1.一种自灭弧式半导体元件的短路保护电路，其中，
所述自灭弧式半导体元件具有第1主电极、第2主电极以及控制电极，所述自灭弧式半导体元件响应于对所述控制电极与所述第1主电极之间供给的驱动电压，将所述第1主电极以及第2主电极之间切换为导通或者截止，
所述短路保护电路具备：
第1保护电路，构成为在检测到在所述第1主电极以及第2主电极之间流过过电流这一情况的场合下，使所述控制电极与所述第1主电极之间的电压减少；以及
第2保护电路，构成为检测在用于供给所述驱动电压的布线中流过的电流，基于检测到的电流而判断所述第1保护电路是否处于动作状态，在所述第1保护电路为动作状态的情况下以使所述自灭弧式半导体元件截止的方式使所述驱动电压变化。
2.根据权利要求1所述的自灭弧式半导体元件的短路保护电路，其特征在于，
所述驱动电压从经由控制布线而与所述自灭弧式半导体元件的所述控制电极连接的驱动电路被供给，
所述第2保护电路包括：
栅极电阻元件，配置在所述控制布线上；以及
动作判断电路，基于所述栅极电阻元件所产生的电压，判断所述第1保护电路是否处于动作状态。
3.根据权利要求1所述的自灭弧式半导体元件的短路保护电路，其特征在于，
所述驱动电压从经由控制布线而与所述自灭弧式半导体元件的所述控制电极连接的驱动电路被供给，
所述驱动电路包括：
第1半导体开关元件，连接于第1电源节点与所述控制布线之间；以及
第2半导体开关元件，连接于第2电源节点与所述控制布线之间，
在所述第1半导体开关元件为导通状态时，所述驱动电路输出用于使所述自灭弧式半导体元件导通的所述驱动电压，在所述第2半导体开关元件为导通状态时，所述驱动电路输出用于使所述自灭弧式半导体元件截止的所述驱动电压，
所述第2保护电路包括：
栅极电阻元件，连接于所述第1电源节点与所述控制布线之间；以及
动作判断电路，基于所述栅极电阻元件所产生的电压，判断所述第1保护电路是否处于动作状态。
4.根据权利要求2或者3所述的自灭弧式半导体元件的短路保护电路，其特征在于，
所述动作判断电路包括：
延迟电路，输出使所述栅极电阻元件所产生的电压的变化延迟的电压；以及
判定部，在所述延迟电路的输出电压超过阈值电压时，判定为所述第1保护电路处于动作状态。
5.根据权利要求4所述的自灭弧式半导体元件的短路保护电路，其特征在于，
所述动作判断电路还包括电压限制电路，该电压限制电路设置在所述栅极电阻元件与所述延迟电路之间，限制从所述栅极电阻元件输入到所述延迟电路的电压的大小。
6.根据权利要求4或者5所述的自灭弧式半导体元件的短路保护电路，其特征在于，
所述延迟电路作为包括电阻元件和电容器的RC滤波电路而构成，
所述RC滤波电路构成为所述电容器的放电时的时间常数比所述电容器的充电时的时间常数小。
7.根据权利要求4～6中的任意一项所述的自灭弧式半导体元件的短路保护电路，其特征在于，
所述动作判断电路还包括电压削减电路，该电压削减电路设置在所述延迟电路与所述判定部之间，削减从所述延迟电路输入到所述判定部的电压的大小。
8.根据权利要求2或者3所述的自灭弧式半导体元件的短路保护电路，其特征在于，
所述驱动电路构成为输出用于响应于导通信号以及截止信号而将所述自灭弧式半导体元件分别切换为导通以及截止的所述驱动电压，
所述动作判断电路包括：
判定部，在所述栅极电阻元件所产生的电压超过阈值电压时，判定为所述第1保护电路处于动作状态；以及
屏蔽电路，设置在所述栅极电阻元件与所述判定部之间，在自向所述驱动电路的输入从所述截止信号向所述导通信号切换时起经过预先决定的屏蔽期间为止的期间进行屏蔽，以避免所述栅极电阻元件所产生的电压输入到所述判定部。
9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的自灭弧式半导体元件的短路保护电路，其特征在于，
所述自灭弧式半导体元件由使用硅或者碳化硅的半导体材料构成。