成底座4的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的保护层91进行蚀刻。对形成底座4的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的保护层91进行了蚀刻之后，用旋涂法在晶片8上涂布光阻剂，以形成新的正光阻层94。
在形成了新的正光阻层94之后，对形成底座4的外形、腔部46的底面(包含形成基座部411、412的部分)、及通孔49的位置上的正光阻层94进行曝光及显影，从而如图8A及图SB所示那样，使形成底座的外形、腔部46的底面(除去形成基座部411、412的部分)、及通孔49的部分的晶片8露出，并使形成基座部411、412的位置上的保护层91露出。然后，如图9A及图9B所示那样，将保护层91及正光阻层94作为防护罩(mask)，采用使用蚀刻液的湿蚀刻法，进行蚀刻而形成底座4的外形的一部分、腔部46的一部分、及通孔49的一部分(内侧面491的一部分)。晶片8的蚀刻完毕之后，如图IOA及图IOB所示那样，对形成基座部411、412的位置上存在(露出)的保护层91进行金属蚀刻。对形成基座部411、412的位置上存在的保护层91进行了金属蚀刻之后，如图IlA及图IlB所示那样，将保护层91及正光阻层94作为防护罩，采用使用蚀刻液的湿蚀刻法，进行蚀刻而形成底座4的外形的整体、腔部46的整体(包含基座部411、412)、及通孔49的整体(内侧面491的整体)。晶片8的蚀刻完毕之后，如图12A及图12B所示那样，将正光阻层94剥离去除。将正光阻层94剥离去除之后，如图13A及图13B所示那样，对露出的保护层91进行金属蚀刻，以将其去除，使晶片8的两个主面81、82全部露出。对保护层91进行了金属蚀刻之后，如图14A及图14B所示那样，在晶片8(两主面81、82及通孔49的内侧面491)上形成金属层92。具体而言，用溅射法在晶片8 (两主面81、82以及通孔49的内侧面491)上溅射形成由Mo构成的Mo层之后，用溅射法在Mo层上溅射形成并叠层由Au构成的Au层，从而形成由Mo层和Au层构成的金属层92。在此形成的金属层92便成为构成第I接合层45的溅射薄膜451 (参照图2B)。在晶片8的两个主面81、82上形成了金属层92之后，用浸溃涂布法在金属层92上涂布光阻剂，以形成新的正光阻层94。在金属层92上形成了正光阻层94之后，对形成底座4的第I接合层45、电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样的位置上的正光阻层94进行曝光及显影，从而如图15A及图15B所示那样，使形成第I接合层45、电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样的位置上的金属层92露出。然后，如图16A及图16B所示那样，在通过曝光及显影而露出的金属层92上镀Au而形成电镀层93,并形成第I接合层45、电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样的外层膜。在此形成的电镀层93便成为第I接合层45的镀膜452(参照图2B)。在形成了第I接合层45、电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样之后，如图17A及图17B所示那样，将正光阻层94剥离去除。然后，如图18A及图18B所示那样，用浸溃涂布法在晶片8上涂布光阻剂，以形成新的正光阻层94。在晶片8上形成了正光阻层94之后，为了形成第I接合层45、电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样，而对形成第I接合层45、电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样的位置以外的晶片8上的正光阻层94进行曝光及显影，从而如图19A及图19B所示那样，使形成第I接合层45、电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样的位置以外的金
属层92露出。然后，如图20A及图20B所示那样，对通过曝光及显影而露出的金属层92进行金属蚀刻，以将其去除，便形成第I接合层45、电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样。形成了第I接合层45、电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样之后，如图2IA 及图21B所示那样，将正光阻层94剥离去除。从晶片8上剥离去除了正光阻层94之后，如图22A及图22B所示那样，用浸溃涂布法或喷涂法在晶片8的两个主面81、82及通孔49的开口面492、493上涂布具有感光性的树脂材料，以形成树脂层95。在晶片8上形成了树脂层95之后，如图23A及图23B所示那样，对形成树脂图样58的位置以外的位置上的树脂层95进行曝光及显影，以形成树脂图样58。通过该树脂图样58，晶片8的一主面81侧存在的通孔49的开口面492被树脂密封，并且，在晶片8的一主面81上形成的布线图样(内部电极55的一部分)的表面被覆盖。在形成了树脂图样58之后，将在晶片8上大量形成的底座4 一个一个地分割成单片，从而制造出多个图2A 图2C所示的底座4。在图2A 图2C所示的底座4上，放置图4所示的水晶振动片2，用FCB法通过导电凸点实现水晶振动片2与底座4之间的机电上的超声波接合，从而在底座4上装载固定水晶振动片2。另外，在别的工序中，在盖6的第二接合层61上进行接合材料71的叠层(参照图3A及图3B)。