1.一种射频前端电路，其特征在于，包括，
M个射频放大支路，被划分为N个频段，每一频段包括设定数量个射频放大支路和同一输出端，每一所述射频放大支路包括一输入端、射频放大器和开关单元，于所述开关单元的控制下一预定频段的射频放大支路被选通对所述输入端输入的信号放大后自所述输出端输出，其中N为大于1的正整数，M大于等于N；
信号转换器，设有N个输入端口和第一输出端及第二输出端，每一所述输入端口分别与一个频段的所述输出端对应连接，于预定的所述输入端口被选择时，调节匹配参数使所述信号转换器与被选通的射频放大支路相适应，并将所述输入端口的信号转换为差分信号后输出。
2.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述第一输出端和所述第二输出端之间连接可调节的谐振单元，可调节地使所述信号转换器谐振在被选通的射频放大支路对应的频段。
3.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述信号转换器的信号输出端连接一混频器，将所述信号转换器输出的信号与一本地振荡器的信号进行混频实现信号变换。
4.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，多个所述射频放大支路覆盖的频段范围自750MHz至2690MHz。
5.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述信号转换器包括输入通路和输出通路，所述输入通路包括与电源电压连接的预订数量且相互串联的电感，N个预定位置的所述电感连接点处分别引出所述输入端口； 所述输出通路包括串联于所述第一输出端和所述第二输出端之间的多个输出电感；所述输入通路的电感和所述输出通路的输出电感耦合。
6.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述射频放大器采用源极退化电感型低噪声放大器，和/或，所述开关单元采用共栅晶体管。
7.根据权利要求5所述的射频前端电路，其特征在于，所述输入通路采用一第一线圈自内向外绕制并连接至所述电源电压，于预定位置处分别引出N个输入端口，所述输出通路采用第二线圈，所述第一线圈与所述第二线圈并行绕线，并于头部和尾部分别引出所述信号输出端。
8.根据权利要求7所述的射频前端电路，其特征在于，所述第一线圈和所述第二线圈呈螺旋状平行绕制成四边形结构。
9.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述射频放大支路包括，
第一放大单元，所述输入端通过一第一电容与所述第一放大单元的信号输入端耦接；
第二放大单元，所述输入端通过一第二电容与所述第二放大单元的信号输入端耦接；
第一开关器件，可控制地导通所述第一放大单元的输出端至所述输出端；
第二开关器件，可控制地导通所述第二放大单元的输出端至所述输出端；
所述输出端通过一反馈支路连接至所述第二放大单元的信号输入端；
以所述第一开关器件和所述第二开关器件构成所述开关单元。
10.根据权利要求9所述的射频前端电路，其特征在于，所述第一开关器件和所述第二放大器件采用PMOS管和NMOS管的互补结构。