1.一种射频(RF)电路，其特征在于，包括：
第一介电材料，所述第一介电材料具有第一表面和第二表面以及第一介电常数；
在所述第一介电材料的所述第一表面上的第一导电层，其中所述第一导电层包括多个导电特征，所述多个导电特征包括信号线路和偏置线路，其中所述信号线路具有第一端和第二端，并且所述偏置线路具有第一区段，所述第一区段具有第一端和第二端；
在所述第一介电材料的所述第二表面上的第二导电层，其中所述第二导电层包括接地平面，所述信号线路直接形成在所述接地平面上，并且其中在所述第二导电层中存在导电材料空隙，所述第一偏置线路的所述第一区段与所述导电材料空隙对齐；
在所述第二导电层上的第二介电材料，其中所述第二介电材料具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数；以及
用于RF装置的安装区域，其中所述信号线路的所述第一端和所述偏置线路的所述第一区段的第一端位于接近于所述安装区域处，以使得所述信号线路和所述偏置线路能够与所述RF装置的一个或多个导线电耦合。
2.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于，所述第二介电常数比所述第一介电常数小至少50％。
3.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于：
所述第一介电常数在4.0到12.0的范围内；以及
所述第二介电常数在1.0到4.0的范围内。
4.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于：
所述偏置线路的所述第一区段是四分之一波传输线路。
5.根据权利要求4所述的RF电路，其特征在于，所述偏置线路另外包括：
谐振电路，所述谐振电路耦合到所述偏置线路的所述第一区段的所述第二端。
6.根据权利要求5所述的RF电路，其特征在于，所述谐振电路包括由所述第一导电层的一部分形成的径向短柱。
7.根据权利要求5所述的RF电路，其特征在于，所述谐振电路包括离散电容器，所述离散电容器包括电耦合到所述偏置线路的所述第一区段的第二端的端子。
8.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于，所述偏置线路的所述第一区段的所述第一端耦合到所述信号线路的所述第一端，并且所述信号线路的所述第一端被配置成耦合到所述RF装置的导线。
9.根据权利要求8所述的RF电路，其特征在于，另外包括：
所述RF装置，所述RF装置耦合到所述安装区域，其中所述RF装置包括具有所述导线的封装功率RF晶体管。
10.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于：
所述偏置线路的所述第一区段的所述第一端被配置成用于待耦合到所述第一端的所述RF装置的第一导线；并且
所述信号线路的所述第一端被配置成用于待耦合到所述第一端的所述RF装置的第二导线。
11.根据权利要求10所述的RF电路，其特征在于，另外包括：
所述RF装置，所述RF装置耦合到所述安装区域，其中所述RF装置包括具有所述第一导线和所述第二导线的封装功率RF晶体管。
12.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于，所述偏置线路的所述第一区段具有第一宽度，并且其中所述导电材料空隙具有至少与所述第一宽度一样宽的第二宽度。
13.根据权利要求12所述的RF电路，其特征在于，所述第二宽度比所述第一宽度宽至少20％。
14.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于，另外包括：
导电结构，所述导电结构在所述第二介电材料的第一表面和第二表面之间延伸，其中所述导电结构的第一端电耦合到所述接地平面；以及
第三导电层，所述第三导电层耦合到所述第二介电材料的所述第二表面并且电耦合到所述导电结构的第二端。
15.根据权利要求14所述的RF电路，其特征在于，所述导电结构包括导电通孔。
16.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于，在800兆赫到6.0千兆赫范围内的频率下所述偏置线路的特性阻抗在75欧姆到300欧姆的范围内。
17.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于：
所述第一介电材料选自：陶瓷填充聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、具有玻璃织物的陶瓷填充PTFE、陶瓷填充烃类、具有玻璃织物的陶瓷填充烃类、随机玻璃填充的PTFE、具有玻璃织物的PTFE、具有超细玻璃纤维的PTFE、e纤维玻璃、高性能FR4；并且
所述第二介电材料选自：PTFE、陶瓷填充PTFE、具有玻璃织物的陶瓷填充PTFE、陶瓷填充烃类、具有玻璃织物的陶瓷填充烃类、随机玻璃填充的PTFE、具有玻璃织物的PTFE、具有超细玻璃纤维的PTFE、高性能FR4，以及空气。
18.一种用于形成射频(RF)电路的方法，其特征在于，所述方法包括：
将包括第一介电材料、第一导电层和第二介电材料的基板层合在一起，其中
所述第一介电材料具有第一表面和第二表面以及第一介电常数，
所述第二介电材料具有第一表面和第二表面以及不同于所述第一介电常数的第二介电常数，并且
所述第一导电层在所述第一介电材料和所述第二介电材料的所述第一表面之间，并且所述第一导电层包括接地平面和导电材料空隙；以及
在所述第一介电材料的所述第二表面上形成第二导电层，其中所述第二导电层包括多个导电特征，所述多个导电特征包括信号线路和偏置线路，其中所述信号线路具有第一端和第二端，所述信号线路直接形成在所述接地平面上，所述偏置线路具有带第一端和第二端的第一区段，并且所述偏置线路的所述第一区段与所述导电材料空隙对齐，并且
其中所述基板包括用于RF装置的安装区域，其中所述信号线路的所述第一端和所述偏置线路的所述第一端位于接近于所述安装区域处，以使得所述信号线路和所述偏置线路能够与所述RF装置的一个或多个导线电耦合。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，另外包括：
将谐振电路耦合到所述偏置线路的所述第一区段的第二端，其中所述谐振电路包括选自离散电容器和由所述第二导电层的一部分形成的径向短柱的组件。
20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述RF装置包括封装功率RF晶体管，并且所述方法另外包括：
将所述封装功率RF晶体管耦合到所述安装区域，其中所述一个或多个导线电耦合到所述信号线路的所述第一端并且电耦合到所述偏置线路的所述第一端。