其后，通过FCB法，将盖6暂时接合在装载固定了水晶振动片2的底座4上，然后，在氮气氛围下加热，使接合材料71、第I接合层45及第二接合层61融化，以通过接合材料71将底座4的第I接合层45与盖6的第二接合层61正式接合，从而制造出图I所示的晶体谐振器I。另外，在上述底座4的制造工序中，将蚀刻晶片8而在底座4的基材上形成通孔49的工序称为通孔形成工序。另外，将利用通过上述光刻法而形成的金属层92及电镀层93，来在底座4的基材上形成电极垫51、52、外部端电极53、54及布线图样(S卩，内部电极55、外部电极56和贯通电极57)的工序称为电极形成工序。并且，将通过光刻法形成树脂图样58，并用树脂材料(树脂图样58)来密封通孔49的开口面492、493的至少一方的工序称为封孔工序。在本实施方式一所涉及的晶体谐振器I中，由于在通孔49的整个内侧面491形成有贯通电极57，所以通过该贯通电极57，底座4的一主面42上形成的内部电极55与底座4的另一主面43上形成的外部电极56实现了电连接，通孔49中的导通状态稳定。另外，由于位于底座4的一主面42侧的通孔49的开口面492被树脂图样58 (树脂材料)密封，所以外气不会通过通孔49而进入晶体谐振器I的封装体内部，能够充分保持晶体谐振器I的封装体内部的气密性。进一步，由于腔部46的底面461的一半以上形成有树脂图样58，所以通过该树脂图样58，底座4的面方向上的强度得到加强。另外，在本实施方式一所涉及的晶体谐振器I中，由于在位于底座4的一主面42侧的通孔49的开口面492、及该开口面492的周围广泛(具体而言，腔部46的底面461的一半以上的区域)形成了树脂图样58，所以能够充分确保树脂图样58与构成底座4的基材(玻璃材料)之间直接接触的接触面积。因此，能够充分确保树脂图样58与构成底座4的基材之间的接合强度，从而能够充分确保晶体谐振器I的封装体的气密稳定性。〈实施方式二〉实施方式二所涉及的晶体谐振器I的构成与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的构成基本相同。因此，以下只对不同于实施方式一所涉及的晶体谐振器I之处进行说明。实施方式二所涉及的晶体谐振器I的底座4的构成与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的底座4的构成不同。图24A 图24C是表示实施方式二所涉及的底座4的概要结构的示意图，图24A是示意俯视图，图24B是表示沿图24A的虚线切断底座4之后的切断面的状态的示意剖视图，图24C是意仰视图。在实施方式二所涉及的晶体谐振器I的底座4中，在俯视时为长方形的壳体背面(另一主面43)上，如图24B及图24C所示那样，设置有四个雉堞墙47A、47B、48A、48B。具体而言，雉堞墙47A是沿着另一主面43的长边方向上的一侧边的一端部及与该一端部相邻接的短边方向上的一侧边的一端部而设置的；雉堞墙47B是沿着另一主面43的长边方向上的另一侧边的一端部及与该一端部相邻接的短边方向上的一侧边的另一端部而设置的。另夕卜，雉堞墙48A是沿着另一主面43的长边方向上的一侧边的另一端部及与该另一端部相邻接的短边方向上的另一侧边的一端部而设置的；雉堞墙48B是沿着另一主面43的长边方向上的另一侧边的另一端部及与该另一端部相邻接的短边方向上的另一侧边的另一端部而设置的。并且，在这四个雉堞墙47A、47B、48A、48B上分别形成有外部端电极53A、53B、54A、54B。其中，外部端电极53A与电极垫51之间通过布线图样而实现电连接；外部端电极54B与电极垫52之间通过布线图样而实现电连接。另外，如图24A 图24C所示那样，树脂图样58不是形成在构成腔部46的底面461的、底座4的一主面42，而是形成在构成壳体背面的、底座4的另一主面43。具体而言，在底座4的另一主面43上，背对着腔部46底面的位置上设置树脂图样58，通过该树脂图样58，位于另一主面43的通孔49的开口面493被密封。除了在图23A及图23B所示的制造工序中，不是将树脂图样58形成在晶片8的一主面81，而是将树脂图样58形成在晶片8的另一主面82，上述实施方式二所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造方法与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造方法相同。在本实施方式二所涉及的晶体谐振器I中，由于通孔49的整个内侧面491形成有贯通电极57，所以通过该贯通电极57，在底座4的一主面42上形成的内部电极55与在底 座4的另一主面43上形成的外部电极56之间实现了电连接，通孔49内部的导通状态稳定。另外,位于底座4的另一主面43侧的通孔49的开口面493被树脂图样58 (树脂材料)密封，所以外气不会通过通孔49而进入到晶体谐振器I的封装体内部，能够充分保持晶体谐振器I的封装体内部的气密性。进一步，在底座4的另一主面43上，背对腔部46底面的位置上形成有树脂图样58，所以通过该树脂图样58，底座4的面方向上的强度得到加强。另外，在本实施方式二所涉及的晶体谐振器I中，由于在位于底座4的另一主面43侧的通孔49的开口面493及该开口面493的周围广泛(具体而言，底座4的另一主面43上的、与腔部46的底面相对应的部分的一半以上区域)形成了树脂图样58，所以能够充分确保树脂图样58与构成底座4的基材(玻璃材料)之间直接接触的接触面积。因此，能够充分确保树脂图样58与构成底座4的基材之间的接合强度，从而充分确保晶体谐振器I的封装体的气密稳定性。在本实施方式二所涉及的晶体谐振器I的构成中，除上述说明过的构成之外，其它构成与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的相同，因此，实施方式二所涉及的晶体谐振器I能产生与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的效果相同的效果。 〈实施方式三〉实施方式三所涉及的晶体谐振器I具有与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的结构基本相同的结构，因此，能够产生与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的效果相同的效果。以下，只对不同于实施方式一所涉及的晶体谐振器I的部分进行说明。实施方式三所涉及的晶体谐振器I的底座4的构成与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的底座4的构成不同。图25A 图25C是表示实施方式三所涉及的底座4的概要结构的示意图，图25A是示意俯视图，图25B是表示沿图25A的虚线切断底座4之后的切断面的状态的示意剖视图，图25C是示意仰视图。在实施方式三所涉及的晶体谐振器I的底座4中，如图25A 图25C所示那样，在构成腔部46的底面461的、底座4的一主面42上存在的通孔49的开口面492及该开口面492的附近，以及构成壳体背面的、底座4的另一主面43上存在的通孔49的开口面493及该开口面493附近形成有树脂图样58。换言之，在本实施方式三中，通孔49的两侧的开口面492、493被树脂图样58密封。进一步，在本实施方式三中，通孔49的内部填充了用于形成树脂图样58的树脂材料59。除了在图22A及图22B所示的制造工序中，用浸溃涂布法在晶片8的两个主面81、82及通孔49的开口面492、493上涂布含有光增敏剂的树脂以形成树脂层95，同时将树脂材料59填充到通孔49中，以及在图23A及图23B所示的制造工序中，只在位于晶片8的一主面81上的通孔49的开口面492及该开口面492的附近、及位于晶片8的另一主面82上的通孔49的开口面493及该开口面493的附近形成树脂图样58以外，上述实施方式三所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造方法与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造方法相同。在本实施方式三所涉及的晶体谐振器I中，由于通孔49的整个内侧面491形成了贯通电极57，所以通过该贯通电极57，在底座4的一主面42上形成的内部电极55与在底座4的另一主面43上形成的外部电极56之间实现了电连接，通孔49的内部的导通状态稳定。另外，通孔49的两侧的开口面492、493被树脂图样58 (树脂材料)密封，而且通孔49的内部填充了树脂材料59，所以外气不会通过通孔49而进入晶体谐振器I的封装体内部，能够充分保持晶体谐振器I的封装体内部的气密性。另外，在实施方式三中，作为填充到通孔49内部的树脂材料59，使用了与构成树脂图样58的树脂材料相同的、不含导电性物质的材料，但不局限于此，例如，也可以使用与构成树脂图样58的树脂材料不同的、含导电性物质的材料，来作为填充到通孔49内部的树脂材料59。若通孔49的内部填充有含导电性物质的树脂材料，则通孔49中的导通状态更加稳定。在本实施方式三所涉及的晶体谐振器I的构成中，除了上述说明过的构成之外，其它构成与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的构成相同，因此，本实施方式三所涉及的晶体谐振器I能产生与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的效果相同的效果。〈实施方式四〉
实施方式四所涉及的晶体谐振器I具有与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的结构基本相同的结构，因此，能够产生与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的效果相同的效果。以下，只对不同于实施方式一所涉及的晶体谐振器I的部分进行说明。实施方式四所涉及的晶体谐振器I的底座4的构成与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的底座4的构成不同。图26A 图26C是表示实施方式四所涉及的底座4的概要结构的示意图，图26A是示意俯视图，图26B是表示沿图26A的虚线切断底座4之后的切断面的状态的示意剖视图，图26C是示意仰视图。在实施方式四所涉及的晶体谐振器I的底座4中，在俯视时为长方形的壳体背面(另一主面43)上，如图26B及图26C所示那样，设置了四个雉堞墙47A、47B、48A、48B。具体而言，雉堞墙47A是沿着另一主面43的长边方向上的一侧边的一端部及与该一端部相邻接的短边方向上的一侧边的一端部而设置的；雉堞墙47B是沿着另一主面43的长边方向上的另一侧边的一端部及与该一端部相邻接的短边方向上的一侧边的另一端部而设置的。另夕卜，雉堞墙48A是沿着另一主面43的长边方向上的一侧边的另一端部及与该另一端部相邻接的短边方向上的另一侧边的一端部而设置的；雉堞墙48B是沿着另一主面43的长边方向上的另一侧边的另一端部及与该另一端部相邻接的短边方向上的另一侧边的另一端部而设置的。并且，在这四个雉堞墙47A、47B、48A、48B上分别形成有外部端电极53A、53B、54A、54B。其中，外部端电极53A与电极垫51之间通过布线图样而实现电连接，外部端电极54B与电极垫52之间通过布线图样而实现电连接。另外，在底座4的一主面上形成的第I接合层45A如图26A 图26C所示那样，与实施方式一相同，是通过在溅射薄膜453上进行镀膜454的叠层而构成的。不过，溅射薄膜453和镀膜454的构成与实施方式一不同。S卩，在实施方式四所涉及的晶体谐振器I的底座4的第I接合层45A中，溅射薄膜453是通过在用溅射法形成的由Ti构成的Ti膜上，用溅射法溅射形成由Cu构成的Cu膜而构成的。另外，镀膜454是通过在溅射薄膜453上施镀形成由Ni构成的Ni膜，再在该Ni膜上施镀形成由Au构成的Au膜而构成的。另外，构成底座4的电极55、56、57的金属层92是由与构成上述第I接合层45A的溅射薄膜453的材料相同的材料构成的。因而，在实施方式四所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造工序中，是通过用溅射法在晶片8的两个主面81、82上溅射形成由Ti构成的Ti层以形成Ti层之后，在Ti层上用溅射法溅射形成Cu层，来形成保护层91及金属层92的(参照图6A、图6B、图14A及图14B)。另外，在实施方式四中，内部电极55中的、与水晶振动片的激发电极相连接的电极垫51、52部分的内部电极55由金属层92和电镀层93构成，电极垫51、52以外的内部电极55如图26A 图26C所示那样，只由金属层92构成。另外，包括外部端电极53A、53B、54A、54B的整个外部电极56由金属层92和电镀层93构成。另外，在实施方式四中，构成电极55、56、57的电镀层93是由与构成上述第I接合层45A的镀膜454的材料相同的材料构成的。因而，在实施方式四所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造工序中，是通过在金属层92上施镀形成由Ni构成的Ni层以形成Ni层之 后，在Ni层上施镀形成Au层，来形成电镀层93的(参照图16A及图16B)。另外，在实施方式四中，如图26A 图26C所示那样，树脂图样58被形成在底座4的两个主面42、43上。具体而言，在腔部46底面461、及壳体背面的背对着腔部46底面461的部分形成了树脂图样58。因此，通孔49的两侧的开口面492、493被树脂材料密封，并且内部电极55的电极垫51、52以外的部分，即只由电镀层93构成的部分的内部电极55表面被树脂覆盖。此外，外部电极56的一部分的表面被树脂覆盖。因而，在实施方式四所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造工序中，是将树脂图样58形成在晶片8的两个主面81、82上。除了上述之处以外，本实施方式四所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造工序与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造工序相同。在本实施方式四所涉及的晶体谐振器I中，与实施方式一所涉及的晶体谐振器I一样，由于通孔49的整个内侧面491上形成了贯通电极57，所以通过该贯通电极57，在底座4的一主面42上形成的内部电极55与在底座4的另一主面43上形成的外部电极56实现了电连接，通孔49的内部的导通状态稳定。另外，由于通孔49的两侧的开口面492、493被树脂图样58(树脂材料)密封，所以外气不会通过通孔49而进入晶体谐振器I的封装体内部，能够充分保持晶体谐振器I的封装体内部的气密性。进一步，由于底座4的两个主面42、43，具体而言是腔部46的底面461、及壳体背面的背对着腔部46底面461的部分形成了树脂图样58，所以通过该树脂图样58，底座4的面方向的强度得到加强。另外，在本实施方式四所涉及的晶体谐振器I中，由于在位于底座4的两个主面42,43侧的通孔49的开口面492、493和该开口面493的周围(具体而言是在腔部46的底面461的一半以上的区域，以及另一主面43上的与腔部46的底面相对应的部分的一半以上的区域)广泛形成了树脂图样58，所以能够充分确保树脂图样58与构成底座4的基材(玻璃材料)直接接触的接触面积。因此，能够确保树脂图样58与构成底座4的基材之间的接合强度，从而能够充分确保晶体谐振器I的封装体的气密稳定性。另外，在实施方式四所涉及的晶体谐振器I中，由于电极垫51、52以外的内部电极55被树脂图样58覆盖了表面，所以电极垫51、52以外的内部电极55的电极表面(Cu层)不会被氧化。另外，在实施方式四所涉及的晶体谐振器I中，由于在电极垫51、52以外的内部电极55，具体而言是被树脂图样58覆盖的部分的内部电极55上使用了 Au，所以与实施方式一相比，形成电极所必需的Au的使用量较少，能够降低生产成本。
另外，在实施方式四所涉及的晶体谐振器I中，在盖(未图示)的内面上形成的第二接合层是通过从盖一侧开始依次叠层由Ti构成的Ti膜、由Cu构成的Cu膜、由Ni构成的Ni膜而构成的。Ti膜是用溅射法溅射形成的，在该Ti膜上用溅射法溅射形成了 Cu膜。另外，Ni膜是通过在Cu膜上进行施镀处理而形成的。另外，与底座4接合之前，在盖的第二接合层上叠层了接合材料。接合材料由在第二接合层上叠层的Au/Sn膜、和在Au/Sn膜上叠层而形成的Au膜构成。在此，Au/Sn膜由在第二接合层上叠层并施镀形成的Au膜、和在该Au膜上施镀形成的Sn膜构成。另外，Au膜由在Au/Sn膜上叠层并施镀形成的Au触击电镀膜、和在Au触击电镀膜上叠层并施镀形成的Au镀膜构成。在这样的接合材料中，Au/Sn膜被加热而融化成为AuSn合金膜。此外，也可以通过在盖的第二接合层上镀AuSn合金来形成接合材料。在本实施方式四所涉及的晶体谐振器I的构成中，除上述之外的构成，与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的构成相同，因此，实施方式四所涉及的晶体谐振器I能够产生与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的效果相同的效果。另外，在实施方式四所涉及的晶体谐振器I的底座4中，外部电极56中，表面被树脂图样58覆盖的部分的外部电极56也可以只用由Ti层和Cu层构成的金属层92来构成。基于上述构成，电极的形成所必需的Au的使用量可进一步减少，能进一步降低生产成本。、另外，在实施方式四所涉及的晶体谐振器I中，构成第I接合层45的金属膜的Ti膜、构成金属层92及保护层91的基底的Ti层、以及构成第二接合层的基底的Ti膜也可以由，与构成晶片8的材料(例如，玻璃材料)及构成Cu层的Cu有良好的接合性的金属层(金属膜)，例如，W、Cr、或Mo所构成的接触型金属层(接触型金属膜,contact metal film)来代替。〈实施方式五〉图27是不出实施方式五所涉及的晶体振荡器的内部空间的不意侧视图。另外，图28A及图28B是表不实施方式五所涉及的晶体振荡器的底座的概要结构的图。图28A是不意俯视图，图28B是意仰视图。如图27所示，实施方式五所涉及的晶体振荡器10中设置有IC芯片20(本发明所说的电子器件元件)；*AT截面晶体构成的水晶振动片2(本发明所说的电子器件元件)；用于保持IC芯片20和水晶振动片2，并对水晶振动片2进行气密密封的底座4 (作为本发明所说的第一密封部件的电子器件封装体用密封部件)；面对底座4配置、用于对保持在底座4上的水晶振动片2的激发电极31、32(本发明所说的电子器件元件的电极)进行气密密封的盖6 (本发明所说的第二密封部件)。在该晶体振荡器10中，与实施方式一所涉及的晶体谐振器I 一样，由底座4和盖6构成封装体(本发明所说的电子器件封装体)，底座4与盖6通过由Au和Sn的合金构成的接合材料71而接合，形成被气密密封的内部空间11。在该内部空间11中，水晶振动片2通过使用了金凸点等导电凸点906的FCB法而与底座4之间实现机电上的超声波接合。并且，如图27所示那样，IC芯片20与内部空间11的底座4之间，通过使用金凸点等导电凸点907的FCB法而实现超声波接合及电连接。下面，对该晶体振荡器10的各构成进行说明。其中，有关盖6和水晶振动片2的构成，由于与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的盖6和水晶振动片2的构成相同，所以省略其说明。IC芯片20与内部空间11的底座4之间，通过使用了金凸点等导电凸点907的FCB法而实现了超声波接合及电连接。更具体而言，IC芯片20具备六个端电极(未图示)，这六个端电极中的两个端电极经由后述的电极垫51、52及第一布线图样501与水晶振动片2的激发电极31、32电连接，剩余的四个端电极经由底座4的后述第二布线图样502或第三布线图样503而与底座4的壳体背面设置的外部端电极53A、53B、54A、54B电连接。晶体振荡器10的底座4与实施方式一的底座4 一样，由玻璃材料构成，并如图27所示那样，被形成为由底部41、和沿底座4的一主面42的外周从底部41向上方延出的壁部44构成的箱状体。底座4是通过用光刻法对长方体实心板进行蚀刻而成形的。 底座4的壁部44的顶面是与盖6接合的接合面，在该接合面上设置有用于与盖6接合的第I接合层45。第I接合层45的构成与实施方式一的底座4上的第I接合层45的构成相同，由在溅射薄膜上形成了镀膜的多层叠层结构构成。换言之，溅射薄膜是通过在用溅射法溅射形成的由Mo构成的Mo膜上，用溅射法溅射形成由Au构成的Au膜而得到的。另夕卜，镀膜是通过在溅射薄膜上施镀形成由Au构成的Au膜而得到的。与实施方式一的底座4 一样,在晶体振荡器10的底座4上形成了由底部41和壁部44围成的腔部46。该腔部46被形成为，如图27、图28A及图28B所示那样，俯视时为长方形，且腔部46的壁面为锥形。在该腔部46的底面461上设置有I个基座部401，该基座部401只与短边方向上的边LI的中间部分相接。另外，在底座4的俯视时为长方形的壳体背面(另一主面43)上形成了四个雉堞墙47A、47B、48A、48B。具体而言，雉堞墙47A是沿着另一主面43的长边方向上的一侧边的一端部及与该一端部相邻接的短边方向上的一侧边的一端部而设置的；雉堞墙47B是沿着另一主面43的长边方向上的另一侧边的一端部及与该一端部相邻接的短边方向上的一侧边的另一端部而设置的。另外，雉堞墙48A是沿着另一主面43的长边方向上的一侧边的另一端部及与该另一端部相邻接的短边方向上的另一侧边的一端部而设置的；雉堞墙48B是沿着另一主面43的长边方向上的另一侧边的另一端部及与该另一端部相邻接的短边方向上的另一侧边的另一端部而设置的。另外，如图27、图28A及图28B所示那样，在底座4中，腔部46的底面461的四个角落上分别形成了贯穿底座4的基材的通孔49。该通孔49的内侧面491被形成为相对于底座4的一主面42及另一主面43倾斜的锥形。通孔49的直径在底座4的另一主面43侧的端部为最大，在底座4的一主面42侧的端部为最小。另外，在底座4的基材上形成有分别与水晶振动片2的激发电极31、32机电接合的一对电极垫51、52 ;与外部部件、外部器件电连接的外部端电极53A、53B、54A、54B ;使电极垫51、52与IC芯片20的电极(未图示)之间电连接的第一布线图样501 ;使外部端电极53A、53B与IC芯片20的电极(未图示)之间电连接的第二布线图样502 ;使外部端电极54A、54B与IC芯片20的电极(未图示)之间电连接的第三布线图样503。这些电极垫51、52、外部端电极53A、53B、54A、54B、第一布线图样501、第二布线图样502及第三布线图样503构成了底座4的电极55、56、57。电极垫51、52被形成在基座部401的表面。并且，在电极垫51、52上设置了用于使水晶振动片2接合的导电凸点906。另外，外部端电极53A、53B、54A、54B被形成在雉堞墙47A、47B、48A、48B上。另外，第一布线图样501被形成为，从底座4的一主面42的电极垫51、52延伸到IC芯片20被接合的接合部。并且，第二布线图样502及第三布线图样503被形成为，从底座4的一主面42的IC芯片20被接合的接合部经由通孔49的内侧面491而延伸到另一主面43的外部端电极53A、53B、54A、54B。在此，电极垫51、52、外部端电极53A、53B、54A、54B、第一布线图样501、第二布线图样502以及第三布线图样503由与第I接合层45的材料相同的材料构成。另外，在开设有腔部46的底面461 (底座4的一主面42)的通孔49的四个角落；底座4的壳体背面(另一主面43)的各通孔49的开口面493 ;以及这些开口面493的附近，配置有树脂图样58(树脂材料)。即，通过树脂图样58，位于底座4的一主面42侧的各通孔49的开口面492与位于底座4的另一主面43侧的各通孔49的开口面493被密封，并且，第二布线图样502及第三布线图样503的一部分的表面被树脂覆盖。进一步，通孔49的内部被树脂材料填充。在此，构成树脂图样58的树脂材料及填充在通孔49内部的树脂材料可以采用与实施方式一的底座4中构成树脂图样58的树脂材料相同的树脂材料。并且，如图27、图28A及图28B所示那样，第一布线图样501和第二布线图样502被形成为相互交差，在其交差部分，在第一布线图样501与第二布线图样502之间隔着树脂图样58。换言之，在构成一部分第二布线图样502的内部电极55上，隔着树脂图样58而形成了构成一部分第一布线图样501的电极(本发明所说的其它的电极)。在上述本实施方式五所涉及的晶体振荡器10中，由于在通孔49的整个内侧面491 形成了贯通电极57，所以通过该贯通电极57，在底座4的一主面42上形成的内部电极55与在底座4的另一主面43上形成的外部电极56之间电连接，通孔49中的导通状态稳定。另外，位于底座4的一主面42侧的各通孔49的开口面492与位于底座4的另一主面43侧的各通孔49的开口面493被树脂图样58 (树脂材料)密封，且各通孔49的内部被树脂材料填充，所以外气完全不会通过通孔49而进入晶体振荡器10的封装体内部，能够充分保持晶体振荡器10的封装体内部的气密性。并且，在构成一部分第二布线图样502的内部电极55上，隔着树脂图样58形成了构成一部分第一布线图样501的电极,所以，底座4被构成为，在底座4的厚度方向上具有多个布线图样。除了具备在树脂图样58形成之后，进一步在树脂图样58上形成电极的工序之外，上述本实施方式五所涉及的晶体振荡器10的底座4的制造方法与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造方法相同。另外，在本实施方式五所涉及的晶体振荡器10的构成中，除了上述构成以外的构成，与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的构成相同，因此，实施方式五所涉及的晶体振荡器10能产生与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的效果相同的效果。〈实施方式六〉实施方式六所涉及的晶体谐振器I的构成与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的构成基本相同。因此，以下只对与实施方式一所涉及的晶体谐振器I不同之处进行说明。实施方式六所涉及的晶体谐振器I的底座4的结构与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的底座4的结构不同。图29A 图29C是表示实施方式六所涉及的底座4的概要结构的示意图，图29A是示意俯视图；图29B是表示沿图29A的虚线将底座4切断之后的切断面的状态的示意剖视图，图29C是不意仰视图。如图29A 图29C所示那样，树脂图样58不是形成于构成腔部46底面461的底座4的一主面42，而是形成于构成壳体背面的底座4的另一主面43上。具体而言，如图29A 图29C所示那样，树脂图样58被形成于，位于构成壳体背面的底座4的另一主面43上的通孔49的开口面493及该开口面493的附近，及除形成了另一主面43的外部电极56 (外部端电极53、54)的区域以外的整个区域上。换言之，在本实施方式六中，通孔49的开口面493被树脂图样58密封，并且另一主面43的整体被树脂图样58或外部电极56覆盖。另外，与上述实施方式一的底座4上形成的两个通孔49 (参照图2A 图2C)相比，在本实施方式六中，底座4上形成的两个通孔49被设置得较近接。另外，在本实施方式六中，通孔49的内部填充有用于形成树脂图样58的树脂材料59。另外，外部电极56被构成为，在与第I接合层45的溅射薄膜451及镀膜452相同 的材料所构成的溅射薄膜561及镀膜562上，进一步叠层了第二镀膜563的构造。换言之，外部电极56的溅射薄膜561是通过在用溅射法溅射形成的由Mo构成的Mo膜上，用溅射法溅射形成由Au构成的Au膜而得到的。另外，镀膜562是通过在溅射薄膜561上施镀形成由Au构成的Au膜而得到的。另外，第二镀膜563是通过在镀膜562上进一步施镀形成金属膜而得到的。作为构成该第二镀膜563的金属膜的具体例子，比如有在镀膜562上施镀形成的Au膜；在镀膜562上施镀形成的AuCu合金所构成的AuCu合金膜；或在镀膜562上施镀形成的Ni膜上施镀形成Au膜而得到的Ni/Au膜等。除了在图22A及图22B所示的制造工序中，在晶片8的两个主面81、82及通孔49的开口面492、493上用浸溃涂布法涂布含有光增敏剂的树脂以形成树脂层95，并对通孔49进行树脂材料59的填充；在图23A及图23B所示的制造工序中，在位于晶片8的另一主面82上的通孔49的开口面493及该开口面493的附近、及除形成了另一主面43的外部电极56(外部端电极53、54)的区域以外的整个区域上形成树脂图样58;进一步在构成外部电极56的镀膜562的金属层93 (参照图23B)上，施镀形成构成上述外部电极56的第二镀膜563的、第2金属层之外，上述实施方式六所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造方法与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的底座4的制造方法相同。在本实施方式六所涉及的晶体谐振器I中，由于通孔49的整个内侧面491形成了贯通电极57，所以通过该贯通电极57，在底座4的一主面42上形成的内部电极55与在底座4的另一主面43上形成的外部电极56之间实现了电连接，通孔49的内部的导通状态稳定。另外，由于通孔49的一侧的开口面493被树脂图样58(树脂材料)密封，且通孔49的内部填充了树脂材料59，所以外气不会通过通孔49而进入晶体谐振器I的封装体内部，能够充分保持晶体谐振器I的封装体内部的气密性。另外，在本实施方式六所涉及的底座4中，从位于构成壳体背面的底座4的另一主面43上的通孔49的开口面493及该开口面493的附近起，直到除形成有另一主面43的外部电极56(外部端电极53、54)的区域之外的整个区域都形成了树脂图样58，所以充分确保了树脂图样58与构成底座4的基材(玻璃材料)直接接触的接触面积。因此，能够充分确保树脂图样58与构成底座4的基材之间的接合强度，从而能充分确保晶体谐振器I的封装体的气密稳定性。
另外，在本实施方式六所涉及的底座4中，沿另一主面43的外周缘的整个端部被树脂图样58覆盖。即，在用与实施方式一中相同的方法来制造本实施方式六所涉及的底座4的情况下，将晶片8分割以使底座4成为单片时，在晶片8的切断部形成树脂图样58，用树脂材料覆盖晶片8的切断部。因此，在本实施方式六所涉及的底座4的制造中，通过覆盖晶片8的切断部的树脂材料，可以抑制因切割而造成的晶片(玻璃材料)破片的产生。另外，在实施方式六中，使用了与构成树脂图样58的树脂材料相同的、不含导电性物质的材料作为填充到通孔49内部的树脂材料59，但不局限于此，例如，也可以使用与构成树脂图样58的树脂材料不同的、含导电性物质的材料来作为填充到通孔49内部的树脂材料59。若通孔49内部填充有含导电性物质的树脂材料，则通孔49中的导通状态更加稳定。在本实施方式六所涉及的晶体谐振器I的构成中，除了上述构成以外的构成与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的构成相同，因此，本实施方式六所涉及的晶体谐振器I能产生与实施方式一所涉及的晶体谐振器I的效果相同的効果。 另外，在上述实施方式一 六所涉及的底座4中，树脂图样58是通过使用具有感光性的树脂材料的光刻法来形成的，但这只是优选的例子，并不局限于此。例如，树脂图样58也可以是通过在形成树脂图样58的位置上涂布树脂材料而形成的。换言之，在上述的实施方式一 六所涉及的底座4的制造中，作为树脂图样58的形成方法，采用了在晶片8的两个主面81、82上用浸溃涂布法或喷涂法涂布具有感光性的树脂材料以形成树脂层95之后(参照图22A及图22B)，对树脂层95进行曝光及显影来形成树脂图样58 (参照图23A及图23B)的方法，但也可以采用其它的方法。例如，作为树脂图样58的形成方法，也可以采用在晶片8的两个主面81、82上的树脂图样58的形成位置上用喷墨打印法、丝网印刷法或滴涂(dispenser)法来排出树脂以形成树脂图样58的方法。这样的不依靠光刻法而形成的树脂图样58也可以利用不具备感光性的树脂材料来构成。另外，通过喷墨打印法、丝网印刷法或滴涂法，能够向通孔49填充含有导电性物质的树脂。另外，在上述实施方式一 六所涉及的底座4中，内部电极55、外部电极56、及贯通电极57中的每一个与底座4的基材(两主面42、43及通孔49的内侧面491)之间，也可以配置树脂材料。即，也可以在图14A及图14B所示的制造工序中，在形成金属层92之前，在形成晶片8的两个主面81、82及通孔49的内侧面491上的电极垫51、52、外部端电极53、54、及布线图样(S卩，内部电极55、外部电极56、及贯通电极57)的部分涂布树脂材料，然后在所涂布的树脂材料上形成金属层92。由此，内部电极55、外部电极56、及贯通电极57中的每一个与底座4的基材之间隔着树脂材料，所以不会出现因底座4的基材(例如，玻璃材料构成的基材)与构成各电极55、56、57的金属发生反应而使底座4的基材劣化的情况。另外，有关上述实施方式一 五所涉及的底座4的制造，在形成树脂图样58的工序(参照图23A及图23B)中，也可以在将底座4单个分割时切断的部分的晶片8表面上形成树脂图样58。这样，在晶片8的切断部分形成树脂图样58，能够防止因切断晶片8时所施加的外力而使底座4的侧面或外部端电极53、54破损的情况。另外，也可以如同在实施方式五所涉及的底座4中，在构成一部分第二布线图样502的内部电极55上隔着树脂图样58形成构成一部分第一布线图样501的电极那样,在上述实施方式一 四及六所涉及的底座4的内部电极55及外部电极56中的至少一方上，隔着树脂图样(树脂材料)来形成其它的电极。由此，能够在底座4的厚度方向上具备多个布线图样。另外，在实施方式一 六中，米用玻璃作为底座4及盖6的材料,但是不限于用玻璃来构成底座4，也不限于用玻璃来构成盖6，例如，也可以采用水晶来构成。另外,在实施方式一 六中，主要用AuSn来作为接合材料71,但对接合材料71无限制，只要能使底座4与盖6相接合即可,例如，也可以采用CuSn等Sn钎料合金(Sn alloybrazing filler metal)构成的材料。另外，在上述实施方式一 四及六所涉及的晶体谐振器I、以及实施方式五所涉及的晶体振荡器10中，使用AT截面晶体振动片2作为水晶振动片，但也可以使用音叉型的水晶振动片。
以上，示出了将本发明所涉及的电子器件封装体应用于晶体谐振器(crystalresonator)或晶体振荡器(crystal oscillator)的情况下的实施方式,但这只是优选的实施方式，本发明所涉及的电子器件封装体可以是任何能用面对面配置的密封部件密封电子器件元件的电极的封装体。因而，本发明所涉及的电子器件封装体也可以是用面对面配置的密封部件对水晶以外的压电材料，例如，对由钽酸锂或铌酸锂等构成的压电振动片的激发电极进行气密密封的压电振动装置的封装体。本发明可以在不超越其构思或主要特征的范围内用其它各种各样的形式来实施。因此，上述实施方式只不过是各方面的示例而已，不能将其作为限定来解释。本发明的范围是权利要求书所表达的范围，说明书中不存在任何限定。而且，属于权利要求书的同等范围内的变形或变更，均在本发明的范围内。另外，本申请要求基于2010年3月4日向日本提出了申请的特愿2010-48099的优先权。因而，其所有内容被导入本申请。工业实用性本发明能够应用于对压电振动片等的电子器件元件的电极进行气密密封的电子器件的封装体。
权利要求
1.一种电子器件封装体用密封部件，被用作为用面对面配置的第一密封部件和第二密封部件对电子器件元件的电极进行气密密封的电子器件封装体的所述第一密封部件，其特征在干， 该电子器件封装体用密封部件包括 贯穿该电子器件封装体用密封部件的基材的通孔； 在所述基材的、与所述第二密封部件相向的相向面上形成的内部电极； 在所述基材的、与所述相向面相反的面上形成的外部电极；以及 在所述通孔的内侧面上形成的、使所述内部电极与所述外部电极电连接的贯通电扱， 所述通孔的至少ー侧的开ロ面被树脂材料密封。
2.如权利要求I所述的电子器件封装体用密封部件，其特征在干， 所述树脂材料具有感光性， 所述通孔的至少ー侧的开ロ面被配置于该开ロ面的所述树脂材料构成的树脂图样密封。
3.如权利要求I或2所述的电子器件封装体用密封部件，其特征在干， 所述通孔的内部填充有树脂材料。
4.如权利要求I至3中任一项所述的电子器件封装体用密封部件，其特征在干， 所述内部电极的至少一部分的表面被树脂材料覆盖。
5.如权利要求I至4中任一项所述的电子器件封装体用密封部件，其特征在干， 所述外部电极的至少一部分的表面被树脂材料覆盖。
6.如权利要求I至5中任一项所述的电子器件封装体用密封部件，其特征在干， 所述基材与所述内部电极之间、所述基材与所述外部电极之间、所述基材与所述贯通电极之间，分别设置有树脂材料。
7.如权利要求I至6中任一项所述的电子器件封装体用密封部件，其特征在干， 在所述内部电极和所述外部电极的至少一方之上，隔着树脂材料形成有其它的电扱。
8.一种电子器件封装体，是用面对面配置的第一密封部件和第二密封部件对电子器件元件的电极进行气密密封的电子器件封装体，其特征在干， 所述第一密封部件是权利要求I至7中任一项所述的电子器件封装体用密封部件。
9.一种电子器件封装体用密封部件的制造方法，用于制造作为用面对面配置的第一密封部件和第二密封部件对电子器件元件的电极进行气密密封的电子器件封装体的所述第一密封部件的所述电子器件封装体用密封部件，其特征在于，该制造方法包括 通孔形成エ序，形成贯穿该电子器件封装体用密封部件的基材的通孔； 电极形成エ序，形成内部电极、外部电极以及贯通电极，其中，所述内部电极位于所述基材的、与所述第二密封部件相向的相向面上，所述外部电极位干与所述相向面相反的面上，所述贯通电极沿所述通孔的内侧面配置；以及 封孔エ序，用树脂材料密封所述通孔的至少ー侧的开ロ面。
10.如权利要求9所述的电子器件封装体用密封部件的制造方法，其特征在干， 所述封孔エ序包括图样形成エ序，用于利用使用具有感光性的所述树脂材料的光刻法，来进行用于密封所述通孔的至少ー侧的开ロ面的树脂图样的图样形成。
全文摘要
本发明提供一种电子器件封装体用密封部件、电子器件封装体、以及电子器件封装体用密封部件的制造方法。该电子器件封装体能确保设在密封部件上的通孔中的导通状态稳定，并能充分确保封装体内部的气密性。电子器件封装体包括对电子器件元件(2)的电极(31、32)进行气密密封的、面对面配置的第一密封部件(电子器件封装体用密封部件)(4)及第二密封部件(6)；在第一密封部件(4)的基材的、与第二密封部件(6)相向的相向面(42)上形成的内部电极(55)；在第一密封部件(4)的基材的、与相向面(42)相反的面(43)上形成的外部电极(56)；贯穿第一密封部件(4)的基材的通孔(49)；以及使内部电极(55)与外部电极(56)之间电连接的、在通孔(49)的内侧面上形成的贯通电极(57)。并且，通孔(49)的至少一侧的开口面被树脂材料(58)密封。
文档编号H03H3/02GK102714489SQ20118000598
公开日2012年10月3日 申请日期2011年3月4日 优先权日2010年3月4日
发明者幸田直树 申请人:株式会社大真